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一種高壓mos器件柵氧層完整性測試結(jié)構(gòu)的制作方法技術資料下載

技術編號:10908691

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可靠性測試作為評估半導體器件性能的一種手段,在半導體器件的制造過程中承擔著重要的作用。一般來說,經(jīng)過可靠性測試的半導體器件才會投入大規(guī)模的生產(chǎn)制造中。 柵氧化層完整性(Gate Oxide Integrity,G0I)檢測是業(yè)界較常采用的一種可靠性測試項目。通常使用斜坡電壓(V-ramp)測試來對于半導體器件的柵氧化層完整性進行檢測。通過斜坡電壓測試可以反映被測半導體器件在斜坡電壓應力下的擊穿特性等,從而對檢測半導體器件的柵氧化層完整性起到參考作用。斜坡電...
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