專利名稱：半導體薄膜加熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導體電加熱器，特別是用半導體薄型電熱膜的加熱器。
已有的電熱膜加熱器，有電熱膜火鍋，由鍋體、鍋體底部外表面上的電熱膜及其電極等構(gòu)成。因其熱源在鍋底、且加熱食物沉落在鍋底，食物易被燒結(jié)在鍋底上而形成鍋粑；此外，食物放入火鍋時溫度為常溫，與鍋底的溫度差異很大，易使鍋底炸裂，電熱膜在鍋底，冷熱介質(zhì)上下運動進行熱交換中相互沖撞阻礙，熱交換較慢，能耗較高。
鑒于此，本實用新型的目的就在于提供一種熱源在容器壁部，不會結(jié)鍋粑，不會炸裂的熱交換快、能耗較低、加熱均勻的半導體薄膜加熱器。
本實用新型的半導體薄膜加熱器(參見附圖)，包含容器(1)，容器外表面的電熱膜(6)及其至少兩個電極(7、8、13、14、15、16)，其特征在于上述電熱膜在容器的壁部(3)，上述電極相互平行，上述容器內(nèi)底有向下并向中心傾斜的斜面(4)和與斜面連接并向上的中心凸臺(2)。
上述電熱膜，可以設(shè)置在容器的下部。
上述電極，可以與容器的中心軸線成α角，且0≤α≤90°。電極(7、8)可以有兩條，且位于容器下部，α＝90°，即成為環(huán)繞容器的兩條環(huán)帶。電極(13、14、15、16)也可以是四條，位于容器下部，α＝0°，即成為四條在圓周上對稱的豎立直條。電極也可以是三條、五條、多條。當α≠90°時，電極在容器表面呈螺旋線段形布置。
上述容器外周，可以有保溫層(10)。
本實用新型與已有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點。
一、電熱膜和電極設(shè)置在容器壁部，即加熱源在容器壁部，靠近容器內(nèi)周面壁部為高溫區(qū)，該區(qū)介質(zhì)首先被加熱上升，然后向中心部流動，進入容器上部和中心部的低溫區(qū)，該區(qū)溫度較低的介質(zhì)，沿中心部下降并向壁部高溫區(qū)流動填充上升介質(zhì)的空間，介質(zhì)如此自下而上向內(nèi)，再自上而下向外呈環(huán)形的循環(huán)流動，從而提高了介質(zhì)加熱中的熱交換速度，縮短了加熱時間；減少了熱量經(jīng)空氣而向空間的散失量，從而可降低能耗。而已有技術(shù)的熱源位于容器底部，介質(zhì)不能形成環(huán)形循環(huán)流動，熱交換速度較慢，能耗較高。
二、電熱膜位于壁部，加熱物料在介質(zhì)中向下自然沉落，不會被粘結(jié)在壁部，不會結(jié)鍋粑，不僅有利于介質(zhì)的熱交換，無須經(jīng)常清理燒結(jié)物，從而延長加熱器的使用壽命。
三、電熱膜位于壁部，容器底部為低溫區(qū)，因此，低溫的加熱物料放入容器沉落于底部時，不會因溫差過大而引起容器的炸裂。
四、電極呈平行設(shè)置，使相鄰電極各對應(yīng)點的距離相等，使電熱膜中各部電流相等，各部發(fā)熱量均勻，不會因發(fā)熱量不均勻而損壞加熱容器。
五、容器的中心凸臺結(jié)構(gòu)，使容器中心底部的低溫區(qū)范圍縮小，從而可相應(yīng)提高容器下部加熱區(qū)的溫度，促進介質(zhì)流動循環(huán)，加速介質(zhì)熱交換速度。
六、容器的斜面底部結(jié)構(gòu)，使下沉的物料，向中心部非加熱低溫區(qū)集聚，不會在靠近壁部的底面被燒焦結(jié)粑。
七、容器內(nèi)的網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)，使加熱物料不會沉落到底面，僅有少量小塊物料經(jīng)網(wǎng)柵孔眼沉落，被斜面聚于低溫區(qū)，可有力地防止容器底部結(jié)粑。
八、保溫層結(jié)構(gòu)，可有效防止加熱容器的熱量向空間散失，既保溫又相應(yīng)節(jié)約能源。
九、本實用新型可加熱介質(zhì)和以介質(zhì)作換熱劑的物料?？芍瞥呻娀疱?、電熱杯、電開水器、電熱水瓶等。
