技術編號：11289702
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及具有IGBT、二極管等功率半導體元件的半導體裝置。背景技術現(xiàn)有的溝槽柵型IGBT及PIN二極管等縱向型的半導體裝置具有縱向構造區(qū)域。作為縱向構造區(qū)域，例如，在IGBT的情況下，想到的是在N型的漂移層包含N型的緩沖層及P型的集電極層的區(qū)域，在二極管的情況下，想到的是在N型的漂移層包含N型的緩沖層、N+陰極層的區(qū)域。作為具有縱向構造區(qū)域的IGBT，例如在專利文獻1中進行了公開。另外，就具有縱向構造區(qū)域的IGBT及二極管等現(xiàn)有的縱向型半導體裝置而言，對于制造半導體裝置的Si晶片，使用的是通過...
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