一種封裝方法及電子系統(tǒng)產(chǎn)品的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種封裝工藝及電子系統(tǒng)產(chǎn)品，封裝工藝包括：封裝電子系統(tǒng)形成一封裝半成品；在封裝半成品表面涂覆合成電磁屏蔽材料形成一屏蔽介質(zhì)層，其中，合成電磁屏蔽材料具有第一電介值和第一磁介值。從而避免了電子系統(tǒng)工作在腔體內(nèi)的諧振頻率的問題，能保護(hù)好電子系統(tǒng)。
【專利說(shuō)明】一種封裝方法及電子系統(tǒng)產(chǎn)品

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝方法及電子系統(tǒng)產(chǎn)品。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著微電子系統(tǒng)工作頻率越來(lái)越高，電子系統(tǒng)封裝輻射能力也越強(qiáng)，這就嚴(yán)重千 擾了封裝系統(tǒng)內(nèi)部電子系統(tǒng)，會(huì)