本發(fā)明涉及電磁筆技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種磁性疊層結(jié)構(gòu)、磁性疊層結(jié)構(gòu)的制備方法及輸入裝置。

背景技術(shù)：

目前，市場(chǎng)上的電磁筆輸入設(shè)備，例如數(shù)位板、有電磁筆的點(diǎn)讀機(jī)或?qū)懽职宓龋紩?huì)在PCB板或者是薄膜上繞制多組電感線圈，電感線圈上產(chǎn)生的磁場(chǎng)圍繞在線路周圍，該電感線圈距離線路越近，其產(chǎn)生的磁場(chǎng)的差異越大，對(duì)應(yīng)到信號(hào)處理部分也就相應(yīng)的有影響。例如，當(dāng)用戶畫(huà)的是一條直線時(shí)，在這一條線上的表觀彌散系數(shù)(apparent diffusion coefficient ADC)值有大有小，從而影響到直線的線性度。而當(dāng)用戶畫(huà)的是斜線時(shí)，因?yàn)橛袃蓚€(gè)方向的線性度都不好，從而導(dǎo)致斜線變形明顯。

為了解決上述問(wèn)題，傳統(tǒng)的電磁板的天線(即電感線圈)與書(shū)寫(xiě)區(qū)域的距離通常需要大于2MM，以確保直線的線性度，如果距離再變小，就會(huì)出現(xiàn)畫(huà)線彎曲的現(xiàn)象。而采用上述方式，如果輸入裝置追求產(chǎn)品的輕薄，2MM的距離明顯是不能接受的，通常用軟件處理，可讓書(shū)寫(xiě)的文字美化看不到彎曲的現(xiàn)象，但應(yīng)用到手寫(xiě)識(shí)別，就不能真實(shí)的判斷用戶的書(shū)寫(xiě)軌跡。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種磁性疊層結(jié)構(gòu)、磁性疊層結(jié)構(gòu)的制備方法及輸入裝置，以解決現(xiàn)有的輸入裝置無(wú)法滿足輕薄度要求及畫(huà)線彎曲現(xiàn)象的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例第一方面公開(kāi)了一種磁性疊層結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于輸入裝置上，該磁性疊層結(jié)構(gòu)包括：低磁導(dǎo)率材料層以及至少兩層高磁導(dǎo)率材料層，所述至少兩層高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)于所述低磁導(dǎo)率材料層上。

作為一種可選的實(shí)施方式，在本發(fā)明實(shí)施例的第一方面中，所述至少兩層高磁導(dǎo)率材料層包括第一高磁導(dǎo)率材料層及第二高磁導(dǎo)率材料層，所述第一高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)于所述低磁導(dǎo)率材料層上，所述第二高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)于所述第一高磁導(dǎo)率材料層上，所述低磁導(dǎo)率材料層背離所述第一高磁導(dǎo)率材料層的一面上及所述第二高磁導(dǎo)率材料層上均設(shè)置有背膠層。

優(yōu)選地，所述第一高磁導(dǎo)率材料層粘貼于所述低磁導(dǎo)率材料層上，所述第二高磁導(dǎo)率材料層粘貼于所述第一高磁導(dǎo)率材料層上。

作為一種可選的實(shí)施方式，在本發(fā)明實(shí)施例的第一方面中，所述兩層高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)在一起形成疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)由至少三份第一疊層無(wú)縫拼接形成，所述至少三份疊層依次貼設(shè)于所述低磁導(dǎo)率材料層上。

作為一種可選的實(shí)施方式，在本發(fā)明實(shí)施例的第一方面中，所述第一高磁導(dǎo)率材料層及第二高磁導(dǎo)率材料層的材料均為鐵氧體、鉬坡莫合金、硅鋼片或鐵鎳合金。

作為一種可選的實(shí)施方式，在本發(fā)明實(shí)施例的第一方面中，所述低磁導(dǎo)率材料層的材質(zhì)為鋁箔或者是銅箔。

作為一種可選的實(shí)施方式，在本發(fā)明實(shí)施例的第一方面中，所述第一高磁導(dǎo)率材料層及第二高磁導(dǎo)率材料層的磁導(dǎo)率為(5000～7000)亨利/米，所述低磁導(dǎo)率材料層的磁導(dǎo)率為(600～800)亨利/米。

