專利名稱:混合與多層電路的制作方法
本發(fā)明涉及廣泛的應(yīng)用范圍，特別適用于混臺型電路和多層應(yīng)用，并將特別描述它們在此方面的應(yīng)用。更特別地，本發(fā)明針對在相當(dāng)?shù)偷臏囟认掠谜辰硬Ａo氧或脫氧銅臺金粘到陶瓷襯底上。在一個實施方案中，將銅臺金箔蝕刻形成凸緣，然后將金屬電阻條結(jié)合到凸緣上，以形成精確的電阻通路，在另一個實施方案中，其上結(jié)合有箔的多個襯底互相粘在一起形成多層電路。
隨著集成電路(IC)器件(也稱為芯片)的密度的不斷增大。芯片經(jīng)常建立在混合型電路上，盡管IC的設(shè)計和容量不斷改進，混合型電路的技術(shù)面保持大體上的穩(wěn)定。
混合型電路設(shè)計的例子已在許多專利中有所描述，包括美國專利第3，200，298號，第3，723，176號，第4，299，873號和第4，313，026號。這種混合型襯底一般是薄而且相當(dāng)小的陶瓷材料片，如同有機粘臺劑相混合并制成未加工基片或襯底的Al2O3。其大小一般限制為約4平方吋的矩形。導(dǎo)電電路可首先用絲網(wǎng)印制電路法將金，玻璃和粘合劑組成的糊劑以所希望的圖形制在未加工的陶瓷襯底表面上。把得到的組件在大約850攝氏度下進行烘烤，以首先從膠中除去粘合劑，然后對玻璃和金進行燒結(jié)。烘燒后的玻璃-金導(dǎo)體的導(dǎo)電率大約只有金塊導(dǎo)電率的60%。電阻由類似的技術(shù)加上，即印制電阻糊劑網(wǎng)，并用鎳鉻合金和碳作為電阻材料。因為電阻幾何形狀上的多樣性，和因為它們成份中的局部變化，電阻必須單獨測定，并用激光調(diào)整到可接受的電阻范圍內(nèi)，而這是很昂貴和費時的工藝。使用厚膜膠的電阻和電導(dǎo)技術(shù)都受到糊劑本身大量變化的損害。同厚膜技術(shù)相關(guān)的費用阻礙了它在存在有可行的選擇方案時的使用。然而，增加IC器件密度的要求則迫使人們更多地使用這種技術(shù)。盡管有上面所列舉的缺點。
一種可供選擇的工藝涉及薄膜技術(shù)，其中電阻和導(dǎo)體是真空蒸發(fā)或濺射到99%的氧化鋁襯底上的。這些技術(shù)甚至更貴。這因為電阻和電導(dǎo)的沉積速率很低，而且99%氧化鋁襯底材料的價格很高。
為克服對高價的金導(dǎo)體的要求，已進行用銅箔替換金膠的嘗試。這種替換的一個優(yōu)點是能使用干膜光刻膠和通常的印刷電路蝕刻技術(shù)來制作更精確的電路。干膜光刻膠和通常的印刷電路蝕刻在與陶瓷襯底相結(jié)合的銅層上生產(chǎn)精確的，可重復(fù)的和相當(dāng)細(xì)的線的電路的優(yōu)良技術(shù)。例如，用上面提及的技術(shù)在3密耳(mil)間隔上制作3密耳的線寬是很容易的。比較起來，由絲網(wǎng)印制金糊劑的結(jié)果一般為10密耳線寬和稍寬于10密耳的間隔。而且，價格的對比也大大有利于在銅層上制成的電路。
到現(xiàn)在為止，在還原條件下用玻璃將銅箔焊到氧化鋁上的努力總是導(dǎo)致箔上范圍產(chǎn)生氣泡。這部分是因為通常使用的CDA11000箔，它包含氧化亞銅作為分離相。當(dāng)在還原氣氛下烘烤時，在合金CDA11000中的氧化亞銅得到還原，并產(chǎn)生汽泡，也有人認(rèn)為產(chǎn)生氣泡部分是因為玻璃中夾帶有在烘烤循環(huán)中未得到充分的逃逸通道的空氣。產(chǎn)生氣泡對于多層和混合型電路是特別有害的，因為它使陶瓷襯底和銅箔之間的接合很弱，這會導(dǎo)致剝離。而且在蝕刻過程中，蝕刻溶液可以滲進玻璃和箔的交界處的氣泡中，而在不希望的位置上對箔進行了蝕刻。
在一種試圖消除氣泡的嘗試中，已試圖在氧化條件下進行焊接，如在Burgess等人的題目為“用氣體-金屬易溶法的金屬與陶瓷的直接焊接”的文章中的那樣，該文章發(fā)表在電化學(xué)協(xié)會通信固態(tài)科學(xué)和技術(shù)(J.Electroehemieal SoeietySOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY)，1975年5月號上。這項技術(shù)試圖利用制在箔上的高溫氧化亞銅，雖然這個處理法產(chǎn)生了無氣泡產(chǎn)生的良好接合，但它在箔的外表面上形成了高溫氧化亞銅膜;這個膜極難去掉。
本發(fā)明也涉及多層電路，引線網(wǎng)體陣或側(cè)釬焊組件是其典型例子。引線網(wǎng)體陣是小的多層96%氧化鋁板，在各層之間帶有導(dǎo)電線路。引線網(wǎng)陣把大規(guī)模集成電路所需要的尺寸降到最小，并且允許使用比傳統(tǒng)方形組件用更多的引線。側(cè)釬焊組件在結(jié)構(gòu)上類似于引線網(wǎng)陣，只是它與電路的電接觸是用釬接在組件側(cè)面的引線。這兩種組件的設(shè)計都是供3結(jié)實、可靠、密封，并且優(yōu)于陶瓷浸漬的(CERDIP)的組件，因為它們不依賴于引線的玻璃封裝。
通常的引線網(wǎng)陣一般包括至少三層由帶鑄工藝制造的氧化鋁。層間電路用絲網(wǎng)印制在氧化鋁基片帶(96%Al2O3)上的鎢或鉬錳粉末制成。層間電路的相互連接是通過打在氧化鋁基片帶上的約為5～10密耳(mil)的孔提供的。連接或通過孔的導(dǎo)體也由鎢或鉬錳粉末制成。多層氧化鋁帶和導(dǎo)電通路在大約1550～1600℃的范圍內(nèi)共同焙燒。這樣從氧化鋁帶中除掉聚合粘合劑，并燒結(jié)96%Al2O3，并造成電流載體的部分燒結(jié)。暴露的導(dǎo)體隨后可用無電工藝覆上鎳。此后，把鍍金引線插頭焊接到通孔導(dǎo)體上。
