技術(shù)編號：10554381
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。耐壓500V的LDMOS既具有分立器件高壓大電流特點(diǎn)，又汲取了低壓集成電路高密度智能邏輯控制的優(yōu)點(diǎn)，單芯片實(shí)現(xiàn)原來多個芯片才能完成的功能，大大縮小了面積，降低了成本，提高了能效，符合現(xiàn)代電力電子器件小型化、智能化、低能耗的發(fā)展方向。搭載在該平臺上的500V JFET作為驅(qū)動電路的重要器件，其擊穿電壓作為衡量500V JFET的關(guān)鍵參數(shù)而顯得尤為重要。常規(guī)500V JFET器件結(jié)構(gòu)如圖1所示，位于場氧103下的P阱104與其下方的Ptop層105a(或稱為P...
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