技術(shù)編號：11452472
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。用于在原始結(jié)構(gòu)上生成碳層的方法以及微機電或半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)背景技術(shù)在文獻中描述了將碳層涂覆在MEMS（=微機電傳感器）-襯底或者半導(dǎo)體襯底上的不同的方法。比如，公知的是借助于膠粘帶使碳層從石墨塊或者HOPG（高取向熱解石墨（HighlyOrientedPyrollyticGraphite））分離、將所述層傳輸?shù)揭r底上并且緊接著松開膠粘帶。利用該方法只能在襯底上生成相對隨機地放置和取向的碳薄片。此外，還涉及一種要手動執(zhí)行的方法，使得所述方法不適合于工業(yè)的以及尤其是大規(guī)模應(yīng)用。也公知的是有機材料在襯底上的...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。