在采用先有技術(shù)的引線網(wǎng)陣制作中，有一些費用大的技術(shù)問題，最嚴(yán)重的技術(shù)問題是在高溫烘烤時氧化鋁帶有很大的體積收縮。這種體積收縮可大到40%，并導(dǎo)致約20%的線收縮。這在確定通過孔相對于引線的位置及通過孔的電接觸的維持上產(chǎn)生了嚴(yán)重的問題。在一些情況下，這種收縮大得足以使導(dǎo)電橫向電路完全脫開引線。將層間電路制在氧化鋁帶上的傳統(tǒng)絲網(wǎng)印制裝置得到相當(dāng)密并且燒結(jié)得很好的電路。然而，與可機械插入的通過孔觸頭，可能非常松，并只提供頻粒子與粒子接觸。
過去，帶有夾在其內(nèi)的電路圖形的玻璃一陶瓷結(jié)構(gòu)在Spinelli等的美國專利第4，385，202號;Kumar等的美國專利第4，301，324號，Yamada等的美國專利第4，313，026號;英國專利第1，232，621號和英國專利第1，349，671號中已被公布。每一個這些專利與本發(fā)明的特別不同之處都在于它們沒有說明或提議用相對低溫的封裝玻璃將脫氧或無氧銅或銅合金箔焊到陶瓷襯底上。
其各層是用本發(fā)明的過程構(gòu)成的多層氧化鋁電路板，作為在Jerny Lyman的題為“封裝”(Packaging”)文章中公布的一般型的引線網(wǎng)陣是特別有用的，上述文章發(fā)表在“電子學(xué)”(Electronies)，第54卷，第26號，1981年12月29日上。
本發(fā)明要解決的問題是構(gòu)成具有高溫穩(wěn)定性的混合成多層電路板組件，其中一或多層銅合金箔被粘接到一層或多層陶瓷襯底上，而且在箔層和陶瓷襯底之間不形成氣泡或氣囊。另一個問題涉及在混合型電路上制造精確并且易于制作的電阻。
本發(fā)明的一個優(yōu)點是提供了改進的混合或多層組件，和制作混合或多層組件的方法，該組件克服了所描述的現(xiàn)有方法和裝置的限制和缺點。
本發(fā)明的另一個優(yōu)點是提供了改進的混合或多層電路組件，和制作混合或多層電路組件的方法，該組件帶有一或多個具有用玻璃粘接在其上的脫氧或無氧銅合金箔的陶瓷襯底。
本發(fā)明的另一個優(yōu)點是提供了改進的混合或多層組件，和制作混合型或多層電路組件的方法，該組件具有由金屬箔構(gòu)成的電路和電阻，上述金屬箔根據(jù)本發(fā)明的指導(dǎo)接合到電路中。
本發(fā)明的又一個優(yōu)點是提供了改進的側(cè)釬焊組件和制造這種側(cè)釬焊組件的方法，該組件具有制作在無氧或脫氧銅箔上的電路，而上述銅箔用玻璃粘到所述襯底上。
因此，提供了改進的混合或多層電路和制作多層或混合電路組件的方法，該組件包答至少一個上帶有用低溫粘接玻璃粘接上的脫氧或無氧銅合金箔的陶瓷襯底。銅合金箔可以蝕刻，并且可將金屬電阻合金帶焊在其上，以提供具有精確電阻的通路。而且，可把箔層用玻璃熔接到襯底上并疊成多層電路。公布了側(cè)釬焊組件和制造該組件的方法。該組件包括用玻璃焊在襯底上的脫氧或無氧銅電路箔。
本發(fā)明和本發(fā)明的進一步內(nèi)容將通過圖中的最佳實施方案來加以解釋。
在附圖中圖1顯示用粘接玻璃熔接到陶瓷襯底上的銅合金屬。
圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的側(cè)釬焊組件。
圖3A-3C顯示在銅合金屬上蝕刻凸緣和在上覆上貴金屬層的一系列步驟。
圖4顯示熔接在兩個包覆有凸緣之間的電阻帶的側(cè)剖視圖。
圖5是圖4的裝置的俯視圖。
圖6A-6E顯示制作多層電路的一系列步驟。
圖7A-7D顯示制作多層電路的可供選擇的一系列步驟。
圖8A-8D顯示制作多層電路的另一可供選擇的一系列步驟。
圖9A-9F顯示制作多層電路的一系列步驟。
根據(jù)本發(fā)明的混合型或多層集成電路將參考附圖進行描述。圖1中，描述了層狀組件10，該組件10具有由陶瓷材料構(gòu)成的襯底12和銅箔構(gòu)成的覆蓋層14。襯底和覆蓋層由玻璃16熔接在一起。在制造組件10中，可把一層玻璃加在襯底12的至少一個表面上。然后把覆層14安置在覆有玻璃的表面上，并將組件在還原條件下焙燒，從而使玻璃層熔化成大體連續(xù)的薄膜，它將覆層粘接到陶瓷襯底上。最后，電路可蝕刻在覆層上。電路可象圖4中所示的那樣改成混合電路。另外，該層狀組件可同一或更多個類似于組件10的附加薄層疊成如圖6E所顯示的多層組件。
襯底12可由未焙燒陶瓷片(未加工基片)構(gòu)成，該陶瓷片可由包括具有約90%至約99%純度的氧化鋁、二氧化硅、碳化硅、氧化鋁硅酸鹽、氧化鋯、鋯土、氧化鈹?shù)牟牧霞八鼈兊幕旌衔飿?gòu)成。該陶瓷材料最好是96%的商業(yè)鋁土，它一般包括大約94.5%的Al2O3，其余部分包括二氧化硅、錳、鈣和鎂。使用上面提到的陶瓷材料的組合及其它所需的陶瓷材料也屬于本發(fā)明的范圍。
覆層14最好是銅或銅合金，它具有大于大約60%國際韌銅標(biāo)準(zhǔn)(IACS)的電導(dǎo)率。這個高電導(dǎo)率的銅合金最好有合金添加劑，上述添加劑占合金的大約不到10%，其余部分是銅。被認(rèn)為適合于本發(fā)明的銅合金的例子包括CDA15100，CDA12200，CDA10200和CDA19400。選用的銅合金覆層材料最好是脫氧箔，象一盎斯箔。采用脫氧銅合金箔對于防止在箔內(nèi)或在與玻璃16的交界面上產(chǎn)生氣泡具有特別的重要性，如將要在此進一步描述的那樣。
