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技術(shù)編號(hào)：10513877

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Fin-FET是具有鰭型溝道結(jié)構(gòu)的晶體管，它利用薄鰭的幾個(gè)表面作為溝道，從而可以防止傳統(tǒng)晶體管中的短溝道效應(yīng)，同時(shí)可以增大工作電流。目前，在FinFet的器件制造工藝中，為了增加載流子的迀移率以滿足器件速度的要求，通常在NMOS和PMOS晶體管的源漏區(qū)域中引入不同的材料，以將壓力引入溝道。通常的做法是，對(duì)于PMOS器件，在鰭的源漏區(qū)域上外延生長出SiGe的應(yīng)力層，由于SiGe晶格常數(shù)大于Si，故該應(yīng)力層會(huì)對(duì)溝道區(qū)施加壓力；對(duì)于NMOS器件，在鰭的源漏區(qū)域上...
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