包括陽光控制層的透明復(fù)合材料及其形成方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了透明復(fù)合材料，其可包括有紋理基質(zhì)和陽光控制層。陽光控制層的部分可位于通過有紋理基質(zhì)的側(cè)壁分開的不同高度處。部分可彼此電斷開或包括高電阻的其他部分。在一個實(shí)施例中，陽光控制層可非共形沉積在有紋理基質(zhì)上。陽光控制層可這樣形成，使得在陽光控制層的部分之間沒有橫向間隙。在一個特定實(shí)施例中，透明復(fù)合材料可具有可見光和高頻信號的良好透射，同時仍實(shí)現(xiàn)近紅外線輻射的適當(dāng)?shù)偷耐干洹?br>【專利說明】
包括陽光控制層的透明復(fù)合材料及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本公開內(nèi)容設(shè)及包括陽光控制層的透明復(fù)合材料及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 更多的政府強(qiáng)制要求，并且消費(fèi)者需要窗戶減少來自太陽進(jìn)入建筑物或車輛內(nèi)部 的熱傳遞。大多數(shù)熱作為具有在800nm-2500nm范圍內(nèi)的波長的近紅外線福射傳遞。陽光控 制層已使用多年，并且有效減少近紅外線福射的透射，同時允許具有在400nm-700nm范圍內(nèi) 的波長的可見光的可接受透射。
[0003] 便攜式電話、智能電話、平板電腦等等通常W通常在0.8G化-2.5GHz范圍內(nèi)的頻率 且甚至更高的頻率與蜂窩塔或其他基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備無線通信。此類電話、計算機(jī)及其他蜂窩 設(shè)備的使用者需要能夠使其裝置通過建筑物和車輛的窗戶無線通信。穿過玻璃或塑料片材 的無線傳輸可不伴隨顯著的信號損失而執(zhí)行。雖然陽光控制層顯著減少近紅外線透射而不 顯著減少可見光，但此類陽光控制層可顯著衰減用于無線通信的電磁福射的傳輸。解決該 問題的許多嘗試允許太多近紅外線福射通過或具有復(fù)雜的制造方案。
【附圖說明】
[0004] 實(shí)施例通過舉例的方式示出且并不受限于附圖。
[0005] 圖1包括根據(jù)方塊電阻W1.8G化的信號傳輸?shù)那€圖。
[0006] 圖2包括根據(jù)一個實(shí)施例的有紋理基質(zhì)和陽光控制層的一部分的橫截面視圖的圖 /J、- 〇
[0007] 圖3包括圖2的陽光控制層的線路模型。
[000引圖4包括根據(jù)一個實(shí)施例的有紋理基質(zhì)和陽光控制層的一部分的橫截面視圖的圖 /J、- 0
[0009] 圖5包括圖4的陽光控制層的線路模型。
[0010] 圖6和7分別包括根據(jù)一個實(shí)施例的工件的一部分的橫截面視圖和透視圖的圖示， 所述工件包括支撐基質(zhì)和有紋理基質(zhì)。
[0011] 圖8包括根據(jù)一個替代實(shí)施例的工件的一部分的透視圖的圖示，所述工件包括支 撐基質(zhì)和有紋理基質(zhì)。
[0012] 圖9包括根據(jù)另一個替代實(shí)施例的工件的一部分的頂視圖的圖示，所述工件包括 有紋理基質(zhì)。
[0013] 圖10和11分別包括根據(jù)一個實(shí)施例在形成陽光控制層后，圖6和7的工件的橫截面 視圖和透視圖的圖示。
[0014] 圖12包括根據(jù)一個實(shí)施例在用溝槽填充材料填充溝槽的剩余部分后，圖10和11的 工件的橫截面視圖的圖示。
[0015] 圖13包括根據(jù)一個實(shí)施例的基本上完成的透明復(fù)合材料的橫截面視圖。
[0016] 圖14包括根據(jù)一個替代實(shí)施例的工件的一部分的橫截面視圖的圖示，所述工件包 括支撐基質(zhì)和有紋理基質(zhì)。
[0017] 圖15包括根據(jù)一個替代實(shí)施例的工件的一部分的橫截面視圖的圖示，所述工件包 括支撐基質(zhì)、本體層、覆蓋層W及在蝕刻本體層和覆蓋層的部分后的掩蔽層。
[0018] 圖16包括根據(jù)一個替代實(shí)施例在選擇性加寬本體層內(nèi)的溝槽的部分后，圖15的工 件的橫截面視圖的圖示。
[0019] 圖17和18包括有紋理基質(zhì)和沉積在有紋理基質(zhì)上的金屬層的掃描電子顯微鏡圖 像。
[0020] 圖19包括用于測試穿過樣品（測試下的裝置）的射頻信號的傳輸衰減的系統(tǒng)設(shè)置 的圖示。
[0021] 圖20包括示出根據(jù)方塊電阻的傳輸衰減(信號損失)的曲線圖。
[0022] 技術(shù)人員應(yīng)了解附圖中的元件是為了簡單和清楚而示出，并且不一定按比例標(biāo) 繪。例如，附圖中的一些元件的尺寸可相對于其他元件放大，W幫助改善本發(fā)明的實(shí)施例的 理解。
【具體實(shí)施方式】
[0023] 本發(fā)明提供了與附圖組合的下述說明書，W幫助理解本文公開的教導(dǎo)。下文討論 將集中于教導(dǎo)的具體實(shí)現(xiàn)和實(shí)施例。提供該重點(diǎn)W幫助描述教導(dǎo)且該重點(diǎn)不應(yīng)解釋為對教 導(dǎo)的范圍或適用性的限制。
[0024] 術(shù)語"有效方塊電阻"預(yù)期意指如對于圖案調(diào)整的材料或?qū)拥姆綁K電阻。例如，當(dāng) 在平坦表面上形成時，層可具有200歐姆/平方的方塊電阻。在圖案化后，層的寬度(在與厚 度垂直的方向上測量)可僅為如最初形成的層寬度的10%。有效方塊電阻是方塊電阻（200 歐姆/平方)對在圖案化后剩下的層寬度的分?jǐn)?shù)(0.1)的倍數(shù)，其對于該例子為2000歐姆/平 方。
[0025] 如本文使用的，可見光透射率(VLT)預(yù)期意指透射穿過窗戶膜/玻璃系統(tǒng)的總可見 光與到達(dá)窗戶膜/玻璃系統(tǒng)的總可見光的比率。
[0026] 可見光反射率(VLR)預(yù)期意指由窗戶膜/玻璃系統(tǒng)反射的總可見光比到達(dá)窗戶膜/ 玻璃系統(tǒng)的總可見光。
[0027] 太陽能總阻隔(TSER)預(yù)期意指由窗戶膜/玻璃系統(tǒng)阻隔的總太陽能(熱）。
[0028] 太陽能熱增益系數(shù)(SHGC)預(yù)期意指如使用下述等式測量的總太陽能(例如穿過窗 戶膜/玻璃系統(tǒng)傳遞的熱）：S服C= 1-TSER。
[0029] 選擇性或光太陽能熱增益系數(shù)化TSHGC)預(yù)期意指如使用下述等式測量的化T除W S服C的比率：S = LTS服C =化17 S服C。
[0030] VLT、VLR、TSER、細(xì) GC 和 LT 細(xì) GC 根據(jù) ASTM 標(biāo)準(zhǔn)（參見例如 NFRC-100、NFRC-200 和 NFRC-300)進(jìn)行計算。
[0031] 在本說明書中提供的性能值意欲對應(yīng)于當(dāng)將透明復(fù)合膜應(yīng)用于3mm(l/8英寸)透 明玻璃片材時，或當(dāng)由3mm(l/8英寸)透明玻璃片材制造透明復(fù)合材料時測量的值。
[0032] 如本文使用的，衰減是關(guān)于電磁福射經(jīng)過介質(zhì)例如窗戶膜/玻璃系統(tǒng)的電磁福射 的強(qiáng)度損失。衰減可表示為關(guān)于相同衰減量的實(shí)際值(例如-5地)或絕對值(例如5地）。
[0033] 術(shù)語"包含"、"包括"、"具有"或它們的任何其他變體旨在涵蓋非排他性的包括。例 如，包括一系列特征的過程、方法、制品或儀器不必僅限于那些特征，而是可包括未明確列 出的或該過程、方法、制品或儀器所固有的其他特征。此外，除非明確相反指出，"或"指包括 性的或，而非排他性的或。例如，條件A或B由如下任一者滿足:A為真(或存在)且B為假(或不 存在），A為假(或不存在)且B為真(或存在），W及A和B均為真(或存在）。
[0034] "-種"或"一個"的使用用于描述本文描述的元件和部件。運(yùn)僅為了便利，并提供 本發(fā)明的范圍的一般含義。該描述應(yīng)理解為包括一種或至少一種，并且單數(shù)還包括復(fù)數(shù)，或 反之亦然，除非其明確具有相反含義。
[0035] 除非另有定義，否則本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語均具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域普 通技術(shù)人員通常理解相同的含義。材料、方法和例子僅是舉例說明性的并且不意在為限制 性的。就本文未描述的程度而言，關(guān)于具體材料和處理動作的許多細(xì)節(jié)是常規(guī)的，并且可在 陽光控制和窗戶領(lǐng)域內(nèi)的教課書及其他來源中找到。
[0036] 透明復(fù)合材料可包括有紋理基質(zhì)和陽光控制層。陽光控制層的部分可在通過側(cè)壁 彼此分開的不同高度處形成。在一個實(shí)施例中，在有紋理基質(zhì)內(nèi)的溝槽可在形成有紋理基 質(zhì)時存在，或溝槽可在層內(nèi)形成，或可通過將材料沉積在層上形成。溝槽底部和溝槽外的表 面之間的高度差可允許陽光控制層具有在溝槽內(nèi)和外的不連續(xù)、間隔開的部分。在一個實(shí) 施例中，陽光控制層可非共形沉積在有紋理基質(zhì)上。陽光控制層無需壓碎、破碎或者具有激 光消融或W其他方式去除的部分W形成不連續(xù)、間隔開的部分。在垂直于透明復(fù)合材料的 主表面的方向上，陽光控制層無需具有任何側(cè)面間隙，并且因此與其中所包括陽光控制層 在陽光控制層形成后破碎成小片的常規(guī)窗戶膜形成對比，近紅外線福射的透射顯著減少。 具有納米顆粒的常規(guī)陽光控制層可（1)具有足夠的納米顆粒，W提供良好的近紅外（IR)性 能，但具有弱可見光透射，或(2)具有良好的可見光透射，但允許太多近IR福射透射。此外， 可形成僅具有一個陽光控制層的透明復(fù)合材料。因此，無需沉積和圖案化多個陽光控制層。 透明復(fù)合材料可運(yùn)樣制造，使得霧度很低。霧度可使用來自BYKGardner的化ze-Gard?牌霧 度計儀器進(jìn)行測量。在一個特定實(shí)施例中，霧度可根據(jù)ASTM D 1003進(jìn)行測量。
[0037] 在解決特定實(shí)施例之前，解決與通過陽光控制層的高頻信號衰減相關(guān)的問題。陽 光控制層中使用的一些材料例如Ag、Au、Cu、A1或一般而言的透明的傳導(dǎo)氧化物(TC0)例如 氧化銅錫（IT0)、A1或Ga滲雜的氧化鋒(ZnO)是高度傳導(dǎo)性的。圖1包括根據(jù)層的方塊電阻， 通過層W1.8G化的頻率的電磁福射傳輸?shù)那€圖。如由曲線圖可見的，信號衰減當(dāng)方塊電 阻減少時是顯著的。特別地，傳輸在1歐姆/平方（在圖1中注明為ΩΠ )時是-46地，在10歐 姆/平方時是-27地，并且在100歐姆/平方時是-10地。因此，太低的方塊電阻不允許足夠的 電磁福射傳輸用于無線通信。然而，傳輸在10,000歐姆/平方和更高時為0地至-1地。
[0038] 示例性實(shí)施例在下文描述，其示出而不是限制所附權(quán)利要求的范圍。圖2包括有紋 理基質(zhì)200的一部分和陽光控制層的部分的橫截面視圖的圖示。陽光控制層顯著減少近IR 福射的透射，并且仍允許足夠的可見光透射。在圖2的實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)200具有溝槽 220,所述溝槽220具有基本上垂直的側(cè)壁222。陽光控制層的部分242、244和246設(shè)置在溝槽 220外的有紋理基質(zhì)200的頂表面上。陽光控制層的部分262和264設(shè)置在溝槽220的底表面 上。部分242、244和246通過溝槽的側(cè)壁222與部分262和264分開。
[0039] 當(dāng)圖2的實(shí)施例電建模時，部分各自可具有相應(yīng)的電阻化42、R244、化46、R262和R264,如 圖3中所示。因?yàn)殛柟饪刂茖拥牟糠?42、244、246、262和264間隔開，所^此類部分表示為彼 此并非電連接的電阻器，并且因此是開路。如果跨越部分242和246之間的陽光控制層施加 電壓差，則沒有電流流動。參考圖1，此類情況導(dǎo)致極高的方塊電阻(顯著大于100,000歐姆/ 平方），并且沒有用于無線通信的信號的顯著衰減。
[0040] 在另一個實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)可采取平臺和在平臺之間的互聯(lián)溝槽的形式。在 該實(shí)施例中，電阻器R262和R264是連接的。溝槽的寬度可進(jìn)行調(diào)整，W實(shí)現(xiàn)溝槽內(nèi)的陽光控制 層的部分的所需有效方塊電阻。例如，需要或期望更高的有效方塊電阻時，溝槽可更窄。其 對應(yīng)于在平臺上的陽光控制層的部分的電阻器R242、R244和R246保持與彼此W及在互聯(lián)溝槽 內(nèi)的陽光控制層的部分電斷開。
