技術(shù)編號:11555332
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及IGBT模塊冷卻領(lǐng)域,特別是涉及一種用于IGBT模塊的冷卻裝置。背景技術(shù)絕緣柵雙極晶體管(IGBT),簡稱IGBT模塊。隨著IGBT模塊的不斷發(fā)展,要求IGBT模塊的集成度越來越高,但是高的集成度必定伴隨著大量的發(fā)熱。IGBT芯片模塊在工作中,熱流密度大,升溫速度快,熱量容易在電子元件內(nèi)部大量堆積,而電子元件的使用壽命隨著使用溫度的提高呈現(xiàn)大幅下降的趨勢。特別是當(dāng)溫度超過特定溫度,元件會直接燒壞。傳統(tǒng)的IGBT發(fā)熱元器件普遍采用風(fēng)冷散熱模式,由于空氣的比熱容較小,通過空氣帶走的熱量...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。