技術(shù)編號：11531158
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，例如，是適用于具備SRAM電路(StaticRandomAccessMemory：靜態(tài)隨機存取存儲器)的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)為了降低SRAM電路在待機時的漏電流，將存儲器陣列的接地布線的電位設(shè)定為比接地電位(0V)高的電位(電源電位和接地電位之間的電位)是有效的。由此，能夠降低構(gòu)成存儲器單元的斷開狀態(tài)的MOS(MetalOxideSemiconductor：金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的亞閾值漏電流。例如，日本特開2004-206745號公報(專利文獻1)中，通過設(shè)置控制接地布...
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