技術(shù)編號(hào):11486400
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型屬于電離輻射效應(yīng)實(shí)驗(yàn)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種點(diǎn)狀放射源照射器。背景技術(shù)點(diǎn)狀γ放射源輻照裝置是輻射效應(yīng)研究常用裝置之一,主要用于低、中等劑量率范圍內(nèi)微電子材料/器件抗輻射加固考核、高分子材料輻射改性和醫(yī)療滅菌等研究領(lǐng)域。點(diǎn)源等(吸收)劑量率面是以放射源為中心的系列同心圓面??紤]樣品多為平面形(如集成電路板等),實(shí)際使用的輻照面是同心圓球上的切平面,GJB5422-2005和GJB548B-2005要求輻照平面的劑量率不均勻度U≤10%,使得在輻照面規(guī)格受空間條件限制。目前,用于電離輻射效應(yīng)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。