技術(shù)編號：11061878
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種濺射裝置及其操作方法。背景技術(shù)濺射是制造半導(dǎo)體集成芯片時用于形成金屬及相關(guān)物質(zhì)沉積層的通用生產(chǎn)流程，同時也用于在其他類型的面板上形成被覆材料沉積層。濺射裝置包括一個攜帶相對磁極永磁體的磁控管。該磁控管包括多種形式或模式以便在芯片或其他類型的面板上形成合適的金屬或其他材料沉積。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明實施例提供一種濺射裝置，其包括磁控管結(jié)構(gòu)體，被配置為按照預(yù)定的侵蝕率分布侵蝕標(biāo)靶，所述預(yù)定的侵蝕率分布以所述磁控管結(jié)構(gòu)體的中心軸為對稱軸對稱分布，并且包括：所述中心軸附近的第一峰值；以及位于距離所...
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