一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試設(shè)備及方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試設(shè)備及方法。該設(shè)備包括測(cè)試腔體、拍攝設(shè)備及測(cè)試電路，其中，測(cè)試腔體內(nèi)設(shè)置承載平板/架和拍攝設(shè)備，測(cè)試電路連接至承載平板/架，用于電連接承載平板/架上的待測(cè)試物體，并對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試；拍攝設(shè)備用于在測(cè)試電路對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試的至少部分時(shí)間內(nèi)，對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行光學(xué)測(cè)試。通過(guò)這種設(shè)備和方法，實(shí)現(xiàn)了一臺(tái)設(shè)備上可以同時(shí)進(jìn)行電學(xué)測(cè)試和光學(xué)測(cè)試的目的，降低成本，提高工作效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試設(shè)備及方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及材料透濕性測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試設(shè)備及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED器件具有對(duì)比度高、色域廣、柔性、輕薄、節(jié)能等突出優(yōu)點(diǎn)，在顯示領(lǐng)域有著光明的前景，但是，OLED器件中用于形成金屬陰極的活潑金屬對(duì)空氣中的水汽和氧氣非常敏感，非常容易與滲透進(jìn)來(lái)的水汽發(fā)生反應(yīng)，影響電荷的注入。另外，滲透進(jìn)來(lái)的水汽和氧氣還會(huì)與有機(jī)材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，這些反應(yīng)是引起OLED器件性能下降、OLED器件壽命縮短的主要因素，因此，封裝技術(shù)尤其是封裝材料的透濕性對(duì)OLED器件非常重要。目前，對(duì)封裝材料的透濕性測(cè)試方法主要包括對(duì)封裝材料的水汽透過(guò)濾的電性測(cè)試和光學(xué)測(cè)試，但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，這兩種測(cè)試方法只能進(jìn)行單一測(cè)定，一種設(shè)備只能進(jìn)行一種測(cè)試，成本高，效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要提供一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試設(shè)備及方法，旨在解決一種設(shè)備對(duì)封裝材料的水汽透過(guò)濾只能進(jìn)行一種測(cè)試方法而產(chǎn)生的成本高、效率低的問(wèn)題。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試設(shè)備，該設(shè)備包括:測(cè)試腔體、拍攝設(shè)備及測(cè)試電路，
[0005]其中，測(cè)試腔體內(nèi)設(shè)置承載平板/架和所述拍攝設(shè)備；
[0006]測(cè)試電路連接至所述承載平板/架，用于電連接所述承載平板/架上的待測(cè)試物體，并對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試；
[0007]拍攝設(shè)備用于在測(cè)試電路對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試的至少部分時(shí)間內(nèi)，對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行光學(xué)測(cè)試。
[0008]其中，進(jìn)一步包括:
[0009]光源；
[0010]其中，承載平板/架安放待測(cè)試物體的區(qū)域透光，且位于光源與拍攝設(shè)備的光路之間。
[0011]其中，進(jìn)一步包括:
[0012]承載平板/架設(shè)置有連接/接插待測(cè)試物體的電極，電極與測(cè)試電路連接。
[0013]其中，電極包括正負(fù)電極，分別位于承載平板/架兩端。
[0014]其中，電性測(cè)試包括測(cè)試待測(cè)試物體電壓、電流及電阻中至少一種。
[0015]其中，光學(xué)測(cè)試包括測(cè)試待測(cè)試物體的透光率、透光陰影、發(fā)光缺陷中至少一種。
[0016]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試方法，該方法包括:
[0017]提供測(cè)試腔體、拍攝設(shè)備及測(cè)試電路，測(cè)試腔體內(nèi)設(shè)置承載平板/架和拍攝設(shè)備，測(cè)試電路連接至承載平板/架，用于電連接承載平板/架上的待測(cè)試物體；
[0018]利用測(cè)試電路對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試，且利用拍攝設(shè)備在測(cè)試電路對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試的至少部分時(shí)間內(nèi)對(duì)，對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行光學(xué)測(cè)試。
[0019]其中，進(jìn)一步包括:
[0020]對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行光學(xué)測(cè)試包括:
[0021]提供光源，使得承載平板/架位于光源與拍攝設(shè)備的光路之間；
[0022]利用拍攝設(shè)備采集自光源發(fā)出、并透過(guò)待測(cè)試物體的光線。
[0023]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明提供一種包括測(cè)試腔體、拍攝設(shè)備及測(cè)試電路的設(shè)備，其中，測(cè)試腔體內(nèi)設(shè)置承載平板/架和拍攝設(shè)備，測(cè)試電路連接至承載平板/架，用于電連接承載平板/架上的待測(cè)試物體，并對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試；拍攝設(shè)備用于在測(cè)試電路對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試的至少部分時(shí)間內(nèi)，對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行光學(xué)測(cè)試，通過(guò)該設(shè)備及方法，實(shí)現(xiàn)了一臺(tái)設(shè)備上可以同時(shí)進(jìn)行電學(xué)測(cè)試和光學(xué)測(cè)試的目的，降低成本，提高工作效率。
【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1是本發(fā)明封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試裝置一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2是本發(fā)明封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試裝置另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3是本發(fā)明封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試方法一實(shí)施方式的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明所提供的一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試設(shè)備及方法做進(jìn)一步詳細(xì)描述
[0028]參閱圖1，本發(fā)明一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試設(shè)備包括:測(cè)試腔體10、拍攝設(shè)備11、測(cè)試電路12及光源13。
[0029]其中，測(cè)試腔體10為一個(gè)恒溫恒濕的環(huán)境，本實(shí)施方案以恒溫恒濕箱為例。
[0030]測(cè)試腔體10內(nèi)設(shè)置承載平板/架101，在本實(shí)例中，承載平板/架101為一塊整體的平板/架。承載平板/架101上放置待測(cè)試物體102，測(cè)試電路12連接至承載平板/架101，用于電連接待測(cè)試物體102，其中待測(cè)試物體102為活潑金屬，導(dǎo)電性良好并易于與水蒸氣和氧氣發(fā)生反應(yīng)。
[0031]此外，承載平板/架1I上設(shè)置有電極13，用于連接/接插待測(cè)試物體1 2，電極1 3有正負(fù)電極，分別設(shè)置在承載平板/架101兩端，與待測(cè)試物體102兩端連接/接插，電極103與測(cè)試電路12連接。此時(shí)，測(cè)試電路12、電極103和待測(cè)試物體102形成一個(gè)電流回路，當(dāng)測(cè)試電路12通電時(shí)，電流從電極103和待測(cè)試物體102中通過(guò)，根據(jù)待測(cè)試物體102電流、電壓和電阻中至少一個(gè)的變化值，測(cè)試待測(cè)試物體102的電學(xué)特性。
