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技術(shù)編號：10300230

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在先進(jìn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)產(chǎn)業(yè)中，隨著22nm及更小尺寸的到來，為了改善短溝道效應(yīng)并提高器件的性能，鰭式場效應(yīng)晶體管(Fin Field-effect transistor,FinFET)由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)被廣泛的采用。FinFET是一種特殊的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，其結(jié)構(gòu)通常是在絕緣體上硅基片上形成，包括狹窄而獨(dú)立的硅條，作為垂直的溝道結(jié)構(gòu)，也稱為鰭片，在鰭片的兩側(cè)設(shè)置有柵極結(jié)構(gòu)。具體如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的一種FinFET的結(jié)構(gòu)包括襯底10...
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