技術(shù)編號(hào)：11452810
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有能夠被調(diào)諧的發(fā)射光譜的光源。背景技術(shù)半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備（包括發(fā)光二極管（LED）、諧振腔發(fā)光二極管（RCLED）、垂直腔激光二極管（VCSEL）和邊緣發(fā)射激光器）是當(dāng)前可用的最高效的光源之一。當(dāng)前在能夠跨可見光譜操作的高亮度發(fā)光設(shè)備的制造中感興趣的材料系統(tǒng)包括III-V族半導(dǎo)體，特別是鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金，其也被稱作III族氮化物材料。典型地，III族氮化物發(fā)光設(shè)備通過下述來制作：借由金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技術(shù)，在藍(lán)寶石、碳化...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。