一種中子屏蔽體插片拼接裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種中子屏蔽體的屏蔽裝置，尤指一種通過分層錯開拼接以消除拼接縫隙的一種中子屏蔽體插片拼接裝置。
【背景技術】
[0002]中子譜儀運行時涉及中子散射技術，中子具有不帶電、具有磁矩、穿透性強、能分辨輕元素、同位素和近鄰元素，且對樣品的非破壞性的特點，在中子譜儀中，利用其關鍵部件之一的中子準直器可減少通過準直器內(nèi)部腔體的中子的損失，而實現(xiàn)中子準直器作用的主要方法是利用附著在準直器內(nèi)壁上的中子屏蔽體吸收背景中子，因此，中子屏蔽體是能否完全吸收中子的關鍵部件。
[0003]由于在中子準直器中的中子屏蔽體一般采用碳化硼材料以有效阻擋或吸收中子，而碳化硼材料由于元素性能問題不宜采用碳化硼材料大面積成型加工的方法獲得碳化硼中子屏蔽體，現(xiàn)使用的中子屏蔽體一般是在加工出若干小型的中子屏蔽體插片之后，將若干小型插片相互接合以組合形成符合中子準直器規(guī)格的大型插片中子屏蔽體，此方法由小型插片拼接形成大型插片，加工工藝較為簡單，中子屏蔽體獲取難度不高，但是，在拼接過程中，不管使用何種膠體均有可能存在拼接縫隙產(chǎn)生的結果，一旦縫隙出現(xiàn)，在中子散射時就無法完全阻擋雜射中子，無法完全吸收散射中子則導致中子準直器工作的不完善，甚至導致中子譜儀的后續(xù)工作無法順利進行。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問題，本實用新型旨在公開一種中子屏蔽體的屏蔽裝置，尤指一種通過分層錯開拼接以消除拼接縫隙的一種中子屏蔽體插片拼接裝置。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術方案是:一種中子屏蔽體插片拼接裝置，主要包括多塊插片互相拼接形成中子屏蔽體，其特征在于:所述的拼接裝置主要由兩層插片組成，兩層插片均由若干塊小型插片相互拼接組成大型插片，其中，下層的小型插片上表面設置在上層的小型插片兩兩拼接時所形成的縫隙處。
[0006]所述的下層小型插片在兩兩拼接時形成的拼接縫隙設置在上層的小型插片下表面。
[0007]所述的小型插片設置為矩形、圓形或者正多邊形。
[0008]所述的拼接裝置通過粘接劑使小型插片兩兩之間從邊緣處粘合。
[0009]所述兩層插片之間通過粘接劑使上層插片下表面與下層插片上表面互相粘合。
[0010]所述的插片可以為碳化硼陶瓷片、碳化硼基復合材料板、或碳化硼粉末成型板。
[0011]本實用新型的有益效果體現(xiàn)在:本實用新型采用雙層錯開插片拼接的結構，解決了在單層插片拼接時因產(chǎn)生縫隙而導致散射中子吸收不全或者吸收不良的問題；本實用新型結構簡單，組裝方便，在原拼接途徑的基礎上加以改進，利用同樣簡易的拼接途徑結合穩(wěn)定的結構設計，以達到完善的中子屏蔽體插片裝置，保證了中子屏蔽并吸收的穩(wěn)定性、安全性與有效性，并確保中子準直器阻擋與吸收散射中子的完全性，工作系統(tǒng)得以完善規(guī)劃，從而保證中子譜儀能夠順利地完成后續(xù)工作。
【附圖說明】
[0012]圖1是本實用新型的整體結構立體圖。
[0013]圖2是本實用新型圖1中A的局部放大示意圖。
[0014]圖3是本實用新型的整體結構透視圖。
[0015]附圖標注說明:1_上層插片，2-下層插片，3-小型插片。
【具體實施方式】
[0016]下面結合附圖詳細說明本實用新型的【具體實施方式】:
[0017]一種中子屏蔽體插片拼接裝置，主要包括多塊插片互相拼接形成中子屏蔽體，所述的拼接裝置主要由兩層插片組成，所述的插片可以為碳化硼陶瓷片、碳化硼基復合材料板、或碳化硼粉末成型板；兩層插片均由若干塊小型插片3相互拼接組成大型插片，小型插片3設置為矩形、圓形或者正多邊形，所述拼接裝置通過粘接劑使小型插片3兩兩之間從邊緣處粘合，兩層插片之間通過粘接劑使上層插片I下表面與下層插片2上表面互相粘合，本實施例的粘接劑可采用航空膠，性能穩(wěn)定，粘接效果好；其中，下層的小型插片3上表面設置在上層的小型插片3兩兩拼接時所形成的縫隙處；下層小型插片在兩兩拼接時形成的拼接縫隙設置在上層的小型插片下表面。