優(yōu)選地，所述第一高磁導(dǎo)率材料層及第二高磁導(dǎo)率材料層的磁導(dǎo)率為6000亨利/米，所述低磁導(dǎo)率材料層的磁導(dǎo)率為600亨利/米。

本發(fā)明第二方面公開(kāi)了一種磁性疊層結(jié)構(gòu)的制備方法，其包括以下步驟：

提供至少兩層高磁導(dǎo)率材料層，將至少兩層高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)于在一起以形成第一疊層；

提供低磁導(dǎo)率材料層，將所述第一疊層貼設(shè)于所述低磁導(dǎo)率材料層上。

作為一種可選的實(shí)施方式，在本發(fā)明實(shí)施例的第二方面中，在步驟“提供至少兩層高磁導(dǎo)率材料層，將至少兩層高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)在一起以形成第一疊層”中，所述至少兩層高磁導(dǎo)率材料層包括第一高磁導(dǎo)率材料層及第二高磁導(dǎo)率材料層，將所述第二高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)于所述第一高磁導(dǎo)率材料層上，以形成所述第一疊層。

作為一種可選的實(shí)施方式，在本發(fā)明實(shí)施例的第二方面中，在步驟“提供低磁導(dǎo)率材料層，將所述第一疊層貼設(shè)于所述低磁導(dǎo)率材料層上”中，具體包括以下步驟：

提供裁切設(shè)備，采用所述裁切設(shè)備沿所述第一疊層的水平方向或者豎直方向?qū)⑺龅谝化B層裁切成至少三份；

將裁切后的至少三份第一疊層依次排列拼接在一起，且相鄰的兩份第一疊層之間為無(wú)縫拼接；

將拼接后的三份第一疊層粘接于所述低磁導(dǎo)率材料層上。

作為一種可選的實(shí)施方式，在本發(fā)明實(shí)施例的第二方面中，在步驟“提供低磁導(dǎo)率材料層，將所述第一疊層貼設(shè)于所述低磁導(dǎo)率材料層上”中，具體包括以下步驟：

提供裁切設(shè)備，采用所述裁切設(shè)備沿所述第一疊層的水平方向或者豎直方向?qū)⑺龅谝化B層裁切成至少三份；

將裁切后的三份第一疊層依次貼設(shè)于所述低磁導(dǎo)率材料層上，且相鄰的兩份第一疊層無(wú)縫拼接在一起。

本發(fā)明實(shí)施例第三方面公開(kāi)了一種輸入裝置，包括：

殼體、設(shè)于所述殼體內(nèi)的電路板及如上述的磁性疊層結(jié)構(gòu)，所述磁性疊層結(jié)構(gòu)設(shè)于所述殼體內(nèi)，且所述磁性疊層結(jié)構(gòu)的低磁導(dǎo)率材料層與所述殼體連接，所述磁性疊層結(jié)構(gòu)高磁導(dǎo)率材料層與所述電路板連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例具有以下有益效果：