[0041] 圖4包括一個替代實(shí)施例的圖示，其中陽光控制層400是在有紋理基質(zhì)200上形成 的連續(xù)層。在圖4的實(shí)施例中，陽光控制層的部分442、444和446設(shè)置在溝槽220外的有紋理 基質(zhì)200的頂表面上。陽光控制層的部分462和464設(shè)置在溝槽220的底表面上。在該實(shí)施例 中，部分452、454、456和458沿溝槽220的側(cè)壁222設(shè)置，所述側(cè)壁222在陽光控制層200的沿 溝槽的底表面放置的部分和位于溝槽220外的其他部分之間。部分452、454、456和458各自 的厚度基本上薄于部分442、444、446、462和464各自的厚度
[0042] 當(dāng)圖4的實(shí)施例電建模時，部分各自可具有相應(yīng)的電阻R442、R444、R446、R452、R454、 R456、R4日8、R462和R464,如圖5中所示。電阻器串聯(lián)連接，因?yàn)殛柟饪刂茖?00沿有紋理基質(zhì)400 是連續(xù)的。因?yàn)椴糠?52、454、456和458的厚度基本上薄于部分442、444、446、462和464， R452、R454、R456和R458各自基本上大于1?442、1?444、1?446、1?462和1?464各自，電路內(nèi)的等效電阻由1?452、 R454、R45廓R458控制，所述R452、R454、R456和R458對應(yīng)于側(cè)壁部分452、454、456和458。因此，如果 跨越部分442和446之間的陽光控制層施加電壓差，則電流將流動，但此類電流極低。參考圖 1，此類情況對應(yīng)于低于圖2中的實(shí)施例的方塊電阻，但由于薄側(cè)壁部分452、454、456和458， 圖4中的實(shí)施例可具有對應(yīng)于至少1000歐姆/平方的有效方塊電阻。通過陽光控制層400的 傳輸損失可不大于-1地。因此，如果陽光控制層的部分沉積在有紋理基質(zhì)200的溝槽220的 側(cè)壁上，則關(guān)于無線通信的傳輸損失仍可在可接受限度內(nèi)。
[0043] 注意力現(xiàn)在指向關(guān)于制造過程的舉例說明性、非限制性實(shí)施例，所述制造過程可 用于形成具有陽光控制層的透明復(fù)合材料。雖然許多討論指向W待應(yīng)用于窗戶的膜形式的 透明復(fù)合材料，但可對該過程作出變化，使得陽光控制層在窗戶內(nèi)或窗戶上形成。
[0044] 形成透明復(fù)合材料的方法可W提供有紋理基質(zhì)開始。參考圖6,有紋理基質(zhì)600具 有彼此基本上平行的主表面602和604。有紋理基質(zhì)600具有的厚度是主表面602和604之間 的距離，其處于如圖6中所示的實(shí)施例的垂直方向。在一個實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)600的厚度 為至少llOnm、至少200nm、至少500nm、或至少1.1微米，并且在另一個實(shí)施例中，有紋理基質(zhì) 的厚度不大于20微米、或不大于9微米、或不大于7微米。有紋理基質(zhì)600可具有在上述最大 值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如110皿至20微米、500nm至9微米、或1.1微米至7微米內(nèi) 的厚度。
[0045] 有紋理基質(zhì)600可包括有機(jī)材料或無機(jī)材料。在一個實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)600可 包括透明聚合物。透明聚合物可包括聚丙締酸醋、聚醋、聚碳酸醋、聚硅氧烷、聚酸、聚乙締 化合物、另一類合適的透明聚合物或其混合物。
[0046] 在一個特定實(shí)施例中，透明聚合物包括聚丙締酸醋。聚丙締酸醋可為聚(丙締酸甲 醋）、聚(丙締酸乙醋）、聚（丙締酸丙醋）、聚(丙締酸乙締醋）、聚（甲基丙締酸甲醋）、聚（甲基 丙締酸乙醋）、聚（甲基丙締酸丙醋）、聚（甲基丙締酸乙締醋）或其混合物。在另一個實(shí)施例 中，聚丙締酸醋可為兩種、Ξ種或更多種丙締酸前體的共聚物。丙締酸前體可包括丙締酸甲 醋、丙締酸乙醋、丙締酸丙醋、丙締酸乙締醋、甲基丙締酸甲醋、甲基丙締酸乙醋、甲基丙締 酸丙醋、甲基丙締酸乙締醋。例如，共聚聚丙締酸醋可包括聚（甲基丙締酸甲醋甲基丙締酸 乙締醋）。在一個特定實(shí)施例中，透明聚合物包含聚（甲基丙締酸甲醋）。在一個其他特定實(shí) 施例中，透明聚合物基本上由聚（甲基丙締酸甲醋)組成。在一個進(jìn)一步的實(shí)施例中，透明聚 合物包含聚（甲基丙締酸乙締醋）。在一個其他特定實(shí)施例中，透明聚合物基本上由聚（甲基 丙締酸乙締醋)組成。
[0047]在一個實(shí)施例中，透明聚合物包括聚醋。聚醋可包括聚對苯二甲酸乙二醇醋 (PET)、聚糞二甲酸乙二醇醋、聚對苯二甲酸下二醇醋、聚異糞二甲酸乙二醇醋 (polyethylene isonaphthalate)或其任意組合。在一個特定實(shí)施例中，透明聚合物包含 PET。在另一個特定實(shí)施例中，透明聚合物基本上由PET組成。
[004引在一個實(shí)施例中，透明聚合物包括聚酸。聚酸可為聚乙締酸、聚丙締酸、聚下締酸 或其任意組合。在另一個實(shí)施例中，聚酸可為兩種、Ξ種或更多種多元醇的共聚物。例如，聚 酸可為1，2-乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-下二醇、1，3-下二醇、1，4-下二醇的共聚 物。
[0049] 在一個實(shí)施例中，透明聚合物可為聚乙締化合物。聚乙締化合物可為聚乙締醇、聚 乙締醋、聚乙締醇縮醒或其任意組合。在一個實(shí)施例中，聚乙締醇縮醒可包括聚乙締醇縮下 醒。在一個特定實(shí)施例中，透明聚合物基本上由聚乙締醇縮下醒組成。在另一個實(shí)施例中， 聚乙締化合物可為乙締醇衍生物和締控的共聚物。乙締醇衍生物可為乙酸乙締醋。在一個 實(shí)施例中，聚乙締化合物可為聚（乙締乙酸乙締醋）。
[0050] 在再一個進(jìn)一步的實(shí)施例中，透明聚合物可具有與鄰近層相等或在鄰近層的0.03 單位內(nèi)的折射率。例如，如果鄰近層是具有在1.47至1.55之間的折射率的玻璃，則透明聚合 物可由在玻璃的折射率0.03單位內(nèi)的材料制成。在一個實(shí)施例中，鄰近層可具有1.49的折 射率，并且透明聚合物可為具有約1.49的折射率的材料。例如，透明聚合物可為具有1.49的 折射率的聚（甲基丙締酸甲醋）。在另一個實(shí)施例中，鄰近層可具有1.55的折射率，并且透明 聚合物可為具有約1.57的折射率的材料。例如，透明聚合物可為具有1.57的折射率的聚(對 苯二甲酸乙二醇醋）。在一個更特定的實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)600包括聚甲基丙締酸烷基醋， 其中烷基具有1至3個碳原子。
[0051 ]在其中關(guān)注霧度的一個特定實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)600不包括聚締控例如聚乙締， 至少部分是由于具有顯著不同折射率的結(jié)晶相和無定形相引起高水平的霧度。在一個實(shí)施 例中，有紋理基質(zhì)600可包括納米顆粒，例如二氧化娃、Ti〇2、ITO、滲雜有訊的Sn化。納米顆粒 旨在增加(在口 0、滲雜有訊的Sn化的情況下）、Ti化)或減少(在二氧化娃的情況下)有紋理基 質(zhì)600的折射率。在另一個實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)600可包括玻璃、藍(lán)寶石、尖晶石、或氮氧化 侶 ΓΑ10Ν")。
[0052]在另一個實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)600可具有大于1mm的厚度，并且可為自支撐的，并 且可不需要支撐基質(zhì)例如支撐基質(zhì)610。在許多實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)600顯著薄于1mm，并 且可使用支撐基質(zhì)610。支撐基質(zhì)610的厚度和組成可基于應(yīng)用進(jìn)行確定。當(dāng)所產(chǎn)生的透明 復(fù)合材料是待應(yīng)用于窗戶的膜時，支撐基質(zhì)610可為柔性的。在一個實(shí)施例中，支撐基質(zhì)610 可具有至少11微米、至少17微米、或至少25微米的厚度，并且在另一個實(shí)施例中，支撐基質(zhì) 610的厚度可不大于900微米、不大于600微米、或不大于300微米。支撐基質(zhì)610可具有在上 述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如11微米至900微米、17微米至600微米、或25微米 至300微米內(nèi)的厚度。支撐基質(zhì)610可包括先前就有紋理基質(zhì)600而言描述的材料中的任一 種。在一個實(shí)施例中，支撐基質(zhì)610具有與有紋理基質(zhì)600不同的組成。例如，支撐基質(zhì)610包 括陽T。
[0053] 有紋理基質(zhì)600限定具有底表面624 W及在主表面602和底表面624之間的側(cè)壁的 溝槽620。在如圖6中所示的實(shí)施例中，底表面624與主表面602基本上平行，并且側(cè)壁622具 有圖6中由al地a(a)注明的側(cè)壁角度。側(cè)壁角度理想地為90%然而，側(cè)壁角度不一定是90°。 側(cè)壁角度可為至少50°、至少80°、至少85°、至少88°、或至少89°。側(cè)壁角度可在上述最大值 和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如50°至90°、80°至90°、85°至90°、88°至90°、或89°至90。 內(nèi)。在其中陽光控制層不在側(cè)壁上形成或在沉積時相對薄的應(yīng)用中，側(cè)壁角度可為至少 85°，并且側(cè)壁角度在85°至90°的范圍內(nèi)。在其中待減少霧度的一個特定實(shí)施例中，側(cè)壁角 度可接近于90°，例如在88°至90°的范圍內(nèi)。盡管未示出，但溝槽620的拐角接近主表面602 或底表面624可為圓形的。
[0054] 溝槽620具有從對應(yīng)于主表面602的高度到底表面620的高度測量的深度。溝槽620 的深度可顯著大于后續(xù)形成的陽光控制層的厚度，使得陽光控制層的不連續(xù)、間隔開的部 分上覆主表面602和底表面624,或沿側(cè)壁622的陽光控制層的厚度基本上薄于上覆主表面 602或底表面624的陽光控制層的部分。溝槽620可延伸完全穿過有紋理基質(zhì)600的厚度，或 僅穿過有紋理基質(zhì)600的厚度的一部分。在另一個實(shí)施例中，溝槽620可延伸穿過有紋理基 質(zhì)620的基本上全部。在一個實(shí)施例中，溝槽620具有至少50皿、至少300皿、或至少1000皿的 深度，并且在另一個實(shí)施例中，深度不大于10微米、不大于4微米、或不大于1微米。溝槽的深 度可在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如50nm至10微米、300nm至4微米內(nèi)。
[0055] 溝槽620的寬度可用于控制后續(xù)形成的陽光控制層的有效方塊電阻。陽光控制層 的方塊電阻沿具有大面積的平坦表面可為20歐姆/平方。如果層的寬度減少90%，則有效方 塊電阻變成200歐姆/平方。因此，根據(jù)頂視圖，在溝槽620內(nèi)的面積與陽光控制層在其上形 成的總表面積的百分比可用于將有效方塊電阻調(diào)整至關(guān)于陽光控制層的特定組成的所需 或期望值。在一個實(shí)施例中，根據(jù)頂視圖，沿溝槽620的底表面624的面積與有紋理基質(zhì)的表 面積的百分比不大于50%、不大于1%、或不大于0.01%，并且在另一個實(shí)施例中，百分比為 至少1χ10-5%、至少1χ10-4%、或至少1χ10-3%。沿溝槽620的底表面624的面積與有紋理基質(zhì) 的表面積的百分比可在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如1χ10-5%至50%、 1x10-4% 至1 %、或1x10-3% 至.01% 內(nèi)。
