烯醇（PVA)、乙烯-乙烯醇共聚物（EV0H)、聚 對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯（PBT)、聚對(duì)苯二甲酸環(huán)己烷二甲酯 (PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮（PEK)、聚醚醚酮（PEEK)、聚醚酰亞胺、聚縮醛（Ρ0Μ)、聚苯醚、 改性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、芳香族聚酯（液晶聚合物）、聚四氟乙烯、聚 偏二氟乙烯、其他氟系樹(shù)脂、苯乙烯系、聚烯烴系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、聚酯系、聚酰胺 系、聚丁二烯系、反式聚異戊二烯系、氟橡膠系、氯化聚乙烯系等各種熱塑性彈性體、環(huán)氧樹(shù) 月旨、酚醛樹(shù)脂、脲樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、不飽和聚酯、有機(jī)硅系樹(shù)脂、聚氨酯系樹(shù)脂、聚對(duì)亞 二甲苯（poly-para-xylylene)、聚一氯對(duì)亞二甲苯（poly-monochloro-para-xylylene)、 聚二氯對(duì)亞二甲苯（p〇ly -dichlor〇-para-xylylene)、聚一氟對(duì)亞 二甲苯（poly-monofluoro-para-xylylene)、聚單乙基對(duì)亞二甲苯 (poly-monoethyl-para-xylylene)等聚對(duì)亞二甲苯樹(shù)脂等、或以它們?yōu)橹鞯墓簿畚铩⒐不?物、聚合物合金等，能夠?qū)⑺鼈冎械?種或2種以上組合（例如作為共混樹(shù)脂、聚合物合金、 層疊體等）使用。
[0057] 〈防反射膜〉
[0058] 構(gòu)成防反射膜P2的二氧化硅顆粒P21的個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的平均粒徑?jīng)]有特別限定，但優(yōu) 選為0· 5nm以上4. Onm以下，更優(yōu)選為1. Onm以上2. Onm以下。
[0059] 由此，能夠容易且可靠地將防反射膜P2中的空隙率調(diào)整為上述范圍內(nèi)的值，并能 夠使光學(xué)部件P10的防反射功能、機(jī)械強(qiáng)度特別優(yōu)異。此外，還能夠使防霧性等特別優(yōu)異。
[0060] 如圖2所示，防反射膜P2中包含的二氧化硅顆粒P21在個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的粒度分布中， 優(yōu)選在1.5nm以上2. 5nm以下的范圍（第1范圍R1)內(nèi)具有第1極大值MV1，在3. 5nm以上 4. 5nm以下的范圍（第2范圍R2)內(nèi)具有第2極大值MV2,在7. 5nm以上8. 5nm以下的范圍 (第3范圍R4)內(nèi)具有第3極大值MV4。
[0061] 通過(guò)具有這樣的粒度分布，能夠容易且可靠地將防反射膜P2中的空隙率調(diào)整為 上述范圍內(nèi)的值，并能夠使光學(xué)部件P10的防反射功能、機(jī)械強(qiáng)度特別優(yōu)異。特別是，光學(xué) 部件P10的防反射功能顯著優(yōu)異。
[0062] 認(rèn)為能夠得到這種顯著效果的原因是：通過(guò)包含如上述那樣的粒度分布的二氧化 硅顆粒P21，發(fā)揮了更適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)干涉效果。
[0063] 另外，通過(guò)包含如上述那樣的粒度分布的二氧化硅顆粒P21，使光學(xué)部件P10的防 霧性也特別優(yōu)異。
[0064] 認(rèn)為能夠得到這種優(yōu)異的防霧性的原因是：通過(guò)包含如上述那樣的粒度分布的二 氧化娃顆粒P21，更適當(dāng)?shù)匦纬删?xì)的分形構(gòu)造。
[0065] 具有1. 5nm以上2. 5nm以下的粒徑的二氧化娃顆粒P21相對(duì)于構(gòu)成防反射膜P2 的二氧化硅顆粒P21的體積總和的比例（第1范圍R1中包含的二氧化硅顆粒P21的比例） 優(yōu)選為5體積％以上30體積％以下，更優(yōu)選為10體積％以上25體積％以下。
[0066] 由此，能夠使防反射膜P2的防反射功能特別優(yōu)異，并且能夠使防反射膜P2的強(qiáng) 度、光學(xué)部件P10的耐久性特別優(yōu)異。