下面，再用實施例及其附圖，對本實用新型作進一步說明。
附圖的簡要說明

圖1是本實用新型的一種半導體薄膜加熱器的下部結(jié)構(gòu)示意圖。顯示電極7、8與容器1中心軸線的夾角α＝90°。
圖2是本實用新型的一種半導體薄膜加熱器的下部結(jié)構(gòu)示意圖。顯示電極13、14、15、16與容器1中心軸線夾角α＝0°。
圖3是圖2的A－A剖面結(jié)構(gòu)示意圖。顯示電極在圓周上呈等矩布置。
實施例1本實用新型的一種半導體薄膜加熱器，如圖1所示。由容器、網(wǎng)柵、電熱膜、電極、保溫層、外殼等構(gòu)成。
上述容器1，用陶器或絕緣導熱材料制成通常的圓桶形狀，如鋁鍋形。其底部中心向上突起，成圓柱形或圓截錐形的中心凸臺2，在凸臺外周有連接壁部3和凸臺的斜面4，該斜面形成向下并向容器中心傾斜的錐形環(huán)面。
上述網(wǎng)柵5，選用通常的不銹鋼絲材或板材，經(jīng)編制或沖壓制成，其周邊與容器內(nèi)腔相吻合，放置在中心凸臺上。
上述電熱膜6，選用半導體二氧化錫，采用通常的鍍覆、涂覆、貼覆等方法覆著在容器壁部3的外表面。
上述電極7、8，采用兩條通常的條形電極，用導電膠類粘結(jié)劑粘貼在電熱膜6上，電極7、8與容器中心軸線的空間夾角α＝90°，即電極與中心軸線相垂直，形成環(huán)繞容器壁部的兩條電極環(huán)帶，電極7、8分置在壁部上下端，且相互平行，使各對應(yīng)點等距。電極也可制成對中心軸線傾斜，即α≠90°。電極7、8分別用導線與電源接插件9電氣連通。
上述保溫層10，選用通常的絕熱材料，如冰箱用發(fā)泡保溫材料，用通常方法制成。
上述外殼11，選用通常的鐵皮材料、塑料材料制成通常的圓筒形，配有底座12。上述電源接插件固裝在外殼適當位置。
實施例2本實用新型的一種半導體薄膜加熱器。如圖2、3所示。其結(jié)構(gòu)與實施例1基本相同。其特點是有四條電極13、14、15、16，四條電極均沿容器中心軸線設(shè)置在容器壁部3的外表面，即電極間相互平行且與中心軸線的夾角α＝0，四條電極可在壁部圓周上呈對稱布置，也可以呈兩兩對稱布置。
實施例1、2可用于加熱介質(zhì)，可用于加熱有介質(zhì)的食物；可制成火鍋，煮制火鍋食料，也可制成電熱杯、電熱開水器等。
權(quán)利要求1.半導體薄膜加熱器，包含容器(1)、容器外表面的電熱膜(6)及其至少兩個電極(7、8、13、14、15、16)，其特征在于上述電熱膜在容器的壁部(3)，上述電極相互平行，上述容器內(nèi)底有向下并向中心傾斜的斜面(4)和與斜面連接并向上的中心凸臺(2)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體薄膜加熱器，其特征在于所說的電極與容器的中心軸線成α角，且0≤α≤90°。
3.如權(quán)利要求2所述的半導體薄膜加熱器，其特征在于所說的電熱膜和兩條電極(7、8)設(shè)置在容器下部，且α＝90°
4.如權(quán)利要求2所述的半導體薄膜加熱器，其特征在于所說的電熱膜和四條電極(13、14、15、16)設(shè)置在容器下部，且α＝0°。
5.如權(quán)利要求1、2、3、4任一所述的半導體薄膜加熱器，其特征在于所說的容器內(nèi)底面上方有與容腔相吻合的網(wǎng)柵(5)。
6.如權(quán)利要求1、2、3、4任一所述的半導體薄膜加熱器，其特征在于所說的容器外周有保溫層(10)。
專利摘要本實用新型涉及半導體電加熱器，特別是用半導體薄型電熱膜的加熱器。包含容器1、容器外表面的電熱膜6及其至少兩個電極7、8，上述電熱膜在容器的壁部3，上述電極相互平行，上述容器內(nèi)底有向下并向中心傾斜的斜面4和與斜面連接并向上的中心凸臺2?？商岣邿峤粨Q速度、節(jié)約能源、不會結(jié)鍋粑、容器不會因添加冷物料而炸裂，可延長使用壽命。
文檔編號H05B3/00GK2199652SQ94245370
公開日1995年5月31日 申請日期1994年11月1日 優(yōu)先權(quán)日1994年11月1日
發(fā)明者瞿德來 申請人:瞿德來