技術(shù)編號:11470573
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造領(lǐng)域,特別涉及聚酰亞胺襯底上的氮化鎵基薄膜及其制備方法,具體是以聚酰亞胺(Polyimide,PI)為襯底,首先使用電子回旋共振-等離子體增強金屬有機物化學(xué)氣相沉積(ECR-PEMOCVD)方法在聚酰亞胺襯底上依次制備第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層,接著使用磁控濺射方法在第二氧化硅層上制備Ni層,然后使用ECR-PEMOCVD方法在Ni層與第二氧化硅層的界面上制備石墨烯層,再使用濕法腐蝕方法去除Ni層,最后使用ECR-PEMOCVD方法在石墨烯層上依次制備...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。