[0056] 在另一個實(shí)施例中，陽光控制層的不同部分不接觸框架或支撐窗戶的另一個結(jié)構(gòu) 構(gòu)件的傳導(dǎo)部分。在該實(shí)施例中，陽光控制層的方塊電阻可能不是重大問題。
[0057] 在一個實(shí)施例中，溝槽的寬度在沿溝槽的中點(diǎn)處進(jìn)行測量，并且不大于90微米、不 大于70微米、或不大于50微米、或不大于30微米、不大于9微米、且不大于5微米，并且在另一 個實(shí)施例中，寬度為至少0.11微米、至少1.1微米、至少2微米、至少3微米、至少4微米、至少5 微米、或至少11微米。寬度可在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如0.11微米至90 微米、1.1微米至70微米、至少5微米至50微米、或2微米至30微米、或3微米至9微米內(nèi)。
[0058] 圖7包括在加工中的運(yùn)個點(diǎn)處的頂視圖。注意到圖6和7中的描述僅為了舉例說明 示例性實(shí)施例，并且未按比例描繪。參考圖7,溝槽620的底表面624對應(yīng)于有紋理基質(zhì)600的 暴露下表面。因此，在一個特定實(shí)施例中，僅限定單一溝槽，并且在有紋理基質(zhì)600的暴露下 表面上方的有紋理基質(zhì)的部分是其上表面對應(yīng)于圖6中的主表面602的平臺。圖7中所示的 實(shí)施例具有間距700，其為特征(平臺寬度)和間隔（溝槽寬度）的總和。在一個實(shí)施例中，間 距700為至少0.11微米、至少0.5微米、或至少1.1微米或至少5微米、至少1. 1mm、至少2mm，并 且在另一個實(shí)施例中，間距700不大于9cm、不大于9mm、不大于5mm、不大于4mm、或不大于900 微米。間距700可在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如0.11微米至9cm、0.5微米 至9mm、1.1微米至5mm、或2mm至4mm內(nèi)。
[0059] 有紋理基質(zhì)可W許多不同方式形成，所述方式可部分取決于有紋理基質(zhì)的材料和 有紋理基質(zhì)的圖案。在一個實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)可包括聚合物并且可使用模具或模子 (die)形成。在一個特定實(shí)施例中，可通過在支撐基質(zhì)610上涂布聚合物層，且在聚合物層固 化時用模具將表面壓花，形成有紋理基質(zhì)600。固化可用福射例如紫外線福射或熱（即熱固 化)執(zhí)行。在另一個實(shí)施例中，模具可置于支撐基質(zhì)610上，并且有紋理基質(zhì)可在支撐基質(zhì) 610上注射成型。在一個進(jìn)一步的實(shí)施例中，聚合物的層可形成且當(dāng)在支撐基質(zhì)610上或與 支撐基質(zhì)610分開時轉(zhuǎn)移成型為有紋理基質(zhì)600。有紋理基質(zhì)600具有平臺和在平臺之間的 互聯(lián)溝槽。
[0060] 在如圖8中所示的另一個實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)720可單獨(dú)擠出或與支撐基質(zhì)610 共擠出，W形成部分完成的工件。在該實(shí)施例中，模子可具有的形狀對應(yīng)于有紋理基質(zhì)720 的形狀，并且間隔開(非互聯(lián))的溝槽722和724可在其中擠出有紋理基質(zhì)720的方向上延伸。 在一個進(jìn)一步的實(shí)施例中，可形成如圖9中所示的棋盤圖案，所述圖9包括部分完成的工件 的一部分的頂視圖，所述部分完成的工件包括具有棋盤圖案的有紋理基質(zhì)800,所述棋盤圖 案包括平臺812和凹進(jìn)822。有紋理基質(zhì)800的圖案可使用用于形成有紋理基質(zhì)600的技術(shù)中 的任一種形成。
[0061] 其他技術(shù)可用于形成包括聚合物或另一種材料例如無機(jī)材料的有紋理基質(zhì)。在一 個實(shí)施例中，初始基質(zhì)具有大致平坦的表面，并且去除初始基質(zhì)的一部分，W形成有紋理基 質(zhì)。去除可使用激光束或離子束執(zhí)行，或者可使用掩蔽和蝕刻技術(shù)執(zhí)行。在另一個實(shí)施例 中，有紋理基質(zhì)可使用添加（即添加材料)而不是減去（即去除材料)過程形成。在一個實(shí)施 例中，初始基質(zhì)可具有在初始基質(zhì)上選擇性形成的透明材料，W形成有紋理基質(zhì)。參考圖7， 此類過程將形成在初始基質(zhì)上的平臺，W形成有紋理基質(zhì)610。在一個特定實(shí)施例中，縷空 掩?？芍糜诔跏蓟|(zhì)的表面上，并且透明材料可通過縷空掩模中的開口沉積，使得透明材 料的形狀對應(yīng)于形成平臺中的開口的形狀?？墒褂闷渌纬杉夹g(shù)而不背離所附權(quán)利要求的 范圍。
[0062] 下述加工順序基于如圖6和7中所示的有紋理基質(zhì)600和支撐基質(zhì)610。用于其他有 紋理基質(zhì)例如圖8和9中的有紋理基質(zhì)的加工可基本上如就圖6和7而言所述執(zhí)行。
[0063] 陽光控制層可在有紋理基質(zhì)600上形成，如圖10中所示。陽光控制層包括沿主表面 602放置的部分802, W及沿溝槽620的底表面624放置的部分824。如圖10和11中所示，陽光 控制層不沿側(cè)壁622的基本上全部放置，并且因此在如圖11中所示的實(shí)施例中，側(cè)壁622的 部分在陽光控制層的部分802和824之間是暴露的。盡管陽光控制層可包括傳導(dǎo)材料的一個 或多個層，但部分802與彼此和部分824間隔開。因此，部分802和824彼此并非電連接。根據(jù) 在與主表面602垂直的方向上的頂視圖，部分802不上覆部分824。在另一個實(shí)施例中，僅小 部分例如小于5%的部分802上覆部分824。
[0064] 陽光控制層可使用技術(shù)形成，與垂直表面例如溝槽620的側(cè)壁622相比較，所述技 術(shù)沿水平表面例如溝槽620的主表面602和底表面624更容易形成陽光控制層。陽光控制層 可非共形沉積在有紋理基質(zhì)620上。在一個實(shí)施例中，非共形沉積使用物理氣相沉積或化學(xué) 氣相沉積技術(shù)在真空中執(zhí)行。在一個特定實(shí)施例中，非共形沉積使用瓣射、離子束沉積、電 鍛或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積執(zhí)行。在一個特定實(shí)施例中，陽光控制層可通過D切茲控、脈 沖DC、雙脈沖DC或雙脈沖AC瓣射形成，使用由金屬或陶瓷金屬氧化物制成的可旋轉(zhuǎn)或平面 祀。需要或期望時，當(dāng)瓣射時可使用準(zhǔn)直器或另一種相似裝置，W幫助阻止或減少陽光控制 層沿側(cè)壁622的沉積。
[0065] 陽光控制層可沉積至運(yùn)樣的厚度，使得部分802不接觸部分824。厚度可根據(jù)溝槽 的深度表示，其中厚度在與側(cè)壁622間隔開的主表面602上進(jìn)行測量減少鄰近效應(yīng)）。在 一個實(shí)施例中，陽光控制層具有的厚度不大于主表面602和底表面624之間的高度差的 80%、不大于50%、不大于40%、不大于30%、或不大于9%。在另一個實(shí)施例中，陽光控制層 具有的厚度為主表面602和底表面624之間的高度差的至少0.02 %、至少0.05 %、至少 0.2%、至少0.5 %、至少2 %、至少11 %、或至少20 %。主表面602和底表面624之間的高度差 的百分比可在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如主表面602和底表面624之間的 高度差的0.02%至80%、0.05%至30%、或0.2%至9%內(nèi)?？商娲兀柟饪刂茖拥暮穸瓤?W測量單位而不是在相對基礎(chǔ)上表示。在一個實(shí)施例中，陽光控制層具有不大于1500nm、不 大于400nm、不大于160nm、不大于lOOnm的厚度，并且在另一個實(shí)施例中，陽光控制層具有至 少lOnm、至少20nm、至少40nm、或至少200nm的厚度。厚度可在上述最大值和最小值中任意者 的范圍內(nèi)，例如lOnm至1500nm、20nm至400nm、40nm至160nm、或50nm至lOOnm內(nèi)。
[0066] 在陽光控制層內(nèi)的層數(shù)目、組成和層厚度選擇為允許可見光的大量透射，同時使 顯著量的近IR福射衰減。在陽光控制層內(nèi)的層可包括銀基層、金屬基層（除銀基層外的其 他）、金屬氧化物層、金屬氮化物層，并且還可包括阻擋層。上文描述的一個或多個銀基層中 的任一個可含有銀，并且在特定實(shí)施例中，可基本上由銀組成。如本文使用的，短語"基本上 由銀組成"指含有至少95原子％銀的銀基層。在其他實(shí)施例中，一個或多個銀基層可具有不 大于30原子％、不大于20原子％、或甚至不大于10原子％的另一種金屬，所述另一種金屬例 如金、銷、鈕、銅、侶、銅、鋒或其任意組合。本文描述的一個或多個金屬基層中的任一個可基 本上由金屬組成。如本文使用的，短語"基本上由金屬組成"指至少95原子％的金屬。
[0067] -個或多個銀基層中的任一個可具有至少0.1 nm、至少0.5nm、或甚至至少Inm的厚 度。此外，一個或多個銀基層中的任一個可具有不大于約lOOnm、不大于50nm、不大于25nm、 或甚至不大于20nm的厚度。此外，一個或多個銀基層中的任一個可具有在上述最大值和最 小值中任意者的范圍內(nèi)，例如〇.5nm至約25nm、或甚至Inm至20nm內(nèi)的厚度。
[0068] 在一個實(shí)施例中，本文描述的一個或多個金屬基層中的任一個可含有基本上純的 金屬，或在其他實(shí)施例中，金屬合金。在其他實(shí)施例中，一個或多個金屬基層中的任一個可 含有金屬合金，例如含有基于金屬基層的總重量，W至少70原子％濃度的主要金屬和W小 于30原子％濃度的次要金屬。本文描述的一個或多個金屬基層中的任一個可含有包括金、 鐵、侶、銷、鈕、銅、銅、鋒或其組合的金屬。在一個特定實(shí)施例中，本文描述的一個或多個金 屬基層中的任一個可含有金。在其他特定實(shí)施例中，金屬基層可基本上不含金。如本文使用 的，短語"基本上不含金"指含有小于5原子％金的金屬基層。
[0069] 上文描述的一個或多個金屬基層中的任一個可具有運(yùn)樣的厚度，其允許金屬基層 是基本上透明的，并且對銀基層提供足夠的保護(hù)。在一個特定實(shí)施例中，上文描述的一個或 多個金屬基層中的任一個可具有至少0.1皿、至少0.5皿、或甚至至少1皿的厚度。此外，上文 描述的一個或多個金屬基層中的任一個可具有不大于lOOnm、不大于55nm、不大于5nm、或甚 至不大于約2nm的厚度。
[0070] 上文描述的一個或多個金屬基層中的任一個可具有相同厚度或可具有不同厚度。 在一個特定實(shí)施例中，一個或多個金屬基層各自具有基本上相同的厚度。如本文使用的， "基本上相同的厚度"指在彼此10%內(nèi)的厚度。金屬氧化物基層可鄰近或甚至直接接觸相對 銀基層的金屬基層的主表面設(shè)置。
[0071] 上文討論的一個或多個金屬氧化物層中的任一個可含有金屬氧化物，例如氧化鐵 (例如Ti〇2)、氧化侶、Bi〇2、PbO、師0、5記11〇、511〇2、51〇2、211〇或其任意組合。在一個特定實(shí)施 例中，金屬氧化物層可含有氧化鐵或氧化侶，且甚至基本上由氧化鐵或氧化侶組成。金屬氧 化物層可具有至少約0.5皿、至少Inm、或至少化m的厚度，并且在另一個實(shí)施例中，可具有不 大于lOOnm、不大于50nm、不大于20nm、或甚至不大于lOnm的厚度。此外，上文討論的一個或 多個金屬氧化物層中的任一個可具有在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如 0.5nm至lOOnm、或甚至2nm至50nm內(nèi)的厚度。
[0072] 圖12包括在溝槽填充材料1002填充溝槽620的剩余部分后的圖示。在如圖12中所 示的實(shí)施例中，溝槽填充材料1002還上覆陽光控制層的部分802。溝槽填充材料1002在部分 802上的厚度可為至少0.2微米、至少0.5微米、至少0.8微米或至少1.1微米，并且在另一個 實(shí)施例中，厚度不大于7微米、不大于5微米、不大于4微米、或不大于3微米。厚度可在上述最 大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如0.2微米至7微米、0.5微米至5微米、0.8微米至4微 米、或1.1微米至3微米內(nèi)。在另一個實(shí)施例中，溝槽填充材料1002基本上無一上覆部分802。 在此類實(shí)施例中，溝槽填充材料1002的上表面可在主表面602的高度和接近溝槽602的部分 802的上表面之間的高度處。在其中關(guān)注霧度的一個實(shí)施例中，溝槽填充材料1002可填充溝 槽620且上覆部分802, W減少溝槽620內(nèi)和緊在溝槽620上方的材料界面的數(shù)目，例如圖12 中所示。
