技術(shù)編號(hào)：10800429
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前晶體硅太陽(yáng)電池產(chǎn)業(yè)中仍舊占據(jù)著90%的市場(chǎng)份額，表明該種太陽(yáng)電池具有著強(qiáng)大的生命力和競(jìng)爭(zhēng)力。在其傳統(tǒng)制備工藝中，需要使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方法在發(fā)射極表面沉積一層SiNx薄膜用于鈍化硅片表面和降低硅片表面反射。目前生產(chǎn)常用的鍍膜沉積設(shè)備為管式低頻PECVD，由于不同機(jī)臺(tái)的差異性，乃至于同機(jī)臺(tái)硅片所處爐管位置的不同，硅片沉積薄膜的厚薄存在一定的差異性。薄膜厚度會(huì)帶來(lái)電池鈍化效果以及減反射效果的不一致，更為直觀的影響是電池外觀的不一致...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。