[0067] 具有3. 5nm以上4. 5nm以下的粒徑的二氧化娃顆粒P21相對(duì)于構(gòu)成防反射膜P2 的二氧化硅顆粒P21的體積總和的比例（第2范圍R2中包含的二氧化硅顆粒P21的比例） 優(yōu)選為10體積％以上40體積％以下，更優(yōu)選為15體積％以上35體積％以下。
[0068] 由此，能夠使防反射膜P2的防反射功能特別優(yōu)異，并且能夠使防反射膜P2的強(qiáng) 度、光學(xué)部件P10的耐久性特別優(yōu)異。
[0069] 具有7. 5nm以上8. 5nm以下的粒徑的二氧化硅顆粒P21相對(duì)于構(gòu)成防反射膜P2 的二氧化硅顆粒P21的體積總和的比例（第3范圍R3中包含的二氧化硅顆粒P21的比例） 優(yōu)選為30體積％以上60體積％以下，更優(yōu)選為35體積％以上55體積％以下。
[0070] 由此，能夠使防反射膜P2的防反射功能特別優(yōu)異，并且能夠使防反射膜P2的強(qiáng) 度、光學(xué)部件P10的耐久性特別優(yōu)異。
[0071] 在個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的粒度分布中，第1極大值MV1存在的粒徑范圍只要是1. 5nm以上 2. 5nm以下的范圍即可，但優(yōu)選為1. 6nm以上2. 4nm以下的范圍，更優(yōu)選為1. 8nm以上2. 2nm 以下的范圍。由此，能夠使防反射膜P2的防反射功能等特別優(yōu)異。
[0072] 在個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的粒度分布中，第2極大值MV2存在的粒徑范圍只要為3. 5nm以上 4. 5nm以下的范圍即可，但優(yōu)選為3. 6nm以上4. 4nm以下的范圍，更優(yōu)選為3. 8nm以上4. 2nm 以下的范圍。由此，能夠使防反射膜P2的防反射功能等特別優(yōu)異。
[0073] 在個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的粒度分布中，第3極大值MV3存在的粒徑范圍只要為7. 5nm以上 8. 5nm以下的范圍即可，但優(yōu)選為7. 6nm以上8. 4nm以下的范圍，更優(yōu)選為7. 8nm以上8. 2nm 以下的范圍。由此，能夠使防反射膜P2的防反射功能等特別優(yōu)異。
[0074] 二氧化硅顆粒P21在個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的粒度分布中，優(yōu)選除了具有前述的第1極大值 MV1、第2極大值MV2和第3極大值MV3以外，還在5. 5nm以上6. 5nm以下的范圍（第4范 圍R4)內(nèi)具有第4極大值MV4。由此，能夠使防反射膜P2的防反射功能等特別優(yōu)異。
[0075] 具有5. 5nm以上6. 5nm以下的粒徑的二氧化娃顆粒P21相對(duì)于構(gòu)成防反射膜P2 的二氧化硅顆粒P21的體積總和的比例（第4范圍R4中包含的二氧化硅顆粒P21的比例） 優(yōu)選為20體積％以上30體積％以下，更優(yōu)選為22體積％以上28體積％以下。
[0076] 由此，能夠使防反射膜P2的防反射功能特別優(yōu)異，并且能夠使防反射膜P2的強(qiáng) 度、光學(xué)部件P10的耐久性特別優(yōu)異。
[0077] 在個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的粒度分布中，第4極大值MV4存在的粒徑范圍只要為5. 5nm以上 6. 5nm以下的范圍即可，但優(yōu)選為5. 6nm以上6. 4nm以下的范圍，更優(yōu)選為5. 8nm以上6. 2nm 以下的范圍。由此，能夠使防反射膜P2的防反射功能等特別優(yōu)異。
[0078] 在本發(fā)明中，粒度分布的測(cè)量例如能夠使用動(dòng)態(tài)光散射法、激光衍射法、圖像成像 法、重力沉降法等各種方法進(jìn)行，但優(yōu)選使用激光衍射法進(jìn)行。
[0079] 由此，能夠更簡(jiǎn)便地求出粒度分布。此外，在干式、濕式的任意一種情況下，都能夠 適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行測(cè)量，能夠使一次可處理的試樣量較多。
[0080] 作為能夠用于粒度分布測(cè)量的裝置，例如能夠舉出（株）島津制作所制造的單納 米粒徑測(cè)量器（IG - 1000)等。
[0081] 防反射膜P2中的二氧化硅顆粒P21的含有率（相對(duì)于整體固體成分的含有率） 優(yōu)選為80體積％以上，更優(yōu)選為90體積％以上99. 5體積％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為92體積％ 以上99體積％以下。由此，能夠使防反射膜P2的防反射功能等特別優(yōu)異。