[0073] 在一個特定實(shí)施例中，當(dāng)有紋理基質(zhì)600和溝槽填充材料1002的折射率相同時，霧 度還可減少。如果溝槽填充材料1002的厚度小于300皿，則有紋理基質(zhì)600和后續(xù)形成的透 明耐候?qū)又g的折射率可相同。如果溝槽624的底部（圖6)和支撐基質(zhì)610之間的距離小于 300nm，則支撐基質(zhì)610和溝槽填充材料1002的折射率可相同。
[0074] 溝槽填充材料1002可包括如先前就有紋理基質(zhì)600而言描述的材料中的任一種。 在一個實(shí)施例中，溝槽填充材料1002包括粘合劑，例如層壓粘合劑或壓敏粘合劑。在一個實(shí) 施例中，溝槽填充材料1002可包括聚醋、丙締酸醋、聚乙酸乙締醋（"PVAc")、聚乙締醇縮下 醒、聚乙締醇（"PVA")、娃橡膠、另一種合適的粘合劑或其任意混合物。在另一個實(shí)施例中， 溝槽填充材料1002不是粘合劑。在此類實(shí)施例中，溝槽填充材料1002可包括納米顆粒，例如 二氧化娃、Ti〇2、ITO、滲雜有Sb的Sn化。納米顆粒旨在將溝槽填充材料1002的折射率增加(在 ΙΤΟ、滲雜有訊的Sn化的情況下）、Ti化)或減少(在二氧化娃的情況下)至有紋理基質(zhì)600的材 料的折射率，并且因此減少霧度。在此類實(shí)施例中，溝槽填充材料1002可涂布且固化。該特 定實(shí)施例可能需要分開的粘附層，W允許溝槽填充材料1002粘附至后續(xù)附著的層，例如耐 候?qū)印?br>[0075] 可執(zhí)行用于有紋理基質(zhì)600和溝槽填充材料1002的材料選擇W實(shí)現(xiàn)特定性質(zhì)。例 如，霧度可為關(guān)注問題，并且為了減少霧度，用于有紋理基質(zhì)600和溝槽填充材料1002的材 料的折射率可在彼此的0.03內(nèi)，在彼此的0.02內(nèi)，或在彼此的0.01內(nèi)。折射率在20°C下用福 射源進(jìn)行測定，所述福射源發(fā)出在589皿處的光(黃光）。當(dāng)折射率不同時，有紋理基質(zhì)600的 材料的折射率可高于溝槽填充材料1002,或反之亦然。在一個特定實(shí)施例中，有紋理基質(zhì) 600可包括具有約1.49的折射率的丙締酸醋，并且溝槽填充材料1002可包括具有約1.47的 折射率的PVAc。在另一個特定實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)600可包括具有約1.54的折射率的玻璃 (Si化），并且溝槽填充材料1002可包括具有約1.53的折射率的PVA。因此，在閱讀本說明書 后，技術(shù)人員將能夠確定用于有紋理基質(zhì)600和溝槽填充材料1002的匹配材料對，W實(shí)現(xiàn)相 對低的霧度。
[0076] 圖13包括基本上完成的透明復(fù)合材料1100的圖示，所述透明復(fù)合材料1100可為設(shè) 計為應(yīng)用于窗戶（未示出）的透明膜。硬涂層1110在相對有紋理基質(zhì)600的表面上沿支撐材 料610放置。硬涂層1110可提供耐磨性中的改善，使得支撐層610不太可能被劃傷。硬涂層 1110可包括交聯(lián)丙締酸醋、含有納米顆粒例如Si化或Al2〇3的丙締酸醋、或其任意組合。硬涂 層1110可具有在1微米至5微米范圍內(nèi)的厚度。
[0077] 透明復(fù)合材料1100還可包括在溝槽填充材料1002上的透明耐候?qū)?102。透明耐候 層1102幫助保護(hù)陽光控制層。透明耐候?qū)?102具有可見光的高透射，并且對在長期暴露于 太陽下的泛黃或開裂相對抗性。透明耐候?qū)?102可包括如先前就支撐基質(zhì)610而言描述的 材料中的任一種。透明耐候?qū)?102可具有在10微米至50微米范圍內(nèi)的厚度。當(dāng)溝槽填充材 料1002是層壓粘合劑或壓敏粘合劑時，透明耐候?qū)?102可應(yīng)用于溝槽填充材料1002。當(dāng)溝 槽填充材料1002并非粘合劑時，粘合劑例如壓敏粘合劑可用于將透明耐候?qū)?102粘附至溝 槽填充材料1002。
[0078] 粘附層1104設(shè)置在透明耐候?qū)?102和剝離層1106之間。當(dāng)溝槽填充材料1002是粘 合劑時，粘附層1104可包括如先前就溝槽填充材料1002而言描述的粘附材料和厚度中的任 一種。在另一個實(shí)施例中，粘附層1104可包括任何粘合劑，所述粘合劑為透明的且對于粘附 層1104的特定厚度具有對于可見光至少85%的透明度。在一個實(shí)施例中，粘附層是壓敏粘 合劑。在一些情況下，一旦安裝在窗戶上，粘附層1104就是待由日光穿過的透明復(fù)合材料內(nèi) 的第一層。在此類情況下，UV抗性層可用作粘附層1104例如丙締酸醋。可加入添加劑例如UV 吸收劑，W便增加整個透明復(fù)合材料1100的耐久性。剝離襯里1106在透明復(fù)合材料1100的 運(yùn)送和處理期間保護(hù)粘附層1104。剝離襯里1106將在透明復(fù)合材料1100應(yīng)用于窗戶之前去 除。因此，剝離襯里1106的透射性質(zhì)并不重要;剝離襯里1106對可見光可為不透明的或可為 半透明的。因此，剝離襯里1106的組成和厚度并非關(guān)鍵。在其中透明復(fù)合材料1100作為卷膽 存的一個特定實(shí)施例中，剝離襯里1106的厚度選擇為允許透明復(fù)合材料1100為柔性的。在 另一個實(shí)施例中，不使用剝離襯里1106。例如，透明復(fù)合材料1100可在透明復(fù)合材料1100制 造后不久安裝在窗戶上。在應(yīng)用粘附層1104后，透明復(fù)合材料1100可安裝在窗戶上。
[0079] 在一個不同實(shí)施例中，透明復(fù)合材料可在窗戶上或使用窗戶進(jìn)行制造。在一個特 定實(shí)施例中，支撐基質(zhì)610和硬涂層610可替換為窗戶。窗戶可包括玻璃、藍(lán)寶石、尖晶石、 A10N或前述的任何復(fù)合材料例如透明防護(hù)殼(armor)。有紋理基質(zhì)600可在窗戶表面上形成 或應(yīng)用于窗戶表面。陽光控制層可如先前描述的形成?？墒褂萌缦惹懊枋龅臏喜厶畛洳牧?1002和透明耐候?qū)?104。在該實(shí)施例中，透明耐候?qū)?104可具有最高達(dá)1000微米的厚度。硬 涂層隨后將在透明耐候?qū)?104上形成，其中硬涂層具有如先前就硬涂層1110而言描述的組 成和厚度。
[0080] 在另一個不同實(shí)施例中，窗戶還可替換有紋理基質(zhì)600。在該實(shí)施例中，窗戶的表 面可通過掩蔽層覆蓋，并且窗戶的一部分可蝕刻或W其他方式去除，W形成具有如先前就 有紋理基質(zhì)600而言描述的平臺和溝槽的表面。在去除掩模后，陽光控制層、透明耐候?qū)雍?硬涂層的制造與先前實(shí)施例中所述基本上相同。在一個進(jìn)一步的實(shí)施例中，可通過使用縷 空掩模，且將透明材料選擇性沉積到窗戶上W實(shí)現(xiàn)有紋理基質(zhì)，使窗戶具有紋理。在一個進(jìn) 一步的實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)600可包括玻璃。在形成陽光控制層后，溝槽的剩余部分可填 充有溝槽填充材料，其包括滲雜有納米顆粒的聚乙締醇縮下醒(PVB)，W增加溝槽填充材料 的折射率，W更接近于玻璃或與玻璃相同。
[0081] 參考圖4,當(dāng)在特定實(shí)施例中形成陽光控制層時，可發(fā)生沿側(cè)壁的一定沉積。此類 側(cè)壁沉積不是問題，條件是陽光控制層的側(cè)壁部分的電阻足夠高。如本文使用的，臺階覆蓋 率(St邱coverage)是如與側(cè)壁垂直測量的沿側(cè)壁的層最小厚度除W除去任何拓?fù)鋵W(xué)變化 沿水平表面空間的層厚度的百分比。在一個實(shí)施例中，例如圖4中所示的那種，臺階覆蓋率 可不大于50 %。在另一個實(shí)施例中，臺階覆蓋率可小于20 %、小于9 %、小于5 %、或小于 0.9%。當(dāng)臺階覆蓋率為0%時，層沿側(cè)壁是不連續(xù)的。因此，圖2示出了其中臺階覆蓋率為 0 %的一個實(shí)施例。
[0082] 盡管90°的側(cè)壁角度不應(yīng)具有任何側(cè)壁沉積，但即使側(cè)壁角度為90°，陽光控制層 的一些也可變得沉積在側(cè)壁上。如果需要或期望陽光控制層的不連續(xù)性，則溝槽的形狀可 運(yùn)樣改變，使得在溝槽頂部處的溝槽寬度小于在與溝槽頂部間隔開的位置處的溝槽寬度。 參考圖14,有紋理基質(zhì)1200具有主表面1202和1204, W及具有模形形狀的溝槽1220。溝槽 1220具有側(cè)壁1222,其具有為純角的側(cè)壁角度alpha(a)。側(cè)壁角度可在90°至120°的范圍 內(nèi)。有紋理基質(zhì)600可通過具有模子的擠出形成，所述模子具有對應(yīng)于模形形狀溝槽1220的 圖案。
[0083] 在另一個實(shí)施例中，可形成具有底切部分的溝槽。參考圖15,本體層1300和覆蓋層 1310在支撐基質(zhì)610上形成。在一個特定實(shí)施例中，支撐基質(zhì)610可為窗戶，本體層1300可包 括滲雜玻璃，并且覆蓋層1310可包括無滲雜玻璃層。掩蔽層1340可在覆蓋層1310上形成且 圖案化，W形成對應(yīng)于其中形成溝槽1320的位置的開口。覆蓋層1310和本體層1300可各向 異性地蝕刻，W形成具有基本上垂直的側(cè)壁的溝槽1320。工件可暴露于各向同性蝕刻劑，其 蝕刻本體層1400更快于覆蓋層1410,如圖16中所示。在一個特定實(shí)施例中，本體層1400可為 憐滲雜玻璃，并且蝕刻劑可為HF酸溶液，因?yàn)楫?dāng)暴露于HF酸溶液時，憐滲雜玻璃比未滲雜玻 璃更快速蝕刻。因此，本體層1400內(nèi)的溝槽1420的寬度1440寬于覆蓋層1410內(nèi)的溝槽1420 的寬度1410。掩蔽層1340可在暴露于HF酸溶液之前或之后去除。
[0084] 圖17和18包括使用壓花技術(shù)形成的有紋理基質(zhì)和非共形沉積在有紋理基質(zhì)上的 金屬層的掃描電子顯微鏡圖像。溝槽具有2.2微米至2.4微米的寬度和小于5微米的深度。溝 槽的深度可在3.5至4.5微米的范圍內(nèi)。在其他實(shí)施例中，關(guān)于寬度和深度的值可為不同的。
[0085] 對于圖14和16至18中描述且示出的實(shí)施例各自，陽光控制層和溝槽填充材料1002 如先前描述的形成。由于溝槽的形狀，陽光控制層具有不連續(xù)部分。特別地，與在有紋理基 質(zhì)的頂表面處相比較，溝槽在與頂表面間隔開的點(diǎn)處更寬。在圖14中，在底部處的溝槽寬度 與在溝槽頂部和底部之間的中間位置的高度處是相同的。在圖16中，與在溝槽頂部和底部 之間的中間位置的高度處相比較，溝槽在溝槽的底部處更寬。在圖18中，溝槽從在溝槽內(nèi)垂 直延伸的中屯、線(與有紋理基質(zhì)的頂表面垂直)向外彎曲，使得寬度在溝槽頂部和底部之間 的高度處最大。圖14、16和18中的溝槽輪廓中的任一種可用于形成陽光控制層，使得陽光控 制層沿溝槽的壁將是不連續(xù)的。
[0086] 另一片玻璃可粘附至如圖14至18中所述和示出的實(shí)施例。PVB層可應(yīng)用于玻璃層， 并且將玻璃層和有紋理基質(zhì)與陽光控制層按壓在一起。PVB層可包括納米顆粒，W允許PVB 的折射率更好地匹配玻璃層。
[0087] 如本文描述的實(shí)施例具有超過其他結(jié)構(gòu)和過程的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)在垂直于表面的方向上 察看時，在陽光控制層的覆蓋中不存在橫向間隙。例如肝2005-104793中公開的常規(guī)窗戶膜 可沉積陽光控制層，隨后將層壓碎或W其他方式破壞或破碎，W使陽光控制層破壞成分開 的小片，W便使陽光控制層的部分彼此電斷開。其他常規(guī)窗戶膜可包括具有納米顆粒的膜。 另外其他的常規(guī)窗戶膜的陽光控制層的部分可通過激光消融或其他去除技術(shù)去除。在陽光 控制層的部分之間的橫向間隙（分開的小片、納米顆?；蚣す庀诘年柟饪刂茖?可允許顯 著的近I姆畐射通過常規(guī)窗戶膜。
