1.一種選擇性輻射紅外隱身結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括多個(gè)紅外選擇性熱發(fā)射單元，多個(gè)所述紅外選擇性熱發(fā)射單元按周期p呈矩陣式排列分布；
每個(gè)所述紅外選擇性熱發(fā)射單元包括由下到上依次設(shè)置的襯底層、金屬背板、介質(zhì)層和金屬片層，所述金屬片層包括第一金屬片、第二金屬片、第三金屬片和第四金屬片，所述第一金屬片、第二金屬片、第三金屬片和第四金屬片按照2*2的陣列設(shè)置在所述介質(zhì)層上，且所述第一金屬片、第二金屬片、第三金屬片和第四金屬片的邊長均不相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性輻射紅外隱身結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底層由Si片制成，所述襯底層的厚度為0.5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性輻射紅外隱身結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬背板和所述金屬片層均由金制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性輻射紅外隱身結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)層材料為損耗性的氮化硅，所述氮化硅的介電常數(shù)為3.8，損耗角正切為0.025。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性輻射紅外隱身結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬背板的厚度為0.1μm，所述介質(zhì)層的厚度為0.19μm，所述金屬片層的厚度為0.08μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性輻射紅外隱身結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述周期p為5.2μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性輻射紅外隱身結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬片的邊長為1.21μm，所述第二金屬片的邊長為1.28μm，所述第三金屬片的邊長為1.37μm，所述第四金屬片的邊長為1.45μm。