技術(shù)編號:11401186
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種利用化學氣相沉積法生產(chǎn)CVDZnS塊體材料的設備,尤其是涉及一種雙面均勻沉積CVDZnS塊體材料的設備。背景技術(shù)硫化鋅(ZnS)多晶塊體材料是一種用途廣泛的寬帶隙Ⅱ一VI族半導體光學材料,在8-12μm波段透過率高,熱等靜壓處理后可同時覆蓋可見、中遠紅外波段,具有良好的多光譜特性和圖像傳輸性能。該材料生產(chǎn)成本低,硬度高,抗惡劣環(huán)境能力強,具有優(yōu)異的機械性能和光學性能,可以用來制作高速飛行器紅外窗口、紅外成像系統(tǒng)和多光譜精確制導系統(tǒng)的整流罩等。目前,常用化學氣相沉積法(CVD)制備硫...
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