技術(shù)總結(jié)
在此公開(kāi)的系統(tǒng)、方法，和設(shè)備用于形成低輻射板，其可包括基片和反射層，被形成在所述基片上。所述低輻射板可進(jìn)一步包括頂部介質(zhì)層，被形成在所述反射層上，從而所述反射層被形成在所述頂部介質(zhì)層和所述基片之間。所述頂部介質(zhì)層可包括三元金屬氧化物，如鋅錫鋁氧化物。所述頂部介質(zhì)層也可包括鋁。所述鋁濃度的原子百分比為1％?15％，或?yàn)?％?10％。鋅對(duì)錫的原子比可為0.67?1.5，或?yàn)?.9?1.1。

技術(shù)研發(fā)人員：G·Z·張;B·博伊斯;J·成;M·伊姆蘭;G·W·丁;M·H·樂(lè);D·施瓦格特;Y·L·許
受保護(hù)的技術(shù)使用者：分子間公司;葛迪恩實(shí)業(yè)公司
文檔號(hào)碼：201480027773
技術(shù)研發(fā)日：2014.03.12
技術(shù)公布日：2017.11.17