[0018]中子屏蔽體插片拼接裝置的加工工藝為:首先將可阻擋并吸收雜散中子的原材料加工為若干塊小型插片3，在其中一塊小型插片3的邊緣處涂上粘接劑后，迅速與另一塊小型插片3從邊緣粘合，以此類推，將各小型插片3互相粘合形成一塊大型插片以完成第一層插片，然后在第一層插片的拼接縫隙交叉口處的下表面粘接另一塊小型插片3，并以該小型插片3為中心，從其邊緣處粘接其它小型插片3，以此完成中子屏蔽體的第二層插片，為保障中子屏蔽體的致密性，可相應增設第三、四等層的插片，本實施例采用兩層插片為較佳實施例，在加工工藝簡潔、控制成本最低的同時亦能達到無縫插片拼接的目的，最終實現(xiàn)高效吸收散射中子的效果。
[0019]以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例，并非對本實用新型的技術范圍作任何限制，本行業(yè)的技術人員，在本技術方案的啟迪下，可以做出一些變形與修改，凡是依據(jù)本實用新型的技術實質對以上的實施例所作的任何修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內(nèi)。
【主權項】
1.一種中子屏蔽體插片拼接裝置，主要包括多塊插片互相拼接形成中子屏蔽體，其特征在于:所述的拼接裝置主要由兩層插片組成，兩層插片均由若干塊小型插片相互拼接組成大型插片，其中，下層的小型插片上表面設置在上層的小型插片兩兩拼接時所形成的縫隙處。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，其特征在于:所述的下層小型插片在兩兩拼接時形成的拼接縫隙設置在上層的小型插片下表面。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，其特征在于:所述的小型插片設置為矩形、圓形或者正多邊形。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，其特征在于:所述的拼接裝置通過粘接劑使小型插片兩兩之間從邊緣處粘合。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，其特征在于:所述兩層插片之間通過粘接劑使上層插片下表面與下層插片上表面互相粘合。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，其特征在于:所述的插片可以為碳化硼陶瓷片、碳化硼基復合材料板、或碳化硼粉末成型板。
【專利摘要】本實用新型涉及一種中子屏蔽體的屏蔽裝置，尤指一種通過分層錯開拼接以消除拼接縫隙的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，主要包括多塊插片互相拼接形成中子屏蔽體，所述的拼接裝置主要由兩層插片組成，兩層插片均由若干塊小型插片相互拼接組成大型插片，其中，下層的小型插片上表面設置在上層的小型插片兩兩拼接時所形成的縫隙處；本實用新型采用雙層錯開插片拼接的結構，解決了在單層插片拼接時因產(chǎn)生縫隙而導致中子吸收不全或者吸收不良的問題；本實用新型結構簡單，組裝方便，在原拼接途徑的基礎上加以改進，利用同樣簡易的拼接途徑結合穩(wěn)定的結構設計，保證中子屏蔽并吸收的穩(wěn)定性、安全性與高效性，從而保證中子譜儀能夠順利地完成后續(xù)工作。
【IPC分類】G21F3-00
【公開號】CN204288826
【申請?zhí)枴緾N201420835835
【發(fā)明人】鄒建軍, 孫振忠, 許楚濱, 蘇樹聰, 曾漢佳, 黃嘉豪
【申請人】東莞理工學院, 鄒建軍, 孫振忠, 許楚濱, 蘇樹聰, 曾漢佳, 黃嘉豪
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月25日