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本發(fā)明涉及低電阻的高電子遷移率晶體管的氮化鎵薄膜，特別涉及GaN高電子遷移率晶體管的氮化鎵薄膜及其納米外延過生長方法。背景技術(shù)GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)器件是一種基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的電力電子器件。通過形成外延的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，極化電場有效的調(diào)制了GaN的能帶結(jié)構(gòu)以及電荷的分布。這導(dǎo)致高電子遷移率晶體管在未人為摻雜的情況下，也能夠形成面密度達(dá)1013cm-2的二維電子氣。因?yàn)樵诓牧现袥]有摻雜，電子在GaN的理論遷移率超過2000cm2/Vs。這就使得GaNHEMT理論上具有低...
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