從無氧銅中選擇銅覆層14也屬于在本發(fā)明的范圍，上述無氧銅一般是電解銅，基本不含氧化亞銅并不用剩余的金屬的或類金屬的去氧劑生產(chǎn)。一般地，無氧銅的成份至少是99.95%的銅銀混合物被認(rèn)為是銅。無氧銅的例子包括CDA10100，CDA10200，CDA10400，CDA10500和CDA10700。
粘接材料16最好是粘接和/或封接玻璃，它在低于大約1000℃的溫度下形成可流動的物質(zhì)。該玻璃進一步選定為既粘附于陶瓷物質(zhì)又粘附于銅合金履層的玻璃，玻璃可從包括硅酸鹽、硼酸鹽、磷酸鹽和鋅硼硅酸鹽玻璃的一組材料中選擇，選用的玻璃最好是一般成分為MO-B2O3-SiO2的硼硅酸鹽玻璃，其中MO＝Al2O3，BaO，CaO，ZrO2，Na2O，SrO，K2O和它們的混合物。玻璃的膨脹可通過調(diào)整成分或通過添加合適的填料如堇青石，β鋰青石或硅酸鋯等而改變。最好使玻璃具有約50×10-7到約100×107吋/吋/℃范圍內(nèi)的所希望的熱膨脹系數(shù)(CTE)。更具體地，玻璃的熱膨脹系數(shù)比襯底的略低，以使粘接玻璃處在壓縮狀態(tài)。例如，用氧化鋁襯底，玻璃最好具有約66×10-7到約70×107吋/吋℃的熱膨脹系數(shù)。玻璃被選為在從約500℃到1000℃的溫度范圍內(nèi)，最好在從約600℃到950℃的溫度范圍內(nèi)為可流動的物質(zhì)。
為把玻璃加到襯底上，最好制成玻璃顆粒懸在介質(zhì)中的懸浮液，該介質(zhì)便于所申請的方法的應(yīng)用。例如，玻璃可用粘合劑，如杜邦(Dupont)公司的產(chǎn)品Elvaoite和通常的載體如terpeneol，得到的是具有合適粘度的糊劑或懸浮液，它可用任何傳統(tǒng)技術(shù)(如絲網(wǎng)板印刷)加到襯底上?；蛘撸ＡЭ赏瑧腋?如作為載體的水和膨潤土)混合構(gòu)成用于噴涂或浸漬并有合適粘度的懸浮液。
在制作圖1的組件10時，把玻璃懸浮液涂到襯底12的表面18上。隨后把襯底和玻璃涂層干燥并加熱到約500℃到1000℃的溫度，以把玻璃涂層燒結(jié)到襯底上。然后，將銅合金箔14的表面20貼在燒結(jié)的玻璃涂層16上。隨后在還原或隋性氣體環(huán)境下把整個組件再加熱到約500℃到1000℃的溫度，以使銅合金箔14粘接到襯底12上。
襯底也可用基本上無孔的薄玻璃預(yù)制片粘接到銅箔上。預(yù)制片既可粘到箔上也可粘接到襯底上。然后將箔靠到襯底上并焙燒，使玻璃將箔粘接到襯底上。或者，可把玻璃預(yù)制片放置在箔和襯底之間。然后對組件進行焙燒。如果希望的話，并置于壓力下，從而使襯底接合到箔層上，因為固態(tài)玻璃預(yù)制片基本上是無孔的，故它能適用在本發(fā)明中，用于溶解箔層并制出電路的蝕刻劑不會腐蝕和溶解無孔玻璃。因此在帶玻璃預(yù)制片的箔上制出的電路可象期望的那樣更加精確地制出。
玻璃最好選擇沒有氧化鋁的，因為在還原氣氛下焙燒時氧化鉛會部分地還原。玻璃中的鉛可于蝕刻后在箔中形成短路，從而破壞陶瓷的絕緣性。并且最理想的是玻璃為基本不含氧化鉍的，因為后者也會部分還原，并會象前面所描述的那樣以類似于鉛的方式通過形成短路而降低或破壞絕緣性。
有兩個最好用來防止箔產(chǎn)生氣泡的重要的步驟。第一，箔最好是無氧或脫氧銅或銅合金。第二，接合最好在還原或隋性氣體環(huán)境下進行。例如，組件在隋性或還原氣體條件下(如氮，含4%氫或氬的氮)進行焙燒。在還原條件下接合時使用脫氧或無氧銅箔來防止在箔中產(chǎn)生氣泡。
另一個對于消除產(chǎn)生氣泡問題的重要關(guān)鍵是在銅箔確實接合到襯底上以前使任何夾帶的氣體能夠逃出。這個條件可通過在施用銅箔之前在襯底上涂上玻璃并使其來回流動而進行控制。然后，將銅箔放在玻璃涂層上并加熱到接合溫度，最好同時以從約50到300每平方吋磅的壓強將銅箔壓貼在玻璃涂層上。在箔和有涂層的襯底之間的氣體放出得不充分的情況下，可將涂有薄膜的襯底暴露于適當(dāng)?shù)恼婵罩校勾_實地排除任何剩余的氣體和粘合劑。所希望的電路現(xiàn)在可通過將進一步描述的傳統(tǒng)技術(shù)在接合后的無氣泡的箔中作出。
參考圖3A-3C，在圖示出的步驟其中，包括圖1中描述的實施方案的結(jié)構(gòu)可加工成所希望的導(dǎo)電電路。組件10的外表面38首先涂以正的光刻膠，它可包括光崩解型光敏樹脂。將規(guī)定的對于暴露的光不透明的主掩模材料同光刻膠接觸放置。曝光時，只有未被掩蔽的光刻膠層部分得到曝光。然后除去掩膜，將光刻膠顯影。光刻膠的暴光部分被去掉，在接著的蝕刻過程中形成銅電路。蝕刻可用任何通常的溶液如FeCl3/HCl銅蝕刻劑實現(xiàn)。組件可用此種方式涂上光刻膠再蝕刻，反復(fù)多次以制備成所需要的圖形和結(jié)構(gòu)。圖3A中，銅層即銅箔經(jīng)光蝕刻后形成兩個凸緣40和42，它們的最外表面38從蝕刻過的箔層上表面44和46延伸出來。
這種保留凸緣的銅箔對于同電子元件(例如這里所描述的電阻)的連接是特別有利的。有關(guān)典型的凸緣制作細(xì)節(jié)參見1984年12月的“電子封裝和生產(chǎn)”(Electronie Packaging and Production)第34至39頁中Dickson的文章“附加薄片技術(shù)處理高密度相互連接”。(Tab Technology Tackles High Density Interconnections”)盡管上文描述了形成凸緣的一個特殊方法，但使用其它任何制造技術(shù)，如機械加工來形成凸緣的技術(shù)，都屬于本發(fā)明的范圍。
