技術編號：11614783
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及半導體光電技術領域，尤其涉及一種砷化鎵晶圓用除氧托盤。背景技術在半導體單晶晶圓上外延生長高質量單晶半導體薄膜或者異質結是絕大部分半導體光電器件研發(fā)的核心技術環(huán)節(jié)。砷化鎵(GaAs)晶圓作為一種晶格匹配度較高的半導體晶圓，經(jīng)常被用作高質量II-VI族、III-V族半導體光電器件的外延生長基片。分子束外延技術是一種在超高真空環(huán)境(P<1×10-8Pa)中，在單晶的半導體晶圓片上外延生長高質量半導體薄膜的技術手段。目前已經(jīng)被廣泛應用于高質量半導體光電器件以及高遷移率半導體晶體管的制...
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