本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)設(shè)置至少兩層高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)于低磁導(dǎo)率材料層上，從而當(dāng)將其應(yīng)用于無(wú)線電磁筆上時(shí)，利用該高磁導(dǎo)率材料層能夠均衡無(wú)線電磁筆內(nèi)部的電感線圈周圍的磁場(chǎng)，使得該電感的磁場(chǎng)不能穿過(guò)該高磁導(dǎo)率材料層及低磁導(dǎo)率材料層，同時(shí)可以提升該高磁導(dǎo)率材料層及低磁導(dǎo)率材料層上方的磁場(chǎng)，增強(qiáng)電感線圈的電磁轉(zhuǎn)換效率，避免采用無(wú)線電磁筆進(jìn)行畫(huà)線時(shí)的畫(huà)斜線變形明顯，例如斜線彎曲的現(xiàn)象，因此，使得該無(wú)線電磁筆的電感線圈與書(shū)寫(xiě)區(qū)域的距離無(wú)需設(shè)置為大于2mm，滿足無(wú)線電磁筆的輕薄度要求。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的磁性疊層結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的高磁導(dǎo)率材料層的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的磁性疊層結(jié)構(gòu)的制備方法的流程圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的實(shí)施步驟S2的一種流程圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的實(shí)施步驟S2的另一種流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種磁性疊層結(jié)構(gòu)、磁性疊層結(jié)構(gòu)的制備方法及輸入裝置，能夠解決目前的無(wú)線電磁筆無(wú)法滿足輕薄度要求及畫(huà)線彎曲的問(wèn)題。以下將結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)一并參閱圖1至圖2，為本發(fā)明實(shí)施例提供的磁性疊層結(jié)構(gòu)100的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖。該磁性疊層結(jié)構(gòu)100應(yīng)用于輸入裝置上，包括低磁導(dǎo)率材料層10及至少兩層高磁導(dǎo)率材料層20；該至少兩層高磁導(dǎo)率材料層20疊設(shè)于該低磁導(dǎo)率材料層10上。采用設(shè)置至少兩層高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)在一起的設(shè)計(jì)，能夠提升磁場(chǎng)的一致性，從而使得后續(xù)在進(jìn)行畫(huà)線時(shí)的線性度良好。

在本實(shí)施例中，該輸入裝置可為但不局限于無(wú)線電磁筆、數(shù)位板或者寫(xiě)字板等輸入裝置。

在本實(shí)施例中，該高磁導(dǎo)率材料層為兩層。該至少兩層高磁導(dǎo)率材料層包括第一高磁導(dǎo)率材料層20及第二高磁導(dǎo)率材料層22，該第一高磁導(dǎo)率材料層21疊設(shè)于低磁導(dǎo)率材料層10上，第二高磁導(dǎo)率材料層22疊設(shè)于第一高磁導(dǎo)率材料層21上，且在低磁導(dǎo)率材料層10背離第一高磁導(dǎo)率材料層21的一面上及第二高磁導(dǎo)率材料層22上均設(shè)置有背膠層30及背膠層40?？梢岳斫獾氖?，在其他實(shí)施例中，該高磁導(dǎo)率材料層20還可為三層、四層或者更多層。該高磁導(dǎo)率材料層20的層數(shù)越多，則其均衡磁場(chǎng)的效果則越強(qiáng)。

在本實(shí)施例中，上述的兩層高磁導(dǎo)率材料層20疊設(shè)在一起形成疊層結(jié)構(gòu)，該疊層結(jié)構(gòu)由至少三份第一疊層23無(wú)縫拼接在一起。具體地，該至少三份第一疊層23為沿該低磁導(dǎo)率材料層10的長(zhǎng)度方向依次進(jìn)行拼接?？梢岳斫獾氖?，在其他實(shí)施例中，該至少三份第一疊層23還可沿該低磁導(dǎo)率材料層10的寬度方向依次進(jìn)行拼接。

進(jìn)一步地，該第一高磁導(dǎo)率材料層21及第二高磁導(dǎo)率材料層22的材料均為鐵氧體、鉬坡莫合金、硅鋼片或鐵鎳合金，以具有良好的磁導(dǎo)率。優(yōu)選地，該第一高磁導(dǎo)率材料層21及第二高磁導(dǎo)率材料層22的磁導(dǎo)率為(5000～7000)亨利/米。即，該第一高磁導(dǎo)率材料層21及第二高磁導(dǎo)率材料層22的磁導(dǎo)率可為5000亨利/米、5500亨利/米、6000亨利/米、6500亨利/米或者7000亨利/米等。

