一種信息處理方法及電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種信息處理方法及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，通常使用功率放大器對信號功率進行放大。功率放大器的種類有很多，從頻域來看，在微波射頻領(lǐng)域，功率放大器被稱為射頻功率放大器;從所放大信號的時域特性來看，功率放大器可分為脈沖功率放大器(放大信號為脈沖調(diào)制信號)和連續(xù)波放大器。當(dāng)所放大信號為微波射頻頻段的脈沖調(diào)制信號時，功率放大器可稱為射頻脈沖放大器。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，使用功率放大器時，如使用LDMOS(Laterally Diffused MetalOxide Semiconductor，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)功放管，通常將功放管的柵極電壓設(shè)置為一固定的直流電平，并對輸入的信號進行放大。
[0004]在使用射頻脈沖放大器對脈沖信號進行放大時，當(dāng)輸出功率較大，如在百瓦量級以上時，由于射頻脈沖放大器的瞬時熱效應(yīng)以及電源供電等因素的影響，發(fā)射的脈沖序列中單個脈沖的功率會產(chǎn)生分化，即序列內(nèi)越靠后的脈沖輸出的功率越小?？梢?，現(xiàn)有技術(shù)中存在脈沖信號在經(jīng)過射頻脈沖放大器放大后，輸出信號的序列頂部不平度難以保證的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請實施例提供一種信息處理方法及電子設(shè)備，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在脈沖信號在經(jīng)過射頻脈沖放大器放大后，輸出信號的序列頂部不平度難以保證的技術(shù)問題，實現(xiàn)了消除序列頂部不平的技術(shù)效果。
[0006]本申請實施例一方面提供一種信息處理方法，包括:
[0007]接收待放大的射頻脈沖序列；
[0008]確定與所述射頻脈沖序列相對應(yīng)的控制電壓脈沖序列；
[0009]基于所述控制電壓脈沖序列，調(diào)整射頻脈沖放大器的控制電壓，對所述射頻脈沖序列進行功率放大，以使放大后的射頻脈沖序列的序列頂部不平度滿足一預(yù)設(shè)條件。
[0010]可選的，所述射頻脈沖放大器為電壓控制功放管，所述確定與所述射頻脈沖序列相對應(yīng)的控制電壓脈沖序列，包括:
[0011]確定與所述電壓控制功放管相對應(yīng)的柵極電壓脈沖序列。
[0012]可選的，所述序列頂部不平度為所述放大后的射頻脈沖序列在一個周期內(nèi)，所包含的最大脈沖功率值與最小脈沖功率值的差值。
[0013]可選的，所述確定與所述射頻脈沖序列相對應(yīng)的控制電壓脈沖序列，包括:
[0014]確定同步脈沖序列，其中，所述同步脈沖序列的每個脈沖信號的出現(xiàn)時間提前于所述射頻脈沖序列的每個脈沖的出現(xiàn)時間，所述同步脈沖序列的脈沖寬度大于所述射頻脈沖序列的脈沖寬度；
[0015]確定與所述同步脈沖序列中每個脈沖對應(yīng)的控制電壓值；
[0016]基于所述同步脈沖序列和所述控制電壓值，生成所述控制電壓脈沖序列。
[0017]可選的，所述確定與所述同步脈沖序列中每個脈沖對應(yīng)的控制電壓值，包括:
[0018]將所述同步脈沖序列分成N段脈沖序列，N為正整數(shù)；
[0019]確定與所述N段脈沖序列對應(yīng)的N個控制電壓值；
[0020]基于所述N個控制電壓值，確定與所述同步脈沖序列中每個脈沖對應(yīng)的控制電壓值。
[0021]本申請另一方面提供一種電子設(shè)備，包括:
[0022]射頻脈沖放大器；
[0023]控制電壓產(chǎn)生電路，與所述射頻脈沖放大器相連，用于產(chǎn)生所述射頻脈沖放大器的控制電壓脈沖序列；
[0024]其中，所述射頻脈沖放大器接收待放大的射頻脈沖序列以及控制電壓脈沖序列，并基于所述控制電壓脈沖序列，調(diào)整所述射頻脈沖放大器的控制電壓，對所述射頻脈沖序列進行功率放大，以使放大后的射頻脈沖序列的序列頂部不平度滿足一預(yù)設(shè)條件。