其次，如圖3B所示，最好在凸緣的表面作出阻擋層50。如果需要，該阻擋層可部分或全部覆蓋箔片的存留表面44和46。注意到圖示的阻擋層下延到凸緣部分52和54。制成阻擋層的目的是為了防止銅層和貴金屬將覆蓋在這里所描述的阻擋層表面上的貴金屬之間的擴散。而且，該阻擋層能加強貴金屬與選定銅層表面的接合。阻擋層材料可以從鎳、鈦、氮化硼以及它們的合金中選擇。使用任何其它適于阻止選定的相鄰金屬間相互擴散的阻擋層材料都包括在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。通過所期望的技術(shù)，例如電鍍，可使阻擋層覆蓋在每個凸緣的表面上，如果需要的話，還可使其覆蓋剩下的銅層。
然后，如圖3C所示，最好在阻擋層上覆蓋貴金屬層56，這些貴金屬材料可以是金、鉑、銀、鈀及其合金。可使用任何期望的技術(shù)如電鍍，將貴金屬覆蓋在阻擋層上。
當(dāng)導(dǎo)電電路制備完畢后，加裝電阻的費用是很昂貴的。如上方所述，當(dāng)電阻由厚膜涂料來形成時往往需要電學(xué)監(jiān)測及激光微調(diào)。本發(fā)明公開了制造比較便宜并易于重復(fù)制造的電阻的獨特技術(shù)。明確地說，就是通過某種接合技術(shù)，如常規(guī)的熱壓焊，將沖壓箔電阻接合在電路的凸緣部分。電阻的箔片最好用傳統(tǒng)的金屬滾軋方法來制造，這樣可使厚度控制在非常小的公差范圍內(nèi)。而且，箔的寬度可用精密沖切技術(shù)來精確地控制。由于用箔制成的電阻易于獲得極精確的幾何形狀及精確的生產(chǎn)控制，因而可制成高重復(fù)性的精確電阻。通過此文中描述的光刻技術(shù)來制造電阻也屬于本發(fā)明的范圍。
參考圖4，顯示了帶有附在其上的電阻箔條62的導(dǎo)電電路組件60。這個電路基本上與圖3C所示的一樣，其中銅合金導(dǎo)電箔層14用玻璃16粘接在襯底12上。凡是用圖2說明的實施方案中所描述的那種類型的膠粘劑制成的電路組件也屬于本發(fā)明的范圍。凸緣40和42覆蓋著阻擋50及貴金屬層56。
電阻箔62可由高電阻合金制成。上述合金最好是有延展性及相當(dāng)高的強度。該材料的電阻最好是在100至1000Ω圓密耳/英尺。合適材料的例子為鐵基合金，鎳基合金和銅基合金。特別有用的合金是鎳-鉻-鐵合金，如Driver-Harris公司的產(chǎn)品Nichrome。箔片可滾軋到比一密耳稍厚的非常細(xì)微的尺寸。使用具有直徑比一密耳粗些的金屬線也屬于本發(fā)明的范圍。為了將箔片滾軋到所需要的規(guī)格，材料最好具有相當(dāng)?shù)难诱剐裕抑匾氖且哂凶銐虻膹姸?。以便在它制成后能夠方便地進行處理。
圖5所示的是電路器件60的俯視圖，它顯示了適合電阻箔62的可能的幾何形狀。與上凸緣40和42上金覆層相接合的電阻箔邊緣64最好用與覆層56所用的相同貴金屬覆蓋。將電阻箔條與凸緣上面的貴金屬層接合在一起可用各種所希望的技術(shù)進行，如熱壓焊技術(shù)，它是帶自動焊接中所使用的典型技術(shù)。焊在凸緣上的電阻帶端可比帶的其余部分寬些，以便在控制箔片的最終電阻時能產(chǎn)生良好的接合。
圖6A到6E顯示了包括體現(xiàn)圖1所示的和這里所描述的基本的陶瓷一璃璃一銅箔層狀結(jié)構(gòu)的多層電路的各階段。打兩撇的參考數(shù)字表示與在此沒有打撇的參照數(shù)字所表示的基本等價的部分。
參見圖6A，首先在第一陶瓷襯底12″的兩個相反外表面70和72上鍍上或涂上粘結(jié)材料16″以形成有涂料的襯底74。涂上粘接材料后的該襯底經(jīng)處理按所需要的圖案或位置以制出任意數(shù)目的通過孔76，如圖6B所示。通過孔可用各種所希望的技術(shù)如激光打孔來制成。然后，如圖6C所示，通過孔可用導(dǎo)體78來填充，如常規(guī)的導(dǎo)電膠、固體導(dǎo)線、或用化學(xué)鍍及電鍍的技術(shù)將焊料等導(dǎo)體填充進去。第一脫氧或無氧的銅箔層14″設(shè)置在涂料16″上。然后將所得的組件加熱到粘接溫度同時在大約50至300磅/平方吋之間的壓強下把箔層壓在玻璃覆料16″上。
用與涂料成分相同的基本無孔的薄玻璃預(yù)制片來替代涂料也屬于本發(fā)明的范圍。該玻璃預(yù)制片可以接合在箔片或者襯底上，也可放在箔片與襯底之間。然后將疊層在加熱和加壓下粘接在一起。通過孔也可在粘接層制成之后制成。如果需要，可將脫氧或無氧銅合金箔放在適當(dāng)?shù)恼婵障?，以防止箔片在這里所述的封焊玻璃上產(chǎn)生氣泡。
現(xiàn)在在箔片14上可用常規(guī)技術(shù)如光蝕刻制成所需要的電路。所得到的結(jié)構(gòu)82，如圖6D所示，可同任意數(shù)目的用類似方法制成的結(jié)構(gòu)疊在一起。例如，結(jié)構(gòu)84包括第二陶瓷襯底75、玻璃16以及第二銅箔層77，第二銅箔層最好選用與第一銅箔層14相同的材料。結(jié)構(gòu)84可疊在結(jié)構(gòu)82上并用玻璃16接合在一起。如果需要，可在兩結(jié)構(gòu)之間安排附加的玻璃層，例如具有所需玻璃成分的預(yù)制片，以提供具有所需厚度的玻璃，以形成合適的接合，同時使金屬層相互之間電絕緣。然后，將結(jié)構(gòu)82與84壓在一起，并在超過500℃左右的玻璃粘接溫度下制成多層電路85，如圖6E所示，如果必要，導(dǎo)體材料可按要求從通過孔延伸出來接在中間的電路上。而且，任何附加數(shù)目的象結(jié)構(gòu)82和84那樣的結(jié)構(gòu)可疊成多層電路形成所需數(shù)目的層次，引線也可以焊在暴露的電路上以便同另外的電子器件相互連接。