[0032]進(jìn)一步地，拍攝設(shè)備11用于在測(cè)試電路12對(duì)待測(cè)試物體102進(jìn)行電性測(cè)試的至少部分時(shí)間內(nèi)，對(duì)待測(cè)試物體102進(jìn)行光學(xué)測(cè)試。光源13發(fā)出的光線被拍攝設(shè)備11接收，形成光路，拍攝設(shè)備11和光源13分別置于待測(cè)試物體102兩邊，且光源13和拍攝設(shè)備11之間形成的光路通過(guò)待測(cè)試物體102。
[0033]其中，承載平板/架101上放置待測(cè)試物體102的區(qū)域透光，光源13發(fā)出的光線通過(guò)承載平板/架101的透光區(qū)域穿透待測(cè)試物體102，被拍攝設(shè)備11接收，拍攝設(shè)備11可獲得包括但不限于待測(cè)試物體102的透過(guò)光強(qiáng)度及區(qū)域的信息，測(cè)試出待測(cè)試物體102的透光率、透光陰影、發(fā)光缺陷中至少一種的光學(xué)特性。
[0034]參閱圖2，本發(fā)明封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試設(shè)備另一實(shí)施方式包括:
[0035]在圖1所示技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，在承載平板/架201上安裝一個(gè)密封罩24，把待測(cè)試物體202與空氣隔開(kāi)，其中密封罩24包括金屬覆蓋層241、蓋板243及兩者之間的密封膠242。金屬覆蓋層241設(shè)置于承載平板/架201上，數(shù)量為二，分別位于承載平板/架201兩端并與待測(cè)試物體202兩端的電極203連接，蓋板243位于待測(cè)試物體202和拍攝設(shè)備21之間，蓋住待測(cè)試物體202，兩者之間涂滿(mǎn)密封膠242，其中，金屬覆蓋層201為導(dǎo)電性良好的金屬，密封膠242具有多孔性，蓋板243透光性良好，本實(shí)施案例蓋板243以玻璃蓋板為例。
[0036]使用時(shí)，測(cè)試電路22通電，與金屬覆蓋層241、電極203和待測(cè)試物體202形成電流回路;打開(kāi)光源23及拍攝設(shè)備21，光源23發(fā)出光線，經(jīng)過(guò)承載平板/架201上的透光區(qū)域照射到待測(cè)試物體202。與此同時(shí)，恒溫恒濕箱20里包含水蒸氣和氧氣的空氣通過(guò)具有多孔性的密封膠242進(jìn)入密封罩24內(nèi)，與待測(cè)試物體202接觸，并發(fā)生反應(yīng)，隨著時(shí)間的延續(xù)，待測(cè)試物體202逐漸變薄直至局部進(jìn)而全部透光。在此過(guò)程中，待測(cè)試物體202的電流、電阻及電壓發(fā)生變化，可以此測(cè)出待測(cè)試物體的電流、電阻及電壓中至少一項(xiàng)電學(xué)特性;與此同時(shí)，隨著待測(cè)試物體202的變薄并透光，光源23發(fā)出的光線可穿透待測(cè)試物體202，進(jìn)而通過(guò)玻璃蓋板243被上方的拍攝設(shè)備21接收，拍攝設(shè)備21可獲得包括但不限于待測(cè)試物體202的透過(guò)光強(qiáng)度及區(qū)域的信息，以此測(cè)試待測(cè)試物體202的透光率、透光陰影、發(fā)光缺陷中至少一種的光學(xué)特性。
[0037]對(duì)于測(cè)試待測(cè)試物體202的發(fā)光缺陷等來(lái)說(shuō)，光源23可以省略，拍攝設(shè)備21直接獲取待測(cè)試物體202的發(fā)光情況。
[0038]可以看出，在本發(fā)明實(shí)施案例中，在一個(gè)恒溫恒濕箱20內(nèi)，上述裝置在對(duì)待測(cè)試物體202進(jìn)行電學(xué)特性測(cè)試的時(shí)候可同時(shí)對(duì)待測(cè)試物體進(jìn)行光學(xué)特性測(cè)試，實(shí)現(xiàn)了一臺(tái)設(shè)備上可以同時(shí)進(jìn)行電學(xué)測(cè)試和光學(xué)測(cè)試的目的，降低了成本，提高了工作效率。
[0039]本實(shí)施案例中待測(cè)試物體202為活性金屬，在其他實(shí)施案例中，上述設(shè)備亦可將OLED樣品作為待測(cè)試物體202，進(jìn)行OLED樣品的在恒溫恒濕環(huán)境下對(duì)水蒸氣和氧氣的耐久性測(cè)試，此時(shí)，OLED樣品與電極203連接，測(cè)試電路22通電，OLED樣品發(fā)光，發(fā)出的光線穿過(guò)玻璃蓋板243被上方的拍攝設(shè)備21接收，恒溫恒濕箱20內(nèi)的水蒸氣和氧氣穿過(guò)密封膠242與OLED樣品的金屬電極發(fā)生反應(yīng)或破壞有機(jī)層，隨著時(shí)間的延續(xù)，OLED樣品的發(fā)光區(qū)域逐漸失效，暗點(diǎn)區(qū)域數(shù)量變多、面積變大，上方的拍攝設(shè)備21記錄變化的圖像，以此測(cè)試出OLED樣品對(duì)水蒸氣和氧氣的耐久性。
[0040]參閱圖1和圖3，本發(fā)明還提供了一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試方法，該方法使用圖1實(shí)施例中的裝置，包括:
