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雙柵形高壓mos集成電路的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:10044

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本實用新型屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域,是一種高壓MOS集成電路。在高壓NMOS器件組成的高壓NMOS集成電路中,由于高壓NMOS器件常常出現(xiàn)負(fù)阻擊穿現(xiàn)象,因而使NMOS器件的安全工作區(qū)和可靠性受到了很大的限制。國際上采用外延襯底材料減小襯底電阻,或者采用“屏蔽源”的源結(jié)構(gòu)抑制寄生雙極晶體管激活,使負(fù)阻擊穿受到抑制。由于“屏蔽源”結(jié)構(gòu)的高壓NMOS器件需要單獨光刻,用離子注入形成漏漂移區(qū),用雙離子注入形成源區(qū)為N+/P+形式的“屏蔽源”結(jié)構(gòu),用P+層減小寄生雙極晶體管N+發(fā)射區(qū)的發(fā)射效率,從而減小寄生雙極晶體管的電流...
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