與圖6A至6D所顯示的步驟相似。圖7A至7D顯示了制造圖7D所示的多層電路結(jié)構(gòu)109的另一過程的各個階段。圖7A顯示了由玻璃層90及與襯底12本質(zhì)相同的陶瓷襯底88所構(gòu)成的結(jié)構(gòu)86。具有與玻璃16本質(zhì)相同的組分的玻璃覆料或玻璃預(yù)制片90加到襯底88的兩個相反的外表面92和94上。正如前面所解釋的，玻璃可以是固態(tài)無孔預(yù)制片，它被粘接在或排在相鄰的襯底上。然后，對所得的結(jié)構(gòu)86可用至少兩種方法進行進一步的處理。
見圖7B，用適當(dāng)技術(shù)，如激光打孔，可制成任何數(shù)目的穿過玻璃和陶瓷襯底的所需通過孔96。通過孔用導(dǎo)電材料97如玻璃-銅糊劑、固體金屬或這里描述過的合金線填充。然后，把與箔片14選材相同的脫氧或無氧銅箔層或銅合金箔層100和102接合在玻璃90上。玻璃層也可以是基本無孔的預(yù)制片，它在箔層放在襯底上之前就粘接在箔層上了。然后將銅箔層用常規(guī)技術(shù)蝕刻成具有各種所需結(jié)構(gòu)的電路，圖7B中所示的結(jié)構(gòu)104就是一個例子。
圖7A中的結(jié)構(gòu)86可用另外的方法加工，以制成圖7C所示的結(jié)構(gòu)106。在此實施方案中，通過各種所希望的生產(chǎn)技術(shù)，如激光打孔或沖孔，首先制成通過孔107。然后，通過孔107用這里所描述過的導(dǎo)電糊劑、固體導(dǎo)線或鍍膜等導(dǎo)體108填充，如果需要，也可用其它導(dǎo)體如焊劑填充。
結(jié)構(gòu)104和106可疊在一起，從而使一個結(jié)構(gòu)104處在兩個結(jié)構(gòu)106之間。然后把此分層結(jié)構(gòu)加熱并壓在一起以制成圖7D所示的多層組件109。如果需要，可將附加的玻璃預(yù)制片放在結(jié)構(gòu)104與106之間。制成不同結(jié)構(gòu)104與106的優(yōu)點在于交替結(jié)構(gòu)，即106不需要銅層及蝕刻步驟。雖然用三個結(jié)構(gòu)疊在一起制成多層電路組件109，但用任何期望的數(shù)目的電路層疊集任何期望數(shù)目的交替層104和106所制成的組件都屬于本發(fā)明的范圍。
參照圖8A到8D，這里說明了構(gòu)成圖7D所示類型的多層電路組件的另一種方法。圖8A中，結(jié)構(gòu)118是由與襯底12的材料基本相同的陶瓷襯底120及與玻璃16在組分和加工特性上基本相同的粘接玻璃122構(gòu)成的。玻璃16作為涂層或預(yù)制片加在襯底的相反的表面上。這種基本結(jié)構(gòu)可用至少兩個不同方式進行加工。
首先，如圖8B所示，象在此描述過的那樣通過加熱結(jié)構(gòu)并在箔層與封焊玻璃間加壓的辦法把脫氧或無氧銅箔層124和126粘接在玻璃層122上。使用粘接在箔層上的玻璃預(yù)制片也屬于在本發(fā)明的范圍。
參見圖8C，銅箔層124和126可用常規(guī)的蝕刻技術(shù)進行蝕刻以制成各種所需形狀的電路128和130。然后，可用常規(guī)技術(shù)制出穿過箔-玻璃襯底結(jié)構(gòu)134的通孔132。通過孔132可用導(dǎo)電材料133填充，如導(dǎo)電糊劑、固體導(dǎo)線或用鍍敷的方法填充，如果需要的話還可用導(dǎo)體(如銅)來填充。
如圖8D所示，加工結(jié)構(gòu)118的第二種技術(shù)是用常規(guī)技術(shù)制成通過孔136，通過孔136可用與導(dǎo)體133相同或相似的導(dǎo)電材料137填充。
較好的實施方案是將兩個結(jié)構(gòu)118疊在結(jié)構(gòu)134的兩邊。將它們置于壓力下并加熱到粘接溫度，由此便制成了圖7D所示類型的多層組件。用任何期望的數(shù)目的電路層疊集任何數(shù)目的交替結(jié)構(gòu)134和118來制成多層組件也屬于本發(fā)明的范圍。
圖9A到9F顯示了把多個玻璃襯底、電路箔片結(jié)合在一起組成多層電路的一系列步驟，以及互相連接電路箔片層的一種獨特技術(shù)。圖9A顯示了在其兩個相反表面172和174上覆上或涂上一層粘接玻璃176(具有與玻璃16相同的組分)的第一陶瓷襯底170。由預(yù)制片來代替玻璃176涂薄膜也屬于本發(fā)明的范圍。接著用希望用的技術(shù)，如沖孔或激光打孔，在玻璃覆蓋襯底178上制成所需數(shù)目的通過孔180，由此所得的結(jié)構(gòu)181如圖9B所示。
如圖9C所示，脫氧或無氧銅箔層182最好安置在襯底下表面玻璃覆層176上。與通過孔180長度相同的金屬線184插入通過孔內(nèi)。此步驟可這樣實現(xiàn)將金屬線插入通過孔內(nèi)，在該線與箔層182電接觸好后，從與襯底上部基本等高的地方將該線切斷。為了在生產(chǎn)制造過程中確保金屬線能插入通過孔，該線最好具有比通過孔略小的直徑。例如，如果通孔的直徑是5密耳，那么導(dǎo)線直徑可以是大約3到4密耳。這個尺寸僅僅作為例子，只要能使金屬線接觸并連接在通過孔兩端的箔層182和186上，金屬線與通過孔相比可具有任何直徑。
如圖9D所示，下一步是將箔層186安置在玻璃覆蓋襯底的上表面。通過將組件188加熱到大約600至1000℃的溫度范圍內(nèi)可使箔層182和186永久地接在涂敷過的襯底上。可使組件188承受小于300磅每平方吋極限的壓力，以提高襯底與箔層間的附著力。