[0088] 在另一個實(shí)施例中，在有紋理基質(zhì)內(nèi)的溝槽的寬度和縱橫比（深度與寬度的比率） 是運(yùn)樣的，使得陽光控制層無一或更小厚度的陽光控制層沿溝槽的底表面形成。在一個特 定實(shí)施例中，有紋理基質(zhì)可W相對于祀的速度移動，使得陽光控制層的很少或無一沿溝槽 的底表面形成。在一個進(jìn)一步的實(shí)施例中，工件可相對于祀傾斜，使得瓣射材料W與有紋理 基質(zhì)的主表面并非垂直的角度沉積。在另一個特定實(shí)施例中，溝槽的寬度可小于5微米、小 于4微米、小于3微米、小于1.5微米、小于1微米、或小于0.5微米，并且在一個進(jìn)一步的特定 實(shí)施例中，縱橫比為至少1:1、至少1.5:1、至少2:1、至少4:1或至少8:1。如在溝槽的中屯、內(nèi) 測量的，沿溝槽底部的厚度不大于在鄰近平臺上的陽光控制層厚度的70%、50%、30%或 9%。
[0089] 如上所述，新型透明復(fù)合材料包括在其上形成陽光控制層的有紋理基質(zhì)。如形成 的，陽光控制層包括彼此間隔開且電斷開的部分，或此類部分具有足夠高的有效方塊電阻， 使得高頻信號的衰減是可接受的低的。因此，根據(jù)本文描述的實(shí)施例的透明復(fù)合材料不具 有在陽光控制層的部分之間的橫向間隙，并且因此充分適合減少近IR福射的透射。因此，如 本文描述的實(shí)施例可能能夠?qū)崿F(xiàn)至少1.05、至少1.3、至少1.4、至少1.5、或至少1.6的 LTSHGC，W及對于W1.8G化、4細(xì)Z、6G化或之間的任何頻率例如4.5G化的電磁福射，不大于 lOdB、不大于8dB、或不大于7地、不大于5dB、不大于3dB、或不大于1地的衰減。因此，可實(shí)現(xiàn) 可見光和高頻的良好透射，同時維持近IR福射的低透射。在一個實(shí)施例中，VLT高于70%， SHGC低于47%，并且.8G化的電磁福射的衰減不大于10地、或不大于7地、不大于5地、不 大于3dB、或不大于IdB。在一個實(shí)施例中，VLT高于73%，SHGC低于69%，并且W1.8G化的電 磁福射的衰減不大于10地、或不大于7地、不大于5dB、不大于3dB、或不大于IdB。如本文描述 的形成透明復(fù)合材料的過程不設(shè)及形成多層圖案化的陽光控制層，并且因此需要更少的加 工操作。此外，根據(jù)頂視圖，平臺的大小和溝槽的寬度可運(yùn)樣加 W選擇，使得透明復(fù)合材料 具有對人眼（不放大）的均勻外觀。因此，不形成透明復(fù)合材料的行或列或者略微更亮或更 暗的部分。
[0090] 透明復(fù)合材料的霧度可通過下述保持很低：具有彼此平行的所有水平界面，使垂 直界面保持接近于90° (如相對于水平界面測量的），并且在此類垂直界面處，匹配在垂直界 面的相對側(cè)處的材料的折射率。因此，如圖12中所示的實(shí)施例充分適合于實(shí)現(xiàn)低霧度。如果 略微更高的霧度是可接受的，則界面無需是垂直的，例如圖14的實(shí)施例中所示，沿垂直界面 的材料的折射率無需如此緊密匹配(對于沿垂直界面的材料的折射率之間的差異，大于 0.03)，或其任意組合。因此，界面的定向和材料的選擇可受對其使用透明復(fù)合材料的特定 應(yīng)用影響。
[0091] 許多不同方面和實(shí)施例是可能的。運(yùn)些方面和實(shí)施例中的一些在本文中得到描 述。在閱讀本說明書后，技術(shù)人員應(yīng)了解運(yùn)些方面和實(shí)施例僅是舉例說明性的，并且不限制 本發(fā)明的范圍。實(shí)施例可根據(jù)如下文列出的項(xiàng)目中的任何一個或多個。
[0092] 項(xiàng)目1.一種透明復(fù)合材料，其包括：
[0093] 具有第一表面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽的有紋理基質(zhì)，所述側(cè)壁位于第 一表面和第二表面之間；
[0094] 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，所述第一部分上覆溝槽的第一表面，并 且所述第二部分上覆溝槽的第二表面，其中所述第二部分通過溝槽的側(cè)壁與所述第一部分 分開;和
[00M]上覆延伸到溝槽內(nèi)且上覆陽光控制層的第二部分的溝槽填充材料，
[0096] 其中所述透明復(fù)合材料具有不大于5%的霧度。
[0097] 項(xiàng)目2. -種透明復(fù)合材料，其包括：
[0098] 具有第一表面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽的有紋理基質(zhì)，所述側(cè)壁位于第 一表面和第二表面之間，其中所述有紋理基質(zhì)具有第一折射率；
[0099] 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，其中所述第一部分上覆第一表面，并且 所述第二部分上覆第二表面;和
[0100] 在溝槽內(nèi)且上覆陽光控制層的第二部分的溝槽填充材料，其中所述溝槽填充材料 具有第二折射率。
[0101 ]項(xiàng)目3. -種透明復(fù)合材料，其包括：
[0102] 具有第一表面、第二表面和側(cè)壁的有紋理基質(zhì)，其中：
[0103] 所述側(cè)壁從第一表面朝向第二表面延伸，并且與在第一表面處相比較，所述溝槽 在與第一表面間隔開的點(diǎn)處更寬;和
[0104] 所述第一表面位于與所述第二表面相比較不同的高度處，并且通過至少有紋理基 質(zhì)的側(cè)壁與第二表面分開;和
[0105] 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，所述第二部分通過有紋理基質(zhì)的側(cè)壁與 所述第一部分分開。
[0106] 項(xiàng)目4. 一種透明復(fù)合材料，其包括：
[0107] 具有第一表面、第二表面和側(cè)壁的有紋理基質(zhì)，其中：
[0108] 所述側(cè)壁從第一表面朝向第二表面延伸，并且具有至少50°的相應(yīng)側(cè)壁角度;和
[0109] 所述第一表面位于與所述第二表面相比較不同的高度處，并且通過至少有紋理基 質(zhì)的側(cè)壁與第二表面分開;和
[0110] 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，所述第二部分通過有紋理基質(zhì)的側(cè)壁與 所述第一部分分開。
[011。 項(xiàng)目5. -種透明復(fù)合材料，其包括：
[0112] 具有第一表面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽的有紋理基質(zhì)，所述側(cè)壁位于第 一表面和第二表面之間；和
[0113] 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，所述第一部分具有在第一表面上的第一 厚度，所述第二部分具有在第二表面上的第二厚度，其中如在溝槽的中屯、測量的，所述第二 厚度不大于所述第一厚度的70%。
[0114] 項(xiàng)目6. -種透明復(fù)合材料，其包括：
[0115] 具有第一表面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽的有紋理基質(zhì)，所述側(cè)壁位于第 一表面和第二表面之間，其中所述溝槽具有不大于4微米的寬度和大于1:1的深度：寬度的 縱橫比；和
[0116] 具有第一部分的陽光控制層，所述第一部分具有在第一表面上的第一厚度，并且 所述陽光控制層基本上無一沿溝槽內(nèi)的第二表面放置。
[0117] 其中所述第一折射率在所述第二折射率的0.03內(nèi)。
[011引項(xiàng)目7. -種透明復(fù)合材料，其包括：
[0119] 具有第一表面和第二表面的有紋理基質(zhì)，其中所述第二表面彼此間隔開，并且位 于與所述第一表面相比較不同的高度處;和
[0120] 陽光控制層包括上覆所述第一表面的連續(xù)層，其中所述陽光控制層的部分上覆第 二表面，其中所述連續(xù)層具有至少100歐姆/平方的有效方塊電阻。
[0121 ]項(xiàng)目8. -種透明復(fù)合材料，其包括：
[0122] 具有第一表面且限定溝槽的有紋理基質(zhì)，所述溝槽從第一表面朝向有紋理基質(zhì)的 沿溝槽的底部放置的第二表面延伸，其中所述溝槽具有在更接近于第一表面的高度處的第 一寬度，在更遠(yuǎn)離第一表面的高度處的第二寬度，并且所述第二寬度大于所述第一寬度;和
[0123] 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，其中根據(jù)頂視圖，所述第一部分上覆第 一表面，并且所述第二部分上覆第二表面。
[0124] 項(xiàng)目9. 一種透明復(fù)合材料，其包括：
[0125] 具有第一表面、側(cè)壁和第二表面的有紋理基質(zhì)，所述第二表面位于與所述第一表 面相比較不同的高度處，其中所述側(cè)壁從第一表面朝向第二表面延伸;和
[0126] 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，其中所述第一部分上覆第一表面，所述 第二部分上覆第二表面，
[0127] 其中所述透明復(fù)合材料：
[01 %]具有大于1.05的光太陽能熱增益系數(shù)化TS服C);和
[0129]使W1.8G化頻率的電磁福射衰減不大于7dB，或使W4.5G化頻率的電磁福射衰減 不大于15地。
[0130] 項(xiàng)目10. -種透明復(fù)合材料，其包括：
[0131] 具有第一表面、側(cè)壁和第二表面的有紋理基質(zhì)，所述第二表面位于與所述第一表 面相比較不同的高度處，其中所述側(cè)壁從第一表面朝向第二表面延伸;和
[0132] 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，其中所述第一部分上覆第一表面，所述 第二部分上覆第二表面，
[0133] 其中所述透明復(fù)合材料：
[0134] 具有包括金屬薄膜的陽光控制層;和
[0135] 使W1.8G化頻率的電磁福射衰減不大于7dB，或使W4.5G化頻率的電磁福射衰減 不大于15地。
[0136] 項(xiàng)目11. 一種形成透明復(fù)合材料的方法，其包括：
[0137] 提供具有第一表面、側(cè)壁和第二表面的有紋理基質(zhì)，所述第二表面位于與所述第 一表面相比較不同的高度處，其中所述側(cè)壁從第一表面朝向第二表面延伸;和
[0138] 在所述有紋理基質(zhì)上非共形沉積陽光控制層，其中在沿所述側(cè)壁的點(diǎn)處的臺階覆 蓋率不大于50%。
[0139] 項(xiàng)目12.項(xiàng)目11的方法，其中所述陽光控制層具有上覆第一表面的第一部分和位 于第二表面上的第二部分。
[0140] 項(xiàng)目13.項(xiàng)目11或12的方法，其中非共形沉積使用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積 技術(shù)在真空中執(zhí)行。
[0141] 項(xiàng)目14.項(xiàng)目11至13中任一項(xiàng)的方法，其中非共形沉積使用瓣射、離子束沉積、電 鍛或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積執(zhí)行。
[0142] 項(xiàng)目15.項(xiàng)目11至14中任一項(xiàng)的方法，其還包括去除沿側(cè)壁放置的陽光控制層的 部分，其中在去除所述陽光控制層的部分后，所述陽光控制層的第一部分和第二部分彼此 不連接。
[0143] 項(xiàng)目16.項(xiàng)目11至15中任一項(xiàng)的方法，其中提供有紋理基質(zhì)包括使用對應(yīng)于有紋 理基質(zhì)的模具或模子。
[0144] 項(xiàng)目17.項(xiàng)目16的方法，其中提供有紋理基質(zhì)包括使用模子擠出聚合物。
[0145] 項(xiàng)目18.項(xiàng)目16的方法，其中提供基質(zhì)包括使用模具使聚合物注射成型。
[0146] 項(xiàng)目19.項(xiàng)目16的方法，其中提供基質(zhì)包括使用模具使聚合物轉(zhuǎn)移成型。
[0147] 項(xiàng)目20.項(xiàng)目16的方法，其中提供基質(zhì)包括：
[014引涂布下面的基質(zhì)；
[0149] 用模子將層壓花;和
[0150] 在壓花期間使層固化。
[0151] 項(xiàng)目21.項(xiàng)目11至15中任一項(xiàng)的方法，其中提供有紋理基質(zhì)包括：
[0152] 提供具有大致平坦的第一表面的初始基質(zhì);和
[0153] 去除所述初始基質(zhì)的一部分，W形成有紋理基質(zhì)。
[0154] 項(xiàng)目22.項(xiàng)目11至15中任一項(xiàng)的方法，其中提供有紋理基質(zhì)包括：
[0155] 提供具有大致平坦的第一表面的初始基質(zhì);和
[0156] 在所述初始基質(zhì)的第一表面上選擇性形成透明材料，W形成有紋理基質(zhì)。
