技術(shù)編號(hào)：11679592
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置本申請(qǐng)要求于2016年1月15日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2016-0005548號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用包含于此。技術(shù)領(lǐng)域發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及三維(3D)半導(dǎo)體裝置，更具體地，涉及高度集成的3D半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。背景技術(shù)半導(dǎo)體裝置可以被高度集成以提供優(yōu)異的性能和低的制造成本。半導(dǎo)體裝置的集成度可以直接影響半導(dǎo)體裝置的成本，從而可使得需求高度集成的半導(dǎo)體裝置。傳統(tǒng)的二維(2D)或平面半導(dǎo)體裝置的集成度可主要由單位存儲(chǔ)單元占據(jù)的面積來(lái)確定。因此，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。