金屬線184最好選用昂貴的合金，其相對國際韌銅標(biāo)準(zhǔn)(IACS)最好在60%左右，這樣在將玻璃粘接在箔層和襯底上所要求的處理溫度約在600到100℃的范圍內(nèi)，該合金就能呈半固體狀態(tài)。金屬線的材料要進一步選擇，使得它在半固體狀態(tài)下，具有大約2到40體積百分比的液體，最好是5到25體積百分比的液體。金屬線的液相將金屬線焊接在箔層182和186上。重要的是金屬線在通過孔中不能坍落到與一邊或兩邊的箔層不能接觸的程度。
這種把由覆有玻璃的襯底隔開的兩個箔層相互連接的獨特裝置依賴于與較高的銅線熱膨脹系數(shù)(大約為160×10-7吋/吋/℃)比較起來陶瓷襯底的熱膨脹系數(shù)(大約50×10-7吋/吋/℃)更低。這在Pryor等人的題為“金屬元件的連接方法”(AMethod of Joining Metal Components)的申請中有更詳盡的描述。陶瓷與金屬線間熱膨脹系數(shù)的差別使得金屬線的線膨脹比起通過孔的線膨脹要大些。因而假如坍落率保持在由被處理的特定材料系統(tǒng)決定的限度內(nèi)，金屬線就會壓在箔層上。當(dāng)金屬線焊在兩個箔層上并且組件冷卻后，焊上的金屬線會處在繃緊狀態(tài)。因此，金屬線材料的選擇要能使其暴露在由特定材料系統(tǒng)要求的焊接溫度狀態(tài)之后具有足夠的延展性。
金屬線可由銅合金形成，它的基本組分從如下元素中選擇出來大約2%至13%的Sn，大約0.2%至4%的P，大約5%至15%的Sb，大約3%至6%的硅，大約4%至12%的As以及它們的混合物;大至約4%的鐵;以及補償銅。
能夠制成適合這里所述的環(huán)境的金屬線的合金的例子是含8%左右的Sn，0.025%左右的P，2%左右的鐵，其余是銅的銅合金。其它的幾個例子是2%左右的磷的銅，含2%左右的磷的銅，含12%左右的Sb的銅，含5%左右的硅的銅，含9%左右的As的銅，及這些合金的三元或四元組合。使用在處理溫度下的所述的半固體狀態(tài)的具有所需高導(dǎo)電性的任何其它合金系統(tǒng)都屬于本發(fā)明的范圍。
參見圖9E，組件188具有用所需技術(shù)如光蝕刻在其上面制成具有所需形狀的電路的兩個箔層182和184。兩個或更多所得到的結(jié)構(gòu)190可疊集起來，把圖9B所示的結(jié)構(gòu)181插在中間。其結(jié)果就是圖9F所示的各層組件192。
該組件可把組件181放在組件190的頂上而裝配起來。然后將金屬線194插入通過孔180，金屬線194可選用與金屬線184相同的材料。如本文所述，將金屬線切斷使之具有與通過孔180相同的長度。然后將第二組件190疊在組件181的頂部，并將此疊積組件加熱至粘接溫度以制成多層組件192。盡管組件被描述成具有底側(cè)和頂側(cè)取向，但是在組件裝配中把元件取向在任何期望方位都屬于本發(fā)明的范圍。
參見圖2，顯示了陶瓷側(cè)釬焊部件150，它具有本文描述的那種類型的脫氧或無氧銅或銅合金電路箔152。該箔層最好用與在此描述的玻璃16組分相同的粘接或封裝玻璃155封接在陶瓷層154和156之間。玻璃可以漿的形式用浸漬法或噴涂法加在陶瓷襯底的封焊表面上。另外，封焊玻璃可以是放在箔層和陶瓷層之間的固體無孔預(yù)制件。陶瓷層157最好是由陶瓷層158通過常規(guī)技術(shù)，如加熱到粘接溫度，熔接在中間陶瓷層156上來構(gòu)成。陶瓷層156具有空的中心部分161，形成凹槽163。小片接合金屬化層159覆蓋在凹槽163內(nèi)的層158的表面上。該金屬化層可以用各種技術(shù)來制成。如利用鎢粉或鉬錳合金粉并將之加熱到燒結(jié)溫度。封閉環(huán)160安放在陶瓷層154的外表面162上。封閉環(huán)最好是脫氧或無氧銅箔或銅合金箔。使用與電路箔層152有關(guān)的玻璃封焊技術(shù)將封閉環(huán)用玻璃155封焊在陶瓷154上。引線164和166焊到箔層152外邊伸延出來的部分上。外殼169，可由所需的材料，如金屬和合金，制成，并可使用所需技術(shù)，如焊接，將外殼封裝在封閉環(huán)160上。
陶瓷層154被做成有中空部分165的形狀，以便能使電子器件或半導(dǎo)體器件167放在金屬化層159上并使器件167的引線能接到電路箔152上。
制造側(cè)釬焊部件150的方法可包括如下步驟首先在大約1500℃左右的高溫環(huán)境下將陶瓷層156和158接合在一起，做成陶瓷襯底157。與此同時可將小片接合金屬化層159燒結(jié)在凹槽161內(nèi)。然后將電路箔152放在襯底157與陶瓷層154之間，將封焊玻璃155用在此所述的技術(shù)加到箔層152兩個相反表面上，把箔層封焊在層154和157之間。銅封閉環(huán)160也可用與箔152相同的粘接技術(shù)用粘接玻璃158固定在陶瓷層154上。將電子元件167接在金屬化層159上并將元件167的引線連接在電路箔152的引線端。最后將外殼169粘接在封閉環(huán)160上。
很明顯，根據(jù)本發(fā)明提供了能完全滿足上面公布的目的、方法和優(yōu)點的混合和多層電路。雖然結(jié)合其實施方案描述了本發(fā)明，但很顯然的是在上面的描述的指導(dǎo)下，對于那些技術(shù)熟練的人來說許多選擇方案、改進及更改都將是顯而易見的。因而，應(yīng)將所有這些選擇方案、改進和更改方案都包括在所附的權(quán)利要求
