技術編號：11406231
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種在光致抗蝕劑剝離工序中使附著于基板的抗蝕劑容易剝離的抗蝕劑剝離液組合物。背景技術光致抗蝕劑(Photoresist)是利用通過光的光化學反應將預先畫在光掩模(Photomask)的微細圖案能夠顯影到所需基板上的化學被膜，是與光掩模一起應用于曝光技術的高分子材料，被認為是對元件的集成度直接帶來影響并決定最終的分辨率極限的主要因子。根據又名摩爾定律(Moore'slaw；半導體的集成度每2年增加2倍的理論)，為了將每年增加的電路的集成度放入大小限定的半導體，需要將設計的電路進行更小的圖...
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