技術編號：11644969
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及復合材料制備領域，具體涉及一種一維金屬氧化物/氧化鉬基復合材料及其制備方法。背景技術半導體金屬氧化物納米材料的性能優(yōu)異，被廣泛應用于傳感、催化、光電等領域。值得注意的是，相比于傳統零維顆粒，一維半導體氧化物納米結構具有較高的結晶度、大的比表面積等特點，使其在各個領域的應用中具有了更明顯的優(yōu)勢。三氧化鉬是一種n型半導體過渡金屬氧化物，其禁帶寬度高達3.2eV，具有較高的氣體敏感性和較好的光學性能，備受科學家們的關注。隨著科學研究的深入發(fā)展，單一組分材料的性質已經大部分被人們掌握和開發(fā)，已...
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