該低磁導(dǎo)率材料層10的材質(zhì)為鋁箔或者是銅箔，且該低磁導(dǎo)率材料層10的磁導(dǎo)率為(600～800)亨利/米。在本實(shí)施例中，該低磁導(dǎo)率材料層10能夠屏蔽貼設(shè)于其上的至少兩層高磁導(dǎo)率材料層與外界的磁干擾。該低磁導(dǎo)率材料層10的材質(zhì)優(yōu)選為銅箔，因銅箔具有良好的硬度，能夠防止出現(xiàn)嚴(yán)重變形情況。優(yōu)選地，該低磁導(dǎo)率材料層10的磁導(dǎo)率為600亨利/米、650亨利/米、700亨利/米、750亨利/米或者800亨利/米等。

本發(fā)明實(shí)施例提供的磁性疊層結(jié)構(gòu)100，通過(guò)將至少兩層高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)于低磁導(dǎo)率材料層10上，從而利用該兩層高磁導(dǎo)率材料層能夠提升整體的磁場(chǎng)一致性，同時(shí)利用低磁導(dǎo)率材料來(lái)屏蔽掉高磁導(dǎo)率材料層與外界的磁干擾，使得后續(xù)在畫(huà)線時(shí)的線性度良好，從而避免出現(xiàn)畫(huà)線彎曲變形情況。此外，由于增加了上述的磁性疊層結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)將該磁性疊層結(jié)構(gòu)應(yīng)用于輸入裝置上時(shí)，該輸入裝置能夠不受傳統(tǒng)的電感線圈與書(shū)寫(xiě)區(qū)域的距離通常需要大于2MM的限制，從而使得該電感線圈能夠與書(shū)寫(xiě)區(qū)域之間的距離變小，從而有利于滿足產(chǎn)品的輕薄度要求。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種輸入裝置，包括殼體、設(shè)于殼體內(nèi)的電路板及如上述的磁性疊層結(jié)構(gòu)100，該磁性疊層結(jié)構(gòu)100設(shè)于該殼體內(nèi)，且該磁性疊層結(jié)構(gòu)的低磁導(dǎo)率材料層10上的背膠層30與殼體連接，該磁性疊層結(jié)構(gòu)100的第二高磁導(dǎo)率材料層22上的背膠層40與電路板連接，從而實(shí)現(xiàn)該磁性疊層結(jié)構(gòu)100固定在該殼體內(nèi)的目的。具體地，為了保證該磁性疊層結(jié)構(gòu)100與殼體的連接緊密性，可將該低磁導(dǎo)率材料層10上的背膠層30直接貼在殼體的內(nèi)壁面，然后將第二高磁導(dǎo)率材料層22上的背膠層40直接貼在電路板上。

在本實(shí)施例中，該輸入裝置可為但不局限于無(wú)線電磁筆、數(shù)位板或者寫(xiě)字板等。

本發(fā)明實(shí)施例提供的輸入裝置，通過(guò)設(shè)置該磁性疊層結(jié)構(gòu)100于殼體內(nèi)，利用該磁性疊層結(jié)構(gòu)100能夠形成一個(gè)電磁反射層、屏蔽層，該磁性疊層結(jié)構(gòu)100中的高磁導(dǎo)率材料層上方的電感線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)能夠在高磁導(dǎo)率材料層的作用下形成反射，將該電感線圈其他方向的磁場(chǎng)全部集中在電感線圈上方，從而能夠增大電感線圈上方的磁場(chǎng)，并且能夠有效地使得電感線圈周圍的磁場(chǎng)均勻，從而能夠避免畫(huà)斜線出現(xiàn)彎曲的現(xiàn)象。此外，利用該磁性疊層結(jié)構(gòu)100還可屏蔽外界的磁干擾以及外界的金屬對(duì)電感線圈的影響，因此，該輸入裝置能夠放置于金屬桌面上進(jìn)行使用，從而對(duì)于放置環(huán)境的要求降低，有利于用戶攜帶外出于不同環(huán)境使用。

請(qǐng)一并參閱圖3至圖5，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種磁性疊層結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法包括以下步驟：

S1：提供至少兩層高磁導(dǎo)率材料層，將至少兩層高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)于在一起以形成第一疊層。