[0041]S1:提供測(cè)試腔體10、拍攝設(shè)備11及測(cè)試電路12，測(cè)試腔體10內(nèi)設(shè)置承載平板/架101和拍攝設(shè)備11，測(cè)試電路12連接至承載平板/架101，用于電連接承載平板/架101上的待測(cè)試物體102;
[0042]S2:利用測(cè)試電路12對(duì)待測(cè)試物體102進(jìn)行電性測(cè)試，且利用拍攝設(shè)備11在測(cè)試電路12對(duì)待測(cè)試物體102進(jìn)行電性測(cè)試的至少部分時(shí)間內(nèi)對(duì)，對(duì)待測(cè)試物體102進(jìn)行光學(xué)測(cè)試。
[0043]其中，進(jìn)一步包括:
[0044]對(duì)待測(cè)試物體102進(jìn)行光學(xué)測(cè)試包括:
[0045]提供光源13，使得承載平板/架101位于光源13與拍攝設(shè)備11的光路之間；
[0046]利用拍攝設(shè)備11采集自光源13發(fā)出、并透過(guò)待測(cè)試物體12的光線。
[0047]S3:隨著時(shí)間的延續(xù)，記錄待測(cè)試物體102電流、電阻、電壓的數(shù)據(jù)變化，同時(shí)記錄拍攝設(shè)備11拍攝的圖像信息。
[0048]S4:根據(jù)S4所記錄的數(shù)據(jù)及信息計(jì)算出待測(cè)試物體102的電學(xué)特性和光學(xué)特性。
[0049]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試設(shè)備，其特征在于，包括:測(cè)試腔體、拍攝設(shè)備及測(cè)試電路； 其中，所述測(cè)試腔體內(nèi)設(shè)置承載平板/架和所述拍攝設(shè)備； 所述測(cè)試電路連接至所述承載平板/架，用于電連接所述承載平板/架上的待測(cè)試物體，并對(duì)所述待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試； 所述拍攝設(shè)備用于在所述測(cè)試電路對(duì)所述待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試的至少部分時(shí)間內(nèi)，對(duì)所述待測(cè)試物體進(jìn)行光學(xué)測(cè)試。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括: 光源； 其中，所述承載平板/架安放所述待測(cè)試物體的區(qū)域透光，且位于所述光源與所述拍攝設(shè)備的光路之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括: 所述承載平板/架設(shè)置有連接/接插所述待測(cè)試物體的電極，所述電極與所述測(cè)試電路連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于，所述電極包括正負(fù)電極，分別位于所述承載平板/架兩端。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述電性測(cè)試包括測(cè)試所述待測(cè)試物體電壓、電流及電阻中至少一種。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述光學(xué)測(cè)試包括測(cè)試所述待測(cè)試物體的透光率、透光陰影、發(fā)光缺陷中至少一種。7.一種封裝材料的水汽透過(guò)率測(cè)試方法，其特征在于，包括:提供測(cè)試腔體、拍攝設(shè)備及測(cè)試電路，所述測(cè)試腔體內(nèi)設(shè)置承載平板/架和所述拍攝設(shè)備，所述測(cè)試電路連接至所述承載平板/架，用于電連接所述承載平板/架上的待測(cè)試物體；利用所述測(cè)試電路對(duì)所述待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試，且利用所述拍攝設(shè)備在所述測(cè)試電路對(duì)所述待測(cè)試物體進(jìn)行電性測(cè)試的至少部分時(shí)間內(nèi)對(duì)，對(duì)所述待測(cè)試物體進(jìn)行光學(xué)測(cè)試。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括: 所述對(duì)所述待測(cè)試物體進(jìn)行光學(xué)測(cè)試包括: 提供光源，使得所述承載平板/架位于所述光源與所述拍攝設(shè)備的光路之間； 利用所述拍攝設(shè)備采集自所述光源發(fā)出、并透過(guò)所述待測(cè)試物體的光線。
【文檔編號(hào)】G01N15/08GK106092854SQ201610456983
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月21日
【發(fā)明人】沐俊應(yīng)
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司