電子照相感光構(gòu)件及其生產(chǎn)方法，處理盒和電子照相設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件、該電子照相感光構(gòu)件的生產(chǎn)方法和包括該電子照 相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 安裝在處理盒或電子照相設(shè)備中的電子照相感光構(gòu)件的實(shí)例包括支承體、含金屬 氧化物顆粒并設(shè)置在支承體上的底涂層，和設(shè)置在底涂層上的感光層。
[0003] 在近年來(lái)廣泛使用的數(shù)字圖像形成中，當(dāng)已轉(zhuǎn)化為數(shù)字電信號(hào)的圖像信息寫(xiě)在感 光構(gòu)件上作為靜電潛像時(shí)，激光特別是半導(dǎo)體激光或發(fā)光二極管（LED)用作光源。然而，在 使用激光束的靜電潛像形成中，可能有由于電子照相感光構(gòu)件表面上的反射而產(chǎn)生干涉條 紋這樣特別的圖像問(wèn)題。
[0004] 為了抑制此類干涉條紋，日本專利特開(kāi)2007-187771公開(kāi)了其中具有不同平均粒 徑的兩種金屬氧化物顆粒分散在樹(shù)脂中的一種底涂層。日本專利特開(kāi)2008-299020公開(kāi)了 一種含氧化鈦、用反應(yīng)性有機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處理的氧化鋅和粘結(jié)劑樹(shù)脂的底涂層。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 根據(jù)本發(fā)明的第一方面的電子照相感光構(gòu)件包括支承體、支承體上的底涂層，和 底涂層上的感光層。底涂層含有用有機(jī)金屬化合物或有機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處理的氧化鋅 顆粒，和用有機(jī)金屬化合物或有機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處理的氧化鈦顆粒。氧化鈦顆粒的平 均一次粒徑為l〇〇nm以上且600nm以下。由下式（1)表示的氧化鈦顆粒的體積比為1. 0以 上且25以下。
[0006]
(1)
[0007] 在式（1)中，R1表示氧化鋅顆粒的平均一次粒徑，R2表示氧化鈦顆粒的平均一次 粒徑，S1表示底涂層的每單位面積中氧化鋅顆粒的面積相對(duì)于氧化鋅顆粒和氧化鈦顆粒的 總面積之比，并且S2表示底涂層的每單位面積中氧化鈦顆粒的面積相對(duì)于氧化鋅顆粒和 氧化鈦顆粒的總面積之比。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的第二方面的處理盒可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體。所述處理 盒包括根據(jù)本發(fā)明的第一方面的電子照相感光構(gòu)件，和選自由充電裝置、顯影裝置和清潔 裝置組成的組的至少一種裝置。所述電子照相感光構(gòu)件和所述至少一種裝置被一體化地支 承。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的第三方面的電子照相設(shè)備包括根據(jù)本發(fā)明的第一方面的電子照相 感光構(gòu)件、充電裝置、曝光裝置、顯影裝置和轉(zhuǎn)印裝置。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的第四方面的電子照相感光構(gòu)件包括支承體、支承體上的底涂層，和 底涂層上的感光層。所述底涂層含有用有機(jī)金屬化合物或有機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處理的氧 化鋅顆粒，和氧化鈦顆粒。所述氧化鈦顆粒的平均一次粒徑為lOOnm以上且600nm以下。由 上述式（1)表示的氧化鈦顆粒的體積比為1. 〇以上且25以下。氧化鈦顆粒滿足下式（2)。
[0011] D1/R2 彡 1.2 (2)
[0012] 在式（2)中，D1表示底涂層中的氧化鈦顆粒的圓當(dāng)量直徑，并且R2的定義與上述 式（1)中的R2相同。
[0013] 本發(fā)明進(jìn)一步的特征將從參照附圖的示例性實(shí)施方案的以下記載中變得明顯。
【附圖說(shuō)明】
[0014] 圖1是說(shuō)明包括含有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子 照相設(shè)備的示意結(jié)構(gòu)的實(shí)例的視圖。