[0025]可選的，所述射頻脈沖放大器為電壓控制功放管，所述控制電壓脈沖序列為柵極電壓脈沖序列，所述柵極電壓脈沖序列用于控制所述電壓控制功放管的柵極電壓。
[0026]可選的，所述電子設(shè)備還包括:
[0027]同步脈沖發(fā)生器，用于產(chǎn)生同步脈沖序列，其中，所述同步脈沖序列的每個脈沖信號的出現(xiàn)時間提前于所述射頻脈沖序列的每個脈沖的出現(xiàn)時間，所述同步脈沖序列的脈沖寬度大于所述射頻脈沖序列的脈沖寬度；
[0028]處理器，用于確定與所述同步脈沖序列中每個脈沖對應(yīng)的控制電壓值；
[0029]其中，所述控制電壓產(chǎn)生電路基于所述同步脈沖序列和所述控制電壓值，生成所述控制電壓脈沖序列。
[0030]可選的，所述電子設(shè)備還包括:
[0031 ]計數(shù)器，用于將所述同步脈沖序列分成N段脈沖序列，NS正整數(shù)；
[0032]其中，所述處理器用于確定與所述N段脈沖序列對應(yīng)的N個控制電壓值，以及基于所述N個控制電壓值，確定與所述同步脈沖序列中每個脈沖對應(yīng)的控制電壓值。
[0033]可選的，所述電壓控制功放管為橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體功放管，或氮化鎵功放管。
[0034]本申請實施例中的上述一個或多個技術(shù)方案，至少具有如下一種或多種技術(shù)效果:
[0035]—、本申請實施例中的方案，使用控制電壓脈沖序列來調(diào)整射頻脈沖放大器的控制電壓，對不同時段的脈沖序列采用不同的控制電壓來改變放大器的增益。如在脈沖序列初期，控制電壓可以選用較小的電壓值，在脈沖序列末期，控制電壓可以選擇較大的電壓值。而現(xiàn)有技術(shù)中，控制電壓是固定不變的。因此，本申請實施例中的方案能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中存在脈沖信號在經(jīng)過射頻脈沖放大器放大后，輸出信號的序列頂部不平度難以保證的技術(shù)問題，實現(xiàn)了消除序列頂部不平的技術(shù)效果。
[0036]二、現(xiàn)有技術(shù)中為了解決序列頂部不平度的問題，采用放大器與大容量儲能電容并聯(lián)的方式，但是對于連續(xù)幾百個脈沖的序列，需要容量為20000yF的電容，且并聯(lián)大容量儲能電容后，序列頂部不平度仍然不理想，與要求指標(biāo)相去甚遠(yuǎn)。另外，大容量儲能電容的體積、重量較大，價格高，且大容量儲能電容的加入使得開機浪涌增大的非常明顯，對電源的可靠性帶來了較大的負(fù)面影響。本申請實施例中的方案，通過控制電壓脈沖序列對射頻脈沖放大器的控制電壓進行調(diào)整，以消除序列頂部不平，無需使用大容量儲能電容。因此，本申請實施例中的方案實現(xiàn)了設(shè)計簡單，成本低，且保持裝置小型化的技術(shù)效果。
[0037]三、本申請實施例中的方案，通過同步脈沖序列來使控制電壓脈沖序列與待放大的射頻脈沖序列同步。同時，將同步脈沖序列的脈沖寬度設(shè)置為大于射頻脈沖序列寬度，保證射頻脈沖放大器在每個射頻脈沖到達之前就已經(jīng)調(diào)整好控制電壓，實現(xiàn)了保證射頻脈沖在放大后不會產(chǎn)生變形的技術(shù)效果。
【附圖說明】
[0038]為了更清楚地說明本申請實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1為本申請實施例一中提供的一種信息處理方法的流程圖；
[0040]圖2為本申請實施例一中射頻脈沖序列的示意圖；
[0041]圖3為本申請實施例一中序列頂部不平度滿足預(yù)設(shè)條件的放大后的射頻脈沖序列示意圖；
[0042]圖4為本申請實施例一中控制電壓脈沖序列的示意圖；
[0043]圖5為本申請實施例二中提供的一種電子設(shè)備的機構(gòu)框圖；
[0044]圖6為本申請實施例二中提供的一種硬件實現(xiàn)結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0045]本申請實施例提供一種信息處理方法及電