書的精神與范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.制作電路組件10的方法，其特征在于下列步驟設(shè)置陶瓷襯底12；設(shè)置銅合金箔層14，所述銅合金由包括脫氧銅合金和無氧銅合金的一組材料中選出；設(shè)置粘接玻璃16，它在略低于約1000℃的溫度下形成可流動的物質(zhì)；將一層所述粘接玻璃16置于所述襯底12和箔層14之間；在還原條件下以不超過1000℃的溫度對該箔層、玻璃層和襯底組成的組件進行焙燒，使玻璃層將箔層粘接在所述襯底上。
2.權(quán)利要求
1的方法，其特征在于從一組包括硅酸鹽、硼硅酸鹽、磷酸鹽和硅硼酸鋅玻璃的材料中選擇所述粘接玻璃16的步驟。
3.權(quán)利要求
2的過程，其特征進一步在于在銅合金箔層上制作電路的步驟。
4.權(quán)利要求
2的方法，其特征在于放置所述粘接玻璃層的所述步驟，包括設(shè)置基本無孔的粘接玻璃的預(yù)制片的步驟，和將所述預(yù)制片放在襯底和箔層之間。
5.權(quán)利要求
2的方法，其特征在于設(shè)置所述粘接玻璃層的所述步驟包括以下步驟將所述粘接玻璃的顆粒同粘合劑和載體混合，以構(gòu)成玻璃糊劑;將所述玻璃糊劑涂在所述陶瓷襯底12的至少一個表面18上;將粘接玻璃燒結(jié)在襯底的表面上。
6.將電阻連接到導(dǎo)電電路上的步驟，其特征在于步驟設(shè)置陶瓷襯底12;將一層銅合金箔14粘接到所述襯底上;將箔層的選定部分蝕刻掉，以形成至少兩個上凸緣40、42;提供金屬箔電阻合金箔條62;將電阻箔條的端部粘接在所述凸緣上，以提供供電連接。
7.權(quán)利要求
6的方法，其特征在于從包括鎳基合金，鐵基合金和銅基合金的一組材料中選擇所述金屬電阻合金的步驟。
8.權(quán)利要求
7的方法，其特征在于下列步驟從包括鎳、鈦、氮化硼以及它們的合金的一組材料中提供阻擋材料;將一層阻擋材料沉積到每個所述上凸緣的至少一部分上。
9.權(quán)利要求
8的方法，其特征在于在所述阻擋材料層上沉積貴金屬的步驟，所述貴金屬從包括金、鈀、銀、鉑以及它們的合金的一組材料中選出。
10.權(quán)利要求
9的方法，其特征在于選擇所述銅合金箔的步驟，上述銅合金箔從包括脫氧銅合金和無氧銅合金的一組材料中選出。
11.權(quán)利要求
10的方法，其特征在于將一層銅箔粘接在陶瓷襯底上的所述步驟包括以下步驟提供粘接玻璃，它在低于約1000℃的溫度下形成可流動的物質(zhì);用一層所述粘接玻璃將所述銅合金箔層粘接到所述襯底上。
12.權(quán)利要求
11的方法，其特征在于從包括硅酸鹽、硼硅酸鹽、磷酸鹽和硼硅酸鋅玻璃的一組材料中選擇所述粘接玻璃的步驟。
13.電路組件10，其特征在于陶瓷襯底12;一層銅合金箔14，所述銅合金從包括無氧銅和脫氧銅合金的一組材料選出;一層粘接玻璃16，用于將陶瓷襯底粘接到所述合金箔層上，該粘接玻璃16在低于約1000℃時形成可流動物質(zhì)。
14.權(quán)利要求
13的電路組件，其特征在于所述粘接玻璃是從包括硅酸鹽、硼硅酸鹽、磷酸鹽和鋅硼硅酸鹽玻璃的一組材料中選出的。
15.權(quán)利要求
14的電路組件，其特征在于所述陶瓷襯底是從包括純度高于約90%的氧化鋁及二氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氧化鈹、氧化鋁硅酸鹽、鋁石和它們的混合物的一組材料中選出的。
16.權(quán)利要求
15的電路組件，其特征在于所述銅合金箔上有電路圖形。
17.電路組件，其特征在于陶瓷襯底12;一層銅箔14;將所述襯底粘接到所述箔層上的裝置;所述銅箔層上帶有至少兩個上凸緣40、42，所述箔層進一步帶有制作在其上的導(dǎo)電電路;一條金屬電阻合金箔62，所述電阻箔的末端連接到所述上凸緣上。
18.權(quán)利要求
17的電路組件，其特征在于所述金屬電阻合金是從包括鎳基合金、鐵基合金和銅基合金的一組材料中選出的。
19.權(quán)利要求
18的電路組件，其特征進一步在于包括一層阻擋材料，上述一層阻擋材料沉積在每個所述上凸緣的至少一部分上;所述阻擋材料是從包括鎳、鈦、氮化硼和它們的混合物的一組材料中選出的。
20.權(quán)利要求
19的電路組件，其特征在于進一步包括覆蓋在阻擋材料上的一層貴金屬;所述貴金屬是從包括金、鈀、銀、鉑和它們的合金的一組材料中選出的。
21.權(quán)利要求
20的電路組件，其特征在于所述銅合金箔從包括脫氧銅合金和無氧銅合金的一組材料中選出。
22.權(quán)利要求
21的電路組件，其特征在于粘接裝置是以包括硅酸鹽、硼硅酸鹽、磷酸鹽和鋅硼硅酸鹽的一組材料中選擇出的玻璃。
23.多層電路組件85，其特征在于第一陶瓷襯底12″;第一銅合金箔層14″;粘接玻璃16″，它在低于約1000℃的溫度下形成可流動的物質(zhì)，分別置于所述第一襯底的第一和第二相反表面70，72上，用于將所述第一銅合金箔層粘接到所述第一襯底的第一表面上的第一和第二所述粘接玻璃層;至少第二陶瓷襯底75，至少有第三所述玻璃層在所述第二陶瓷襯底的第一表面上;至少第二銅合金箔層77，所述第二銅箔層用所述粘接玻璃粘接到第二陶瓷襯底75上;所述第一和第二銅合金箔層14″，77，它們帶有制作在其中的電路;所述第一和第二銅合金箔層，它們從包括無氧銅合金和脫氧銅合金的一組材料中選出;所述第一和第二陶瓷襯底上粘接的銅箔，它們同所述第二層粘接玻璃疊置并互相粘接，從而使所述第二銅合金箔層緊挨所述第一襯底的第二表面設(shè)置。
24.權(quán)利要求
