技術(shù)編號(hào)：11586388
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體裝置及集成電路制造，并且特別的是，涉及集合體(assembly)，其包括上覆半導(dǎo)體絕緣體(SOI)襯底的裝置層、及取代SOI襯底的握把晶圓的取代襯底，此外還有關(guān)于將SOI襯底的裝置層從SOI襯底的握把晶圓移送至取代襯底的方法。背景技術(shù)使用上覆半導(dǎo)體絕緣體技術(shù)制造的裝置與主體硅襯底中直接建置的對(duì)照裝置相比較，可呈現(xiàn)某些效能提升。大體上，SOI晶圓包括半導(dǎo)體材料的薄裝置層、握把晶圓、以及薄埋置型絕緣體層，例如：埋置型氧化物或BOX層，其使得裝置層與握把晶圓實(shí)體分離并且電氣隔離。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。