技術編號：11454537
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明具體涉及一種氮化鎵(GaN)納米顆粒的制備方法。背景技術GaN具有纖鋅礦和閃鋅礦兩種結構，化學性質穩(wěn)定，在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿。GaN熔點較高，約為1700℃，硬度較大，是一種良好的涂層保護材料。GaN禁帶寬度高達3.39eV，熱導率高、耐高溫，耐高電壓，適合用于制作大功率電子器件以及藍、綠光和紫外光發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)等光學器件。此外，GaN在工業(yè)催化領域有望用來替代或部分替代貴金屬等，具有重要的應用前景。文獻(ThermalNon-OxidativeAro...
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