[0015] 圖2A和2B是說(shuō)明電子照相感光構(gòu)件的層結(jié)構(gòu)的實(shí)例的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016] 由本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行的檢驗(yàn)的結(jié)果顯示，在氧化鋅顆粒和氧化鈦顆粒分散在樹(shù) 脂中的底涂層中，在高溫高濕環(huán)境中反復(fù)使用所得的電子照相感光構(gòu)件時(shí)抑制黑點(diǎn)的效果 和抑制電位變化的效果并不充分。認(rèn)為氧化鋅顆粒和氧化鈦顆粒由于分散不良而聚集，并 因此抑制電位變化的效果和抑制黑點(diǎn)的效果變得不充分。
[0017] 本發(fā)明提供抑制干涉條紋產(chǎn)生，并且當(dāng)在高溫高濕環(huán)境中反復(fù)使用時(shí)具有良好的 抑制黑點(diǎn)的效果和良好的抑制電位變化的效果的一種電子照相感光構(gòu)件，并提供所述電子 照相感光構(gòu)件的生產(chǎn)方法。
[0018] 本發(fā)明提供包括電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的電子照相感光構(gòu)件包括支承體、支承體上的底涂層，和 底涂層上的感光層。底涂層含有氧化鋅顆粒和氧化鈦顆粒。
[0020] 氧化鋅顆粒是用有機(jī)金屬化合物或有機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處理的顆粒。氧化鈦顆 粒的平均一次粒徑為lOOnm以上且600nm以下。氧化鈦顆?？梢允怯糜袡C(jī)金屬化合物或有 機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處理的顆粒。
[0021] 由下式（1)表示的氧化鈦顆粒的體積比為1. 0以上且25以下。
[0022]
(1)
[0023] 在式（1)中，R1表示氧化鋅顆粒的平均一次粒徑。R2表示氧化鈦顆粒的平均一次 粒徑。S1表示底涂層的每單位面積中氧化鋅顆粒的面積相對(duì)于氧化鋅顆粒和氧化鈦顆粒的 總面積之比。S2表示底涂層的每單位面積中氧化鈦顆粒的面積相對(duì)于氧化鋅顆粒和氧化鈦 顆粒的總面積之比。
[0024] 關(guān)于為什么包括具有上述結(jié)構(gòu)的底涂層的電子照相感光構(gòu)件在高溫高濕環(huán)境中 反復(fù)使用時(shí)展現(xiàn)出良好的抑制黑點(diǎn)的效果和良好的抑制電位變化的效果，并抑制干涉條紋 產(chǎn)生的原因，本發(fā)明的發(fā)明人推測(cè)如下。
[0025] 為了抑制干涉條紋，改善支承體上缺陷的掩蔽性質(zhì)，并抑制黑點(diǎn)，將氧化鋅顆粒和 氧化鈦顆粒引入底涂層。作為由本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行研究的結(jié)果，有以下發(fā)現(xiàn)。當(dāng)以高含 量引入氧化鈦顆粒以便改善支承體上缺陷的掩蔽性質(zhì)并改善抑制干涉條紋的效果時(shí)，氧化 鈦顆粒傾向于聚集，并且通過(guò)反復(fù)使用容易產(chǎn)生電位變化和黑點(diǎn)。相反，當(dāng)減少底涂層中的 氧化鈦顆粒含量時(shí)，可抑制電位變化和黑點(diǎn)的產(chǎn)生。然而支承體上缺陷的掩蔽性質(zhì)是不充 分的，并且干涉條紋的產(chǎn)生可容易地發(fā)生。
[0026] 發(fā)現(xiàn)甚至當(dāng)氧化鈦顆粒的體積比在上述范圍內(nèi)時(shí)，掩蔽支承體上的缺陷的效果和 抑制干涉條紋的效果通過(guò)用有機(jī)金屬化合物或有機(jī)硅化合物處理氧化鈦顆粒和氧化鋅顆 粒的表面而充分展現(xiàn)。認(rèn)為它的原因如下所述。氧化鈦顆粒的表面處理改善氧化鈦顆粒的 分散性，并且氧化鈦顆粒均勻地存在于底涂層中。因此，即使在氧化鈦顆粒的體積比低的底 涂層中，也展現(xiàn)掩蔽支承體上的缺陷的效果和抑制干涉條紋的效果。還認(rèn)為由于氧化鈦顆 粒的體積比低，充分地抑制由于反復(fù)使用所致的電位變化和黑點(diǎn)形成。
[0027] 從導(dǎo)電性和抑制干涉條紋的角度，氧化鈦顆粒的平均一次粒徑為100nm以上且 600nm以下。當(dāng)平均一次粒徑小于lOOnm時(shí)，抑制干涉條紋的效果不充分，并且容易產(chǎn)生干 涉條紋。當(dāng)平均一次粒徑超過(guò)600nm時(shí)，底涂層中可能形成不均勻的導(dǎo)電路徑，并且容易發(fā) 生黑點(diǎn)的產(chǎn)生。
[0028] 本文中，作為用有機(jī)金屬化合物或有機(jī)硅化合物對(duì)氧化鈦顆粒表面處理的結(jié)果， 底涂層中的氧化鈦顆粒的分散狀態(tài)規(guī)定為滿足以下式（2)。
[0029] D1/R2 彡 1. 2 (2)
