技術(shù)編號(hào)：11732827
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開內(nèi)容涉及制作集成電路晶體管，并且具體地，涉及低泄漏三維FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件。背景技術(shù)在數(shù)字電路中，晶體管是如下開關(guān)，該開關(guān)理想地：a)在它關(guān)斷時(shí)傳遞零電流；b)在它導(dǎo)通時(shí)供應(yīng)大電流流動(dòng)；并且c)在導(dǎo)通與關(guān)斷狀態(tài)之間瞬時(shí)切換。遺憾的是，晶體管未如在集成電路中構(gòu)造的那樣理想并且甚至在它關(guān)斷時(shí)也往往泄漏電流。經(jīng)過(guò)器件或者從器件泄漏的電流往往耗盡向器件供應(yīng)功率的電池。多年以來(lái)，通過(guò)縮減關(guān)鍵尺度以增加切換速度來(lái)提高集成電路晶體管性能。然而隨著基于硅的晶體管的尺度繼續(xù)縮減，維持對(duì)包括關(guān)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。