技術(shù)編號：11586864
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成光學(xué)和微電子學(xué)技術(shù)，尤其是SOI和體硅混合晶圓結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)近年來，隨著硅基集成光學(xué)發(fā)展，絕緣體上硅(SOI)材料以其良好的導(dǎo)波性能在導(dǎo)波光學(xué)器件和光電子器件方面獲得了越來越廣泛的應(yīng)用，光路電路單片集成已成為必然趨勢。而硅基微電子代工廠加工電路的絕大部分成熟工藝是基于體硅襯底的，重新開發(fā)基于SOI襯底的工藝又需要一定的開發(fā)周期。因此開發(fā)SOI和體硅混合晶圓襯底以作為光路電路單片集成芯片的襯底，即可以滿足光路電路單片集成中的光路部分對SOI晶圓襯底的需要，也可以滿足其電路...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。