[0082] 防反射膜P2只要是包含二氧化硅顆粒P21即可，但在圖示的結(jié)構(gòu)中，還包含導(dǎo)電 性顆粒P22。
[0083] 這樣，如果防反射膜P2包含導(dǎo)電性顆粒P22,則光學(xué)部件P10整體發(fā)揮抗靜電功 能。其結(jié)果，例如能夠防止靜電導(dǎo)致的灰塵等的附著，光學(xué)部件P10能夠穩(wěn)定地發(fā)揮本來(lái)所 具有的光學(xué)特性。此外，在將具有這樣的防反射膜P2的光學(xué)部件P10例如作為鐘表用玻璃 罩等鐘表用部件使用時(shí)，能夠更可靠地防止時(shí)針等指針的靜電帶來(lái)的變形。其結(jié)果，能夠更 有效地防止具有該鐘表用部件的鐘表的故障等。另外，這樣的抗靜電功能能夠通過(guò)在具有 規(guī)定的空隙率的防反射膜P2中一并使用二氧化硅顆粒P21和導(dǎo)電性顆粒P22得到，例如， 在一并使用致密的防反射膜（由具有多層如以往那樣的致密的層（通過(guò)氣相成膜法形成的 層）的多層膜構(gòu)成的防反射膜）和導(dǎo)電性顆粒時(shí)等無(wú)法得到。
[0084] 導(dǎo)電性顆粒P22只要由具有導(dǎo)電性的材料構(gòu)成即可，但導(dǎo)電性顆粒P22的構(gòu)成材 料的體積電阻率優(yōu)選為1〇〇 Ω cm以下。由此，能夠使光學(xué)部件P10的抗靜電特性特別優(yōu)異。
[0085] 此外，導(dǎo)電性顆粒P22優(yōu)選為透明的材料。由此能夠更可靠地防止對(duì)光學(xué)部件P10 的視覺(jué)辨認(rèn)性帶來(lái)不良影響。
[0086] 此外，導(dǎo)電性顆粒P22優(yōu)選為金屬氧化物。由于金屬氧化物通常具有優(yōu)異的化學(xué) 穩(wěn)定性，所以能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定地發(fā)揮抗靜電功能，能夠使光學(xué)部件P10的耐久性特別優(yōu)異。
[0087] 作為滿足上述條件的導(dǎo)電性顆粒P22的構(gòu)成材料，例如能夠舉出ln203、ZnO、CdO、 Ga203、Sn02#、或在這些中摻入錫（Sn)、銻（Sb)、鋁（A1)、鎵（Ga)等的材料（例如，ΙΤ0(摻 Sn的Ιη203)、ΑΖ0(摻Α1的ZnO)、GZ0(摻Ga的ΖηΟ)等）、包含從這些中選擇的2個(gè)以上的 材料（例如，120(111 203-2110)、1620(111203-63 203-2110)等）等。其中，導(dǎo)電性顆粒？22的構(gòu)成 材料優(yōu)選為Sn02。Sn0 2F僅具有較高的透明性，還具有比較低的折射率，所以給防反射特性 帶來(lái)的影響較小。此外，Sn02K較價(jià)廉，且也能夠容易且穩(wěn)定地獲得如之后說(shuō)明那樣的粒徑 的 Sn02。
[0088] 導(dǎo)電性顆粒P22的個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的平均粒徑?jīng)]有特別限定，但優(yōu)選為0. 3nm以上10nm 以下，更優(yōu)選為〇· 7nm以上6. Onm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1. Onm以上3. Onm以下。
[0089] 由此，能夠使防反射膜P2的防反射功能優(yōu)異，并且使抗靜電功能特別優(yōu)異。此外， 能夠使防反射膜P2的強(qiáng)度、光學(xué)部件P10的耐久性特別優(yōu)異。
[0090] 在將二氧化硅顆粒P21的個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的平均粒徑設(shè)為Ds[nm]，并將導(dǎo)電性顆粒P22 的個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的平均粒徑設(shè)為D e[nm]時(shí)，優(yōu)選滿足0. 1彡De/Ds< 0. 6的關(guān)系，更優(yōu)選滿足 0. 2彡Dc/Ds< 0. 5的關(guān)系，進(jìn)一步優(yōu)選滿足0. 3彡D C/Ds< 0. 4的關(guān)系。
[0091] 通過(guò)滿足這樣的關(guān)系，能夠使防反射膜P2中的二氧化硅顆粒P21與導(dǎo)電性顆粒 P22的混合狀態(tài)更恰當(dāng)，能夠使光學(xué)部件P10的抗靜電功能特別優(yōu)異。此外，能夠使防反射 膜P2的強(qiáng)度、光學(xué)部件P10的耐久性特別優(yōu)異。此外，還能夠使防反射膜P2的防反射功