技術(shù)編號：11470561
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種CuI納米結(jié)構(gòu)的制備方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種CuI納米結(jié)構(gòu)的制備方法，屬于半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)CuI是一種直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.1eV，激子束縛能高達(dá)約62meV。CuI材料在可見光區(qū)具有較高的透過率(80％)。由于CuI材料一般存在過剩的碘離子而造成銅空位缺陷，因此表現(xiàn)出p型導(dǎo)電性，且具有較高的空穴遷移率(>40cm2V-1s-1)。此外，CuI還具有無毒、儲量豐富、成本低廉的優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)使得CuI材料在太陽能電池、光電探測器、光電學(xué)傳感器、顯示器件及透...
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