技術(shù)編號(hào):10614624
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。基于三族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料的UV-LED在殺菌消毒、聚合物固化、生化探測(cè)、非視距通訊及特種照明等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。相比于傳統(tǒng)紫外光源汞燈,UV-LED有著無汞環(huán)保、小巧便攜、低功耗、低電壓等許多優(yōu)勢(shì)。對(duì)于AlGaN基UV-LED,不對(duì)稱的電子和空穴濃度會(huì)導(dǎo)致注入到有源區(qū)的電子很容易溢出到P型區(qū),降低了量子阱中的有效復(fù)合發(fā)光,引起P型區(qū)的長(zhǎng)波寄生復(fù)合發(fā)光。如圖3所示,具有較高Al組分的AlGaN阻擋層306結(jié)構(gòu)經(jīng)常被用于解決這一問題。但如圖2所示,...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。