[0157] 項(xiàng)目23.項(xiàng)目22的方法，其中選擇性沉積包括：
[0158] 將縷空掩模放置在所述初始基質(zhì)的第一表面上;和
[0159] 通過所述縷空掩模中的開口沉積透明材料，使得在所述初始基質(zhì)的第一表面上的 所述透明材料的形狀對應(yīng)于所述開口的形狀。
[0160] 項(xiàng)目24.項(xiàng)目11至15中任一項(xiàng)的方法，其中形成有紋理基質(zhì)包括：
[0161] 在支撐基質(zhì)上形成第一層；
[0162] 在所述第一層上形成第二層；
[0163] 在所述第二層上形成圖案化的掩蔽層;和
[0164] 用蝕刻劑蝕刻所述第一層，所述蝕刻劑W大于第二層的蝕刻速率蝕刻第一層。
[0165] 項(xiàng)目25.項(xiàng)目11至24中任一項(xiàng)的方法，其還包括相對于祀移動所述有紋理基質(zhì)，使 得陽光控制層無一沿第二表面形成，或沿第二表面的陽光控制層厚度不大于沿第一表面的 陽光控制層厚度的70 %。
[0166] 項(xiàng)目26.項(xiàng)目11至25中任一項(xiàng)的方法，其還包括相對于祀平鋪所述有紋理基質(zhì)，使 得陽光控制層無一沿第二表面形成，或沿第二表面的陽光控制層厚度不大于沿第一表面的 陽光控制層厚度的70 %。
[0167] 項(xiàng)目27.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述側(cè)壁具有相應(yīng)的側(cè) 壁角度，其為至少50°、至少80°、至少85°、至少88°、或至少89°。
[0168] 項(xiàng)目28.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述側(cè)壁具有相應(yīng)的側(cè) 壁角度，其在50°至90°、80°至90°、85°至90°、88°至90°、或89°至90°的范圍內(nèi)。
[0169] 項(xiàng)目29.項(xiàng)目1至26中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述側(cè)壁具有大于90° 的相應(yīng)側(cè)壁角度。
[0170] 項(xiàng)目30.項(xiàng)目29的透明復(fù)合材料或方法，其中所述側(cè)壁具有在90.5至120°范圍內(nèi) 的相應(yīng)側(cè)壁角度。
[0171] 項(xiàng)目31.項(xiàng)目1、2和4至30中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中與在第一表面處 相比較，所述溝槽在與所述第一表面間隔開的點(diǎn)處更寬。
[0172] 項(xiàng)目32.項(xiàng)目3或31的透明復(fù)合材料或方法，其中根據(jù)橫截面視圖，所述溝槽從溝 槽的中屯、線向外彎曲。
[0173] 項(xiàng)目33.項(xiàng)目3或31的透明復(fù)合材料或方法，其中根據(jù)橫截面視圖，與溝槽的頂部 相比較，所述溝槽在溝槽的底部處更寬。
[0174] 項(xiàng)目34.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中：
[0175] 所述有紋理基質(zhì)限定從所述第一表面延伸的溝槽;和
[0176] 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，所述第一部分具有在第一表面上的第一 厚度，所述第二部分具有在第二表面上的第二厚度，其中如在溝槽的中屯、測量的，所述第二 厚度不大于所述第一厚度的70%、不大于50%、不大于30%、或不大于9%。
[0177] 項(xiàng)目35.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中：
[0178] 所述有紋理基質(zhì)限定從所述第一表面延伸的溝槽;和
[0179] 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，所述第一部分具有在第一表面上的第一 厚度，所述第二部分具有在第二表面上的第二厚度，其中如在溝槽的中屯、測量的，所述第二 厚度為所述第一厚度的至少1 %。
[0180] 項(xiàng)目36.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中有紋理基質(zhì)具有第一表 面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽，所述側(cè)壁位于第一表面和第二表面之間，其中所述 溝槽具有不大于5微米、不大于4微米、不大于3微米、不大于2.5微米、不大于1.5微米、不大 于0.9微米、或不大于0.5微米的寬度。
[0181] 項(xiàng)目37.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中有紋理基質(zhì)具有第一表 面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽，所述側(cè)壁位于第一表面和第二表面之間，其中所述 溝槽具有至少0.3微米或至少0.5微米的寬度。
[0182] 項(xiàng)目38.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中有紋理基質(zhì)具有第一表 面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽，所述側(cè)壁位于第一表面和第二表面之間，其中所述 溝槽具有大于1:1、至少1.5:1、至少2:1、至少4:1、或至少8:1的深度:寬度的縱橫比。
[0183] 項(xiàng)目39.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中有紋理基質(zhì)具有第一表 面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽，所述側(cè)壁位于第一表面和第二表面之間，其中所述 溝槽具有不大于1000:1的深度:寬度的縱橫比。
[0184] 項(xiàng)目40.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述透明復(fù)合材料具有 不大于5%、不大于4%、不大于3%、不大于2%、或不大于1%的霧度。
[0185] 項(xiàng)目41.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述透明復(fù)合材料具有 至少0.01 %的霧度。
[0186] 項(xiàng)目42.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其還包括具有第二折射率的 溝槽填充材料，其中所述有紋理基質(zhì)限定從第一表面延伸的溝槽，并且具有第一折射率，所 述溝槽填充材料在溝槽內(nèi)；和：
[0187] 所述第一折射率在所述第二折射率的0.03內(nèi)；
[0188] 所述第一折射率在所述第二折射率的0.02內(nèi)；或
[0189] 所述第一折射率在所述第二折射率的0.01內(nèi)。
[0190] 項(xiàng)目43.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述陽光控制層包括上 覆第一表面的連續(xù)層，其中所述連續(xù)層具有至少100歐姆/平方、至少200歐姆/平方、至少 400歐姆/平方、至少700歐姆/平方、至少1000歐姆/平方、或至少2000歐姆/平方的有效方塊 電阻。
[0191] 項(xiàng)目44.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述陽光控制層包括上 覆第一表面的連續(xù)層，其中所述連續(xù)層具有不大于1M歐姆/平方的有效方塊電阻。
[0192] 項(xiàng)目45.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述透明復(fù)合材料具有 大于1.05、大于1.3、大于1.4、大于1.5、或大于1.6的光太陽能熱增益系數(shù)化TS服C)。
[0193] 項(xiàng)目46.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述透明復(fù)合材料具有 不大于2.3的光太陽能熱增益系數(shù)化TS服C)。
[0194] 項(xiàng)目47.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述透明復(fù)合材料使W 1.8G化頻率的電磁福射衰減不大于7dB、不大于5dB、不大于3dB、或不大于IdB，或者使W 4.5G化頻率的電磁福射衰減不大于10地、不大于9地、不大于8地、或不大于7地。
[01%]項(xiàng)目48.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述透明復(fù)合材料使W 1.8G化頻率的電磁福射衰減至少0.01地。
[0196]項(xiàng)目49.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中在所述有紋理基質(zhì)的第 一表面和所述有紋理基質(zhì)的第二表面之間的高度差為至少50nm、至少300nm、或至少 lOOOnm。
[0197] 項(xiàng)目50.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中在所述有紋理基質(zhì)的第 一表面和所述有紋理基質(zhì)的第二表面之間的高度差不大于10微米、不大于4微米、不大于1 微米。
[0198] 項(xiàng)目51.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中在所述有紋理基質(zhì)的第 一表面和所述有紋理基質(zhì)的第二表面之間的高度差在50nm至10微米、300nm至4微米的范圍 內(nèi)。
[0199] 項(xiàng)目52.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)具有不 大于9cm、不大于9mm、不大于5mm、不大于4mm、或不大于900微米的間距。
[0200] 項(xiàng)目53.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)具有至 少0.11微米、至少0.5微米、至少1.1微米、或至少2微米的間距。
[0201] 項(xiàng)目54.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)具有在 0.11微米至9cm、0.5微米至9mm、1.1微米至5微米、或至少2微米至4微米范圍內(nèi)的間距。
[0202] 項(xiàng)目55.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)限定具 有不大于10微米、不大于6微米、或不大于5微米的深度的溝槽。
[0203] 項(xiàng)目56.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)限定具 有至少0.05微米、至少0.3微米、至少1微米、或至少2微米的深度的溝槽。
[0204] 項(xiàng)目57.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)限定具 有在0.3微米至10微米、1微米至6微米、或2微米至5微米范圍內(nèi)的深度的溝槽。
[0205] 項(xiàng)目58.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)限定具 有寬度和深度的溝槽，其中所述寬度在沿所述深度的中點(diǎn)處進(jìn)行測量，其中所述寬度不大 于90微米、不大于70微米、不大于50微米、不大于30微米、不大于9微米、或不大于5微米。
[0206] 項(xiàng)目59.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)限定具 有寬度和深度的溝槽，其中所述寬度在沿所述深度的中點(diǎn)處進(jìn)行測量，其中所述寬度為至 少0.11微米、至少1.1微米、至少2微米、至少3微米、至少4微米、至少5微米、或至少11微米。