在本步驟中，該至少兩層高磁導(dǎo)率材料層可通過(guò)粘膠的方式相互粘貼在一起。具體地，在該步驟中，該至少兩層高磁導(dǎo)率材料層包括第一高磁導(dǎo)率材料層及第二高磁導(dǎo)率材料層，將第二高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)于第一高磁導(dǎo)率材料層上，從而形成該第一疊層?？梢岳斫獾氖牵摳叽艑?dǎo)率材料層還可為三層，例如，包括該第一高磁導(dǎo)率材料層、第二高磁導(dǎo)率材料層及第三高磁導(dǎo)率材料層，該高磁導(dǎo)率材料層的層數(shù)越多，則其平衡磁場(chǎng)的效果則越強(qiáng)。

該第一高磁導(dǎo)率材料層及第二高磁導(dǎo)率材料層的磁導(dǎo)率為(5000～7000)亨利/米。即，該第一高磁導(dǎo)率材料層21及第二高磁導(dǎo)率材料層22的磁導(dǎo)率可為5000亨利/米、5500亨利/米、6000亨利/米、6500亨利/米或者7000亨利/米等。

S2：提供低磁導(dǎo)率材料層，將所述第一疊層貼設(shè)于所述低磁導(dǎo)率材料層上。

本步驟的目的是為了將該第一疊層貼設(shè)于該低磁導(dǎo)率材料層上，以形成該磁性疊層結(jié)構(gòu)。具體地，該第一高磁導(dǎo)率材料層采用粘膠的方式貼設(shè)于該低磁導(dǎo)率材料層上。

如圖4所示，進(jìn)一步地，作為其中一種實(shí)施例，在本步驟中，其具體包括以下步驟：

S21：提供裁切設(shè)備，采用所述裁切設(shè)備沿所述第一疊層的水平方向或者豎直方向?qū)⑺龅谝化B層裁切成至少三份。

本步驟的目的是為了將第一疊層進(jìn)行裁切，由于第一高磁導(dǎo)率材料層及第二高磁導(dǎo)率材料層均很薄，因此，其形成的第一疊層也很薄，從而使得其其在不同的位置上的磁導(dǎo)率不同，即，有些位置的磁導(dǎo)率比較高，而有些位置的磁導(dǎo)率比較低，導(dǎo)致第一疊層的整體磁導(dǎo)率不均勻，因此，通過(guò)將第一疊層進(jìn)行裁切，從而使得其在磁導(dǎo)率不均勻的位置進(jìn)行裁切后，再后續(xù)再拼接在一起時(shí)，能夠消除該位置上的不均勻的磁導(dǎo)率。優(yōu)選地，在裁切時(shí)，可將第一疊層上磁導(dǎo)率位置較低的地方進(jìn)行裁切，然后在后續(xù)再拼接在一起。

可以理解的是，該第一疊層可裁切成三份、四份、五份或者更多份，但是裁切的份數(shù)越多，其后續(xù)粘接的難度就越大，因此，為了便于簡(jiǎn)化工藝，本步驟優(yōu)選裁切為三份。

S22：將裁切后的至少三份第一疊層依次排列拼接在一起，且相鄰的兩份第一疊層之間為無(wú)縫拼接。

本步驟的目的是將裁切后的第一疊層重新拼接形成一個(gè)整體，同時(shí)確保相鄰的兩份第一疊層之間為無(wú)縫拼接，以保證拼接形成后的第一疊層能夠?qū)ζ渖戏降碾姼芯€圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)形成反射，避免相鄰的兩份第一疊層之間有間隙而導(dǎo)致有部分磁場(chǎng)直接進(jìn)入該間隙而無(wú)法形成反射，從而導(dǎo)致磁場(chǎng)損耗。

