技術(shù)編號：10727084
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。由于受到供電三極管尺寸的限制，當(dāng)前的磁性隨機(jī)存取存儲器的存儲密度低于傳統(tǒng)的Flash及DRAM等。為了提高磁性存儲器的存儲密度，一種行之有效的辦法就是利用多態(tài)的磁性隧道結(jié)存儲位元，在一個存儲器位元里面存儲多個信息比特。然而，多態(tài)的存儲器位元較難進(jìn)行信息的寫入再編程，單獨(dú)使用磁場或者電流的寫入方法都面臨著多個態(tài)之間的串?dāng)_，難以正確實(shí)現(xiàn)編程。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為克服上述的不足之處，目的在于提供，本發(fā)明基于磁性隨機(jī)存取存儲器的原理，提出了一種對采用磁性隧道結(jié)作為信息...
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