[0207] 項(xiàng)目60.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)限定具 有寬度和深度的溝槽，其中所述寬度在沿所述深度的中點(diǎn)處進(jìn)行測量，其中所述寬度在 0.11微米至90微米、1.1微米至70微米、5微米至50微米、或2微米至30微米、或3微米至9微米 的范圍內(nèi)。
[0208] 項(xiàng)目61.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)限定具 有底表面的溝槽，其中根據(jù)頂視圖，沿所述溝槽的底表面的面積除W所述有紋理基質(zhì)的表 面積的百分比不大于50%、不大于0.1 %、或不大于0.01 %。
[0209] 項(xiàng)目62.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)限定溝 槽，其中所述第二表面是所述溝槽的底表面，其中根據(jù)頂視圖，沿所述溝槽的底表面的面積 除W所述有紋理基質(zhì)的表面積的百分比為至少1χ10-5%、至少1χ10-4%、或至少1χ10- 3%。
[0210] 項(xiàng)目63.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)限定溝 槽，其中所述第二表面是底表面，其中根據(jù)頂視圖，沿所述溝槽的底表面的面積除W所述有 紋理基質(zhì)的表面積的百分比在1別〇4%至50%、1^0^%至1%、或^10^%至0.01%的范圍 內(nèi)。
[ow]項(xiàng)目64.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述陽光控制層具有的 厚度不大于所述有紋理基質(zhì)的第一表面和所述有紋理基質(zhì)的第二表面之間的高度差的 80%、不大于50%、不大于40%、不大于30%、不大于90%、或不大于9%。
[0212] 項(xiàng)目65.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述陽光控制層具有的 厚度為所述有紋理基質(zhì)的第一表面和所述有紋理基質(zhì)的第二表面之間的高度差的至少 0.02%、至少0.05%、至少0.2%、至少0.5%、至少2%、至少11 %、或至少20%。
[0213] 項(xiàng)目66.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述陽光控制層具有的 厚度在所述有紋理基質(zhì)的第一表面和所述有紋理基質(zhì)的第二表面之間的高度差的0.02% 至80%、0/05%至30%、或0.2%至9%范圍內(nèi)。
[0214] 項(xiàng)目67.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述陽光控制層具有在 所述第一表面上的厚度，其不大于1500nm、不大于400nm、不大于160nm、或不大于lOOnm。
[0215] 項(xiàng)目68.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述陽光控制層具有在 所述第一表面上的厚度，其為至少lOnm、至少20nm、至少40nm、或至少200nm。
[0216] 項(xiàng)目69.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述陽光控制層具有在 所述第一表面上的厚度，其在10皿至1500皿、20皿至400皿、40皿至160皿、或50皿至200皿的 范圍內(nèi)。
[0217] 項(xiàng)目70.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中：
[0218] 所述第一表面是所述有紋理基質(zhì)的第一主表面；
[0219] 所述有紋理基質(zhì)具有相對所述第一主表面的第二主表面;和
[0220] 所述有紋理基質(zhì)的厚度對應(yīng)于所述第一主表面和第二主表面之間的距離。
[0221] 項(xiàng)目71.項(xiàng)目70的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)的厚度為至少 llOnm、至少200nm、至少500nm、或至少1.1微米。
[0222] 項(xiàng)目72.項(xiàng)目70或71的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)的厚度不大于 20微米、不大于9微米、不大于7微米。
[0223] 項(xiàng)目73.項(xiàng)目69至72中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)的厚 度在llOnm至20微米、500nm至9微米、或1.1微米至7微米的范圍內(nèi)。
[0224] 項(xiàng)目74.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其還包括支撐基質(zhì)，其中所述 有紋理基質(zhì)設(shè)置在支撐基質(zhì)和陽光控制層之間。
[0225] 項(xiàng)目75.項(xiàng)目74的透明復(fù)合材料或方法，其中所述支撐基質(zhì)的厚度為至少11微米、 至少17微米、或至少25微米。
[0226] 項(xiàng)目76.項(xiàng)目74或75的透明復(fù)合材料或方法，其中所述支撐基質(zhì)的厚度不大于900 微米、不大于600微米、或不大于300微米。
[0227] 項(xiàng)目77.項(xiàng)目74至76中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)的厚 度在11微米至900微米、17微米至600微米、或25微米至300微米的范圍內(nèi)。
[0228] 項(xiàng)目78.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其還包括溝槽填充材料，其 中：
[0229] 所述有紋理基質(zhì)限定具有側(cè)壁的溝槽，所述側(cè)壁位于第一表面和第二表面之間； 和
[0230] 所述溝槽填充材料在溝槽內(nèi)并且上覆陽光控制層的第二部分。
[0231 ]項(xiàng)目79.項(xiàng)目78的透明復(fù)合材料或方法，其中所述溝槽填充材料上覆第一表面，并 且在所述第一表面上的所述溝槽填充材料的厚度為至少0.2微米、至少0.5微米、至少0.8微 米、或至少1.1微米。
[0232] 項(xiàng)目80.項(xiàng)目78或79的透明復(fù)合材料或方法，其中所述溝槽填充材料上覆第一表 面，并且在所述第一表面上的所述溝槽填充材料的厚度不大于7微米、不大于5微米、不大于 4微米、或不大于3微米。
[0233] 項(xiàng)目81.項(xiàng)目78至80中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述溝槽填充材料上 覆第一表面，并且在所述第一表面上的所述溝槽填充材料的厚度在0.2微米至7微米、0.5微 米至5微米、0.8微米至4微米、或1.1微米至3微米的范圍內(nèi)。
[0234] 項(xiàng)目82.項(xiàng)目78至81中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)包含 不同于所述溝槽填充材料的第一材料。
[0235] 項(xiàng)目83.項(xiàng)目82的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)包含丙締酸醋，并且 所述溝槽填充材料包含乙酸醋。
[0236] 項(xiàng)目84.項(xiàng)目82的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)包含玻璃，并且所述 溝槽填充材料包含聚乙締醇。
[0237] 項(xiàng)目85.項(xiàng)目82的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)包含玻璃，并且所述 溝槽填充材料包含具有納米顆粒的聚乙締醇縮下醒，與不具有所述納米顆粒的聚乙締醇縮 下醒相比較，所述納米顆粒幫助更緊密地匹配玻璃的折射率。
[0238] 項(xiàng)目86.項(xiàng)目1至16、21至83和85中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋 理基質(zhì)包含無機(jī)材料。
[0239] 項(xiàng)目87,項(xiàng)目86中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)包含玻璃、 藍(lán)寶石、尖晶石或氮氧化侶。
[0240] 項(xiàng)目88.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述溝槽填充材料包含 層壓粘合劑或壓敏粘合劑。
[0241] 項(xiàng)目89.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述溝槽填充材料包含 聚醋、丙締酸醋、聚乙酸乙締醋、聚乙締醇縮下醒、聚乙締醇、娃橡膠或其任意混合物。
[0242] 項(xiàng)目90.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述溝槽填充材料包含 納米顆粒。
[0243] 項(xiàng)目91.項(xiàng)目90的透明復(fù)合材料或方法，其中所述納米顆粒包括二氧化娃、Ti〇2、 氧化銅錫或滲雜有Sb的Sn化。
[0244] 項(xiàng)目92.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)包含透 明聚合物。
[0245] 項(xiàng)目93.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)包含聚 丙締酸醋、聚醋、聚碳酸醋、聚硅氧烷、聚酸或聚乙締化合物。
[0246] 項(xiàng)目94.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述陽光控制層包含金 屬、金屬合金、金屬氧化物或金屬合金。
[0247] 項(xiàng)目95.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述陽光控制層包括一 個或多個Ag層，和：
[0248] (1)-個或多個金、銷、鈕、銅、侶、銅、鋒或其任意組合層；
[0249] (2)-個或多個氧化鐵（例如 Ti〇2)、氧化侶、Bi〇2、饑 0、師 0、SnZnO、Sn〇2、Si〇2、ZnO 或其任意組合層;或 [0巧0] (1)和（2)兩者。
[0251] 項(xiàng)目96.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其還包括在所述有紋理基質(zhì) 下面的支撐基質(zhì)。
[0252] 項(xiàng)目97.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其還包括硬涂層，其中所述有 紋理基質(zhì)設(shè)置在陽光控制層和硬涂層之間。
[0253] 項(xiàng)目98.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其還包括剝離層，其中所述陽 光控制層設(shè)置在有紋理基質(zhì)和剝離層之間。
[0254] 項(xiàng)目99.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)包括平 臺和在所述平臺之間的互聯(lián)溝槽。
[0255] 項(xiàng)目100.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)包括間 隔開的溝槽。
[0256] 項(xiàng)目101.前述項(xiàng)目中任一項(xiàng)的透明復(fù)合材料或方法，其中所述有紋理基質(zhì)具有平 臺和凹進(jìn)的棋盤圖案。
[0257] 應(yīng)當(dāng)指出并非需要上文一般描述或?qū)嵗忻枋龅乃谢顒?，特定活動的一部分?能是不需要的，并且除所述那些之外，可執(zhí)行一種或多種另外的活動。再進(jìn)一步地，活動列 出的次序不一定是它們執(zhí)行的次序。
[0巧引 實(shí)例
[0259] 實(shí)例僅作為舉例說明而給出，并且不限制如所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明范圍。 實(shí)例證實(shí)可形成包括陽光控制層的透明復(fù)合材料，其具有良好的太陽能性能，而不具有關(guān) 于高頻信號的過度信號傳輸衰減。
[0260] 實(shí)例1使用50微米(2密耳）的透明聚對苯二甲酸乙二醇醋(PET)基質(zhì)執(zhí)行?？捎米?外線福射固化的丙締酸醋樹脂(UV-丙締酸醋樹脂)應(yīng)用于PET基質(zhì)的一側(cè)上，并且通過在UV 固化期間使用圖案化印章進(jìn)行壓花。圖案化印章包括具有通過光致抗蝕劑的光刻制備的圖 案的娃片。在PET基質(zhì)上壓花的圖案化UV-丙締酸醋樹脂具有下述尺寸的格柵圖案:3mm的間 距、2.2微米的溝槽寬度;和4微米的溝槽深度。
[0261] 隨后，使用試點(diǎn)分批瓣射工具，在壓花結(jié)構(gòu)之上瓣射陽光控制層。在進(jìn)入真空沉積 室之前，PET基質(zhì)用膠帶粘至一片平坦玻璃。陽光控制層包括具有下述組成的多重膜，并且 W下述順序形成:30nm Ti〇2/<lnm Au/10nmAg/<lnm Au/30nm Ti〇2。厚度基于沉積條件的先 前校準(zhǔn)，其通過使用機(jī)械輪廓儀測量在玻璃上沉積的單層厚度。
[0262] 實(shí)例2不同于實(shí)例1之處僅在于溝槽寬度，其為4微米而不是2.2微米。
[0263] 實(shí)例3不同于實(shí)例1之處僅在于UV-丙締酸醋樹脂不進(jìn)行壓花。因此，實(shí)例3沒有圖 案。
[0264] 實(shí)例4不同于實(shí)例2之處僅在于陽光控制層的組合物的順序。在實(shí)例4中，陽光控制 層包括具有下述組成的多重膜，并且W下述順序形成:<lnmAu/10nm Ag/<lnm Au。
[0265] 實(shí)例5不同于實(shí)例3之處僅在于陽光控制層的組成順序。在實(shí)例5中，陽光控制層包 括具有下述組成的多重膜，并且W下述順序形成:<lnm Au/lOnm Ag/<lnm Au。
[0266] 方塊電阻使用非接觸方塊電阻使用儀器例如Nagy系統(tǒng)進(jìn)行測量。
[0267]射頻信號傳輸?shù)臏y量在如圖19中所示的專口設(shè)計的傳輸設(shè)置上進(jìn)行。兩個卿趴天 線W垂直極化配置彼此相對固定。網(wǎng)絡(luò)分析器用作信號源和接收器。網(wǎng)絡(luò)分析器連接至W 4.5G化操作的發(fā)射和接收天線。使用發(fā)射天線，生成電磁場，其假定在被測裝置(DUT)的位 置處為平面波。此類測量設(shè)置的校準(zhǔn)用經(jīng)過在其中不含樣品的開口的信號執(zhí)行，即通過空 氣傳輸。所有下述測量因此對應(yīng)于就傳播通過空氣的信號而言的通過樣品的傳輸值(在測 量設(shè)置的開口的限度內(nèi)）。下表1包括收集的數(shù)據(jù)。
[0%引 表1
[0269]
[0270] 實(shí)例1、2和4根據(jù)如本文描述的概念進(jìn)行構(gòu)建，并且實(shí)例3和5是比較實(shí)例。圖20包 括根據(jù)方塊電阻的傳輸衰減的曲線圖。明確觀察到的是根據(jù)上述尺寸的圖案格柵的添加允 許射頻傳輸中的顯著改善(〉-15地衰減），并且因此與在非圖案化層上形成的陽光控制層相 反，當(dāng)窗戶具有在圖案化層上形成的陽光控制層時，關(guān)于高頻無線通信的信號強(qiáng)度中的損 失顯著減少。
[0271] 益處、其他優(yōu)點(diǎn)和問題解決方案已在上文就具體實(shí)施例而言進(jìn)行描述。然而，所述 益處、優(yōu)點(diǎn)、問題解決方案和可引起任何益處、優(yōu)點(diǎn)或解決方案發(fā)生或變得更顯著的任何一 個或多個特征不應(yīng)解釋為任何或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵、所需或基本特征。
[0272] 本文描述的實(shí)施例的詳述和例證預(yù)期提供各個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的一般理解。詳述和 例證不旨在充當(dāng)儀器和系統(tǒng)的所有元件和特征的窮舉和廣泛描述，所述儀器和系統(tǒng)使用本 文描述的結(jié)構(gòu)或方法。為了清楚起見，本文在分開的實(shí)施例的背景下描述的某些特征還可 在單個實(shí)施例中組合提供。相反，為了簡潔起見，在單個實(shí)施例的背景下描述的各個特征也 可分開或W任何子組合提供。此外，提及W范圍陳述的值包括該范圍內(nèi)的每個和每一個值。 僅在閱讀本說明書后，許多其他實(shí)施例對于本領(lǐng)域技術(shù)人員可為顯而易見的。其他實(shí)施例 可使用且來源于本公開內(nèi)容，使得可作出結(jié)構(gòu)替換、邏輯替換或另一種變化，而不背離本公 開內(nèi)容的范圍。相應(yīng)地，本公開內(nèi)容應(yīng)視為舉例說明性的而不是限制性的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種透明復(fù)合材料，其包括： 具有第一表面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽的有紋理基質(zhì)，所述側(cè)壁位于所述第 一表面和所述第二表面之間； 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，所述第一部分上覆所述第一表面，并且所述 第二部分上覆所述第二表面，其中所述第二部分通過所述溝槽的側(cè)壁與所述第一部分分 開;和 上覆延伸到所述溝槽內(nèi)且上覆所述陽光控制層的第二部分的溝槽填充材料， 其中所述透明復(fù)合材料具有不大于5 %的霧度。2. -種透明復(fù)合材料，其包括： 具有第一表面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽的有紋理基質(zhì)，所述側(cè)壁位于所述第 一表面和所述第二表面之間，其中所述有紋理基質(zhì)具有第一折射率； 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，其中所述第一部分上覆所述第一表面，并且 所述第二部分上覆所述第二表面;和 在所述溝槽內(nèi)且上覆所述陽光控制層的第二部分的溝槽填充材料，其中所述溝槽填充 材料具有第二折射率， 其中所述第一折射率在所述第二折射率的〇. 03內(nèi)。3. -種透明復(fù)合材料，其包括： 具有第一表面、第二表面和側(cè)壁的有紋理基質(zhì)，其中： 所述側(cè)壁從所述第一表面朝向所述第二表面延伸，并且與在所述第一表面處相比較， 所述溝槽在與所述第一表面間隔開的點(diǎn)處更寬;和 所述第一表面位于與所述第二表面相比較不同的高度處，并且通過至少所述有紋理基 質(zhì)的側(cè)壁與所述第二表面分開;和 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，所述第二部分通過所述有紋理基質(zhì)的側(cè)壁與 所述第一部分分開。4. 一種透明復(fù)合材料，其包括： 具有第一表面、第二表面和側(cè)壁的有紋理基質(zhì)，其中： 所述側(cè)壁從所述第一表面朝向所述第二表面延伸，并且具有至少50°的相應(yīng)側(cè)壁角度； 和 所述第一表面位于與所述第二表面相比較不同的高度處，并且通過至少所述有紋理基 質(zhì)的側(cè)壁與所述第二表面分開;和 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，所述第二部分通過所述有紋理基質(zhì)的側(cè)壁與 所述第一部分分開。5. -種透明復(fù)合材料，其包括： 具有第一表面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽的有紋理基質(zhì)，所述側(cè)壁位于所述第 一表面和所述第二表面之間；和 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，所述第一部分具有在所述第一表面上的第一 厚度，所述第二部分具有在所述第二表面上的第二厚度，其中如在所述溝槽的中心測量的， 所述第二厚度不大于所述第一厚度的70%。6. -種透明復(fù)合材料，其包括： 具有第一表面和第二表面且限定具有側(cè)壁的溝槽的有紋理基質(zhì)，所述側(cè)壁位于所述第 一表面和所述第二表面之間，其中所述溝槽具有不大于4微米的寬度和大于1:1的深度：寬 度的縱橫比；和 具有第一部分的陽光控制層，所述第一部分具有在所述第一表面上的第一厚度，并且 所述陽光控制層基本上無一沿所述溝槽內(nèi)的第二表面放置。 其中所述第一折射率在所述第二折射率的〇. 03內(nèi)。7. -種透明復(fù)合材料，其包括： 具有第一表面和第二表面的有紋理基質(zhì)，其中所述第二表面彼此間隔開，并且位于與 所述第一表面相比較不同的高度處;和 陽光控制層包括上覆所述第一表面的連續(xù)層，其中所述陽光控制層的部分上覆所述第 二表面，其中所述連續(xù)層具有至少100歐姆/平方的有效方塊電阻。8. -種透明復(fù)合材料，其包括： 具有第一表面且限定溝槽的有紋理基質(zhì)，所述溝槽從所述第一表面朝向所述有紋理基 質(zhì)的沿所述溝槽的底部放置的第二表面延伸，其中所述溝槽具有在更接近于所述第一表面 的高度處的第一寬度，在更遠(yuǎn)離所述第一表面的高度處的第二寬度，并且所述第二寬度大 于所述第一寬度;和 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，其中根據(jù)頂視圖，所述第一部分上覆所述第 一表面，并且所述第二部分上覆所述第二表面。9. 一種透明復(fù)合材料，其包括： 具有第一表面、側(cè)壁和第二表面的有紋理基質(zhì)，所述第二表面位于與所述第一表面相 比較不同的高度處，其中所述側(cè)壁從所述第一表面朝向所述第二表面延伸;和 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，其中所述第一部分上覆所述第一表面，所述 第二部分上覆所述第二表面， 其中所述透明復(fù)合材料： 具有大于1.05的光太陽能熱增益系數(shù)(LTSHGC);和 使以1.8GHz頻率的電磁輻射衰減不大于7dB，或使以4.5GHz頻率的電磁輻射衰減不大 于15dB。10. -種透明復(fù)合材料，其包括： 具有第一表面、側(cè)壁和第二表面的有紋理基質(zhì)，所述第二表面位于與所述第一表面相 比較不同的高度處，其中所述側(cè)壁從所述第一表面朝向所述第二表面延伸;和 具有第一部分和第二部分的陽光控制層，其中所述第一部分上覆所述第一表面，所述 第二部分上覆所述第二表面， 其中所述透明復(fù)合材料： 具有包括金屬薄膜的陽光控制層;和 使以1.8GHz頻率的電磁輻射衰減不大于7dB，或使以4.5GHz頻率的電磁輻射衰減不大 于15dB。11. 一種形成透明復(fù)合材料的方法，所述方法包括： 提供具有第一表面、側(cè)壁和第二表面的有紋理基質(zhì)，所述第二表面位于與所述第一表 面相比較不同的高度處，其中所述側(cè)壁從所述第一表面朝向所述第二表面延伸;和 在所述有紋理基質(zhì)上非共形沉積陽光控制層，其中在沿所述側(cè)壁的點(diǎn)處的臺階覆蓋率 不大于50%。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中提供所述基質(zhì)包括： 涂布下面的基質(zhì)； 用模子將層壓花;和 在壓花期間使層固化。13. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的透明復(fù)合材料或方法，其中所述透明復(fù)合材料 具有不大于5%、不大于4%、不大于3%、不大于2%、或不大于1 %的霧度。14. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的透明復(fù)合材料或方法，其還包括具有第二折射 率的溝槽填充材料，其中所述有紋理基質(zhì)限定從所述第一表面延伸的溝槽，并且具有第一 折射率，所述溝槽填充材料在所述溝槽內(nèi)；和： 所述第一折射率在所述第二折射率的〇. 03內(nèi)； 所述第一折射率在所述第二折射率的〇. 02內(nèi)；或 所述第一折射率在所述第二折射率的〇. 01內(nèi)。15. 根據(jù)權(quán)利要求1、2和4至14中任一項(xiàng)所述的透明復(fù)合材料或方法，其中與在所述第 一表面處相比較，所述溝槽在與所述第一表面間隔開的點(diǎn)處更寬。
【文檔編號】B32B37/02GK105980155SQ201580007780
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2015年2月16日
【發(fā)明人】F·林哈特
【申請人】美國圣戈班性能塑料公司