S23：將拼接后的三份第一疊層粘接于所述低磁導(dǎo)率材料層上。

本步驟的目的是將拼接后的第一疊層與低磁導(dǎo)率材料層貼設(shè)在一起，從而形成該磁性疊層結(jié)構(gòu)。

如圖5所示可以理解的是，作為另外的實(shí)施例，在步驟“S2中，可包括以下步驟：

S211：提供裁切設(shè)備，采用所述裁切設(shè)備沿所述第一疊層的水平方向或者豎直方向?qū)⑺龅谝化B層裁切成至少三份

本步驟的目的是對(duì)第一疊層進(jìn)行裁切，由于第一高磁導(dǎo)率材料層及第二高磁導(dǎo)率材料層均很薄，因此，其形成的第一疊層也很薄，從而使得其其在不同的位置上的磁導(dǎo)率不同，即，有些位置的磁導(dǎo)率比較高，而有些位置的磁導(dǎo)率比較低，導(dǎo)致第一疊層的整體磁導(dǎo)率不均勻，因此，通過(guò)將第一疊層進(jìn)行裁切，從而使得其在磁導(dǎo)率不均勻的位置進(jìn)行裁切后，再后續(xù)再拼接在一起時(shí)，能夠消除該位置上的不均勻的磁導(dǎo)率。

S212：將裁切后的三份第一疊層依次貼設(shè)于所述低磁導(dǎo)率材料層上，且相鄰的兩份第一疊層無(wú)縫拼接在一起。

本步驟的目的是將裁切后的每一份第一疊層分別粘貼到低磁導(dǎo)率材料層上，然后再對(duì)相鄰的兩份第一疊層進(jìn)行拼接。此時(shí)，在對(duì)相鄰的兩份第一疊層進(jìn)行拼接時(shí)，可采用粘膠的方式進(jìn)行拼接。在粘膠時(shí)，還可借助粘接設(shè)備進(jìn)行粘接。

進(jìn)一步地，在上述步驟S2之后，還可進(jìn)一步包括以下步驟：

S3：在第二高磁導(dǎo)率材料層及該低磁導(dǎo)率材料層上分別貼設(shè)有背膠層。

本步驟的目的是為了便于后續(xù)將該低磁導(dǎo)率材料層及該第一疊層與輸入裝置的電路板及殼體分別進(jìn)行粘接，以實(shí)現(xiàn)將得到的磁性疊層結(jié)構(gòu)固定于該輸入裝置的殼體內(nèi)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的磁性疊層結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)將至少兩層高磁導(dǎo)率材料層先疊設(shè)在一起，形成第一疊層，然后再將該第一疊層疊設(shè)于該低磁導(dǎo)率材料層上，以形成該磁性疊層結(jié)構(gòu)，該制備方法工藝簡(jiǎn)單，可操作性強(qiáng)，形成的磁性疊層結(jié)構(gòu)能夠有效地均衡無(wú)線電磁筆內(nèi)部的電感線圈周圍的磁場(chǎng)，并加強(qiáng)該第一疊層上方的磁場(chǎng)，從而減少磁場(chǎng)損耗，進(jìn)而增強(qiáng)電感線圈的電磁轉(zhuǎn)化效率，解決了現(xiàn)有的無(wú)線電磁筆進(jìn)行畫(huà)線時(shí)的畫(huà)斜線變形明顯的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)設(shè)置至少兩層高磁導(dǎo)率材料層疊設(shè)于低磁導(dǎo)率材料層上，從而當(dāng)將其應(yīng)用于無(wú)線電磁筆上時(shí)，利用該高磁導(dǎo)率材料層及低磁導(dǎo)率材料層，能夠均衡無(wú)線電磁筆內(nèi)部的電感線圈周圍的磁場(chǎng)，使得該電感的磁場(chǎng)不能穿過(guò)該高磁導(dǎo)率材料層及低磁導(dǎo)率材料層，同時(shí)可以提升該高磁導(dǎo)率材料層及低磁導(dǎo)率材料層上方的磁場(chǎng)，增強(qiáng)電感線圈的電磁轉(zhuǎn)換效率，避免采用無(wú)線電磁筆進(jìn)行畫(huà)線時(shí)的畫(huà)斜線變形明顯，例如斜線彎曲的現(xiàn)象，因此，使得該無(wú)線電磁筆的電感線圈與書(shū)寫(xiě)區(qū)域的距離無(wú)需設(shè)置為大于2mm，滿足無(wú)線電磁筆的輕薄度要求。

以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的一種磁性疊層結(jié)構(gòu)及輸入裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的磁性疊層結(jié)構(gòu)及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。