[0030] 在式（2)中，D1表示底涂層中氧化鈦顆粒的圓當(dāng)量直徑，且R2的定義與上述式 (1)中的R2(氧化鈦顆粒的平均一次粒徑）相同。
[0031] 假定底涂層中的一些氧化鈦顆粒以一次顆粒的形式存在，并且底涂層中的一些氧 化鈦顆粒相互聚集并以二次顆粒的形式存在。圓當(dāng)量直徑D1通過(guò)測(cè)定底涂層中氧化鈦顆 粒的一次顆粒和二次顆粒的投影面積、求得與具有與測(cè)定的一次顆粒和二次顆粒的投影面 積相等的面積的圓相當(dāng)?shù)闹睆?、并求直徑的平均值而確定。如式（2)所示，D1/R2是通過(guò)將 上文確定的D1除以氧化鈦顆粒的平均一次粒徑R2而求得，并代表底涂層中的聚集的氧化 鈦二次顆粒的比例的指標(biāo)。當(dāng)式（2)中的D1/R2為1. 2以下時(shí)，氧化鈦顆粒的二次顆粒的存 在率低，并且氧化鈦顆粒充分均勻地分散在底涂層中。相反，當(dāng)式（2)中的D1/R2超過(guò)1.2 時(shí)，氧化鈦顆粒的二次顆粒的存在率高，并且氧化鈦顆粒在底涂層中的分散不充分均勻。在 本發(fā)明中，當(dāng)式（2)中的D1/R2更多地小于1. 2時(shí)，氧化鈦顆粒的分散性更好。D1/R2的下 限沒(méi)有限制。當(dāng)?shù)淄繉又兴械难趸侇w粒以一次顆粒的形式存在時(shí)，式（2)中的D1/R2 變?yōu)槔硐氲南孪?。在那種情形下D1/R2的值為1.0。測(cè)定D1、R2等的詳細(xì)方法將在下文描 述。
[0032] 底涂層
[0033] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的底涂層含有氧化鋅顆粒和平均一次粒徑為lOOnm以上 且600nm以下的氧化鈦顆粒。氧化鋅顆粒是用有機(jī)金屬化合物或有機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處 理的顆粒。氧化鈦顆粒是有機(jī)金屬化合物或有機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處理的顆粒，或滿足以 上式⑵的顆粒。
[0034] 可采用任何已知方法作為氧化鋅顆粒和氧化鈦顆粒的表面處理方法。使用干法或 濕法。
[0035] 用于表面處理的材料為有機(jī)金屬化合物或有機(jī)硅化合物。其具體的實(shí)例包括硅烷 偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑、鋁偶聯(lián)劑和表面活性劑。在這些當(dāng)中，優(yōu)選硅烷偶聯(lián)劑，并且特別優(yōu) 選具有氨基的硅烷偶聯(lián)劑。
[0036] 硅烷偶聯(lián)劑的具體實(shí)例包括N-2_(氨基乙基）-3_氨基丙基甲基二甲氧基硅 烷、3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、（苯基氨基甲基）甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙 基）-3_氨基異丁基甲基二甲氧基硅烷、N-乙基氨基異丁基甲基二乙氧基硅烷、N-甲基氨基 丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二 乙氧基硅烷、（苯基氨基甲基）三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基）-3-氨基異丁基三甲氧基硅 烷、N-乙基氨基異丁基三乙氧基硅烷和N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷。然而，本發(fā)明不限 于此。這些硅烷偶聯(lián)劑可以兩種或更多種化合物的組合來(lái)使用。
[0037] 在表面處理通過(guò)干法進(jìn)行的情況下，當(dāng)使用具有高剪切應(yīng)力的混合器等攪拌金屬 氧化物顆粒時(shí)，將有機(jī)化合物直接地或以溶解在有機(jī)溶劑中溶液的形式逐滴添加或用干燥 空氣或氮?dú)忪F化。在添加或霧化期間，該過(guò)程可在溶劑沸點(diǎn)以下的溫度下進(jìn)行。添加或霧 化后，可進(jìn)一步在l〇〇°C以上進(jìn)行焙燒。焙燒的溫度和時(shí)間在合適的范圍內(nèi)確定。
[0038] 在通過(guò)濕法的表面處理中，用攪拌、超聲波、砂磨機(jī)、磨碎機(jī)、球磨機(jī)等將金屬氧化 物顆粒分散在溶劑中，向其添加有機(jī)化合物，攪拌或分散所得的混合物，然后除去溶劑。通 過(guò)過(guò)濾或蒸餾除去溶劑。除去溶劑后，可進(jìn)一步在l〇〇°C以上進(jìn)行焙燒。焙燒的溫度和時(shí)間 不特別限制，只要獲得電子照相特性即可。
[0039] 用于底涂層中金屬氧化物顆粒（氧化鈦顆粒和氧化鋅顆粒）的表面處理的有機(jī)硅 化合物或有機(jī)