技術(shù)編號(hào)：10573552
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 作為提高高分子基材的阻氣性的技術(shù)，公開了例如，使用含有有機(jī)硅化合物的蒸 氣與氧氣的氣體，通過等離子體CVD法而在高分子基材上，形成將娃氧化物作為主成分，含 有碳、氫、硅和氧中的至少1種的化合物的層，從而維持透明性的同時(shí)提高阻氣性的技術(shù)(專 利文獻(xiàn)1 (參照權(quán)利要求））。此外，作為其它提高阻氣性的技術(shù)，公開了通過在基板上將包含 環(huán)氧化合物的有機(jī)層與由等離子體CVD法形成的硅系氧化物層交替地進(jìn)行多層疊層，從而 形成防止了由膜應(yīng)力引起的裂紋和缺陷產(chǎn)生的多層疊層...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。