23的多層電路組件，其特征在于進一步包括至少一個通過孔76，它通過所述第一和第二襯底及所述粘接材料層延伸，導(dǎo)體78置于所述至少一個通過孔內(nèi)，用于對所述第一和第二銅合金箔層進行電連接。
25.權(quán)利要求
24的多層電路組件，其特征在于所述粘接玻璃是一般成分為MO-B2O3-SiO2的硼硅酸鹽。其中MO＝Al2O3，BaO，CaO，ZrO2，ZnO，Na2O，SrO，K2O和它們的混合物。
26.制作多層電路組件85的方法，其特征在于步驟至少提供第一和第二陶瓷襯底12″，75;至少提供第一和第二銅合金箔層14″，77，所述銅合金選自包括脫氧銅合金和無氧銅合金的一組材料;提供粘接玻璃16″，它在低于約1000℃的溫度下形成可流動的物質(zhì);將第一和第二所述粘接玻璃層置于所述第一陶瓷襯底12的相反表面上;將第三所述粘接玻璃層置于所述第二陶瓷襯底75的至少一個表面上;至少將所述第一箔層置于第一粘接玻璃層上;所述第一粘接玻璃層置于第一襯底的第一表面上;將所述第二箔層置于第三粘接玻璃層上，上述第三粘接玻璃層置于第二襯底的表面上;在第一和第二箔層中制出電路;將所述第一襯底疊置在所述第二襯底上，從而把所述第二箔層置于所述第一和第二襯底之間;將第一和第二襯底構(gòu)成的組件在還原條件下焙燒。從而用粘接玻璃層把襯底與箔層粘接在一起制成多層電路85。
27.權(quán)利要求
26的方法，其特征在于包括打出至少一個穿過所述第一和第二襯底和置于其上的所述粘接玻璃層的通過孔76的步驟;和用導(dǎo)電材料78填充所述至少一個通過孔，使得所述至少第一和第二箔層相互電連接。
28.權(quán)利要求
27的方法，其中提供粘接玻璃的步驟包括下列步驟將至少一個基本無孔的粘接玻璃預(yù)制片置于各個襯底表面和相鄰的箔層之間;將該粘接玻璃預(yù)制片粘接在襯底表面與箔層上。
29.制作多層電路組件109的方法，包括下列步驟提供至少第一、第二和第三陶瓷襯底88;至少提供第一和第二銅合金箔層，所述銅合金箔從脫氧銅合金和無氧銅合金的一組材料中選出;提供粘接玻璃90，它在低于1000℃左右的溫度下成為可流動的物質(zhì);將第一和第二所述粘接玻璃層100，102置于所述第一陶瓷襯底的相反表面上;將第三所述粘接玻璃層置于所述第二陶瓷襯底的至少一個表面上;將第四所述粘接玻璃層置于所述第三陶瓷襯底的至少一個表面上;至少將所述第一和第二箔層置于設(shè)置在第一襯底的相反表面上的所述第一和第二玻璃層上;在還原條件下焙燒所述第一和第二箔層、第一和第二玻璃層及第一襯底構(gòu)成的組件，從而使第一和第二玻璃層將第一和第二箔層粘接在第一襯底的第一和第二相反表面上;在第一和第二箔層上制出電路;將所述第二和第三襯底分別置于第一襯底的兩邊，從而使置于第二襯底上的第三玻璃層貼在第一箔層上，而置于第三襯底上的第四玻璃層貼在第二箔層上;加熱第一、第二和第三襯底組成的組件，從而使粘接玻璃層將襯底和箔層粘接成所述多層電路組件109。
30.權(quán)利要求
29的方法，其特征在于設(shè)置粘接玻璃90的步驟包括從具有一般組分MO-B2O3-SiO2的硼硅酸鹽玻璃中選出所述粘接玻璃，其中MO＝Al2O3、BaO、CaO、ZrO2、ZnO、Na2O、SrO、K2O及它們的混合物。
31.權(quán)利要求
30的方法，其特征在于包括下列步驟至少打出第一通過孔96，該通過孔穿過所述第一襯底和粘接在其上的箔層;至少打出穿過所述第二襯底和挨著該襯底設(shè)置的玻璃層的第二通過孔107;至少打出穿過所述第三襯底和挨著該襯底設(shè)置的玻璃層的第三通過孔;用導(dǎo)電材料填充所述至少第一、第二和第三通過孔，以使所述至少第一和第二箔層得到電連接。
32.權(quán)利要求
31的方法，包括設(shè)置以多個基本無孔的預(yù)制件形式出現(xiàn)的所述粘接玻璃層和加熱組件以使玻璃預(yù)制片粘接在箔層和襯底表面上從而制成多層電路的步驟。
33.陶瓷側(cè)釬焊組件150，其特征在于其中具有凹坑的陶瓷襯底157;具有粘接所述陶瓷襯底上的第一表面上的銅合金電路箔152，所述銅合金箔從包括無氧銅合金和脫氧銅合金的一組材料中選出;置于所述電路箔片的第二表面上的陶瓷襯底154;在所述陶瓷襯底和所述電路箔層的第一個表面之間的第一粘接玻璃層155，和在陶瓷層和所述電路箔層的第二表面之間的第二粘接玻璃層155，上述粘接玻璃層用于把該箔層粘接在陶瓷層和陶瓷襯底之間。
34.權(quán)利要求
33的側(cè)釬焊組件，其特征在于所述粘接玻璃155是具有一般組分MO-B2O3-SiO2的硼硅酸鹽玻璃。其中MO＝Al2O3，BaO，CaO，ZrO2，ZnO，Na2O，SrO，K2O及它們的混合物。
35.權(quán)利要求
34的側(cè)釬焊組件，其特征在于進一步包括用所述第三粘接玻璃層160粘接在陶瓷層上的封閉環(huán)152。
36.權(quán)利要求
35的側(cè)釬焊組件，其特征在于進一步包括連在電路箔片上的引線164。
專利摘要
本發(fā)明涉及制作多層或混合電路組件60的方法。該組件包括至少一塊帶有還原或無氧銅合金箔14的陶瓷襯底12，箔14用粘接玻璃16粘在襯底12上。該銅合金箔可是一個其上可粘接電阻金屬合金帶的電路。以提供具有精確電阻的通路。并且可把多個箔層粘接到襯底上，并迭置成多層電路85、109、192。
文檔編號H01L21/48GK86102036SQ86102036
公開日1986年11月19日 申請日期1986年3月3日
發(fā)明者邁克爾·J·普約爾, 查理斯·J·科迪克, 諾曼·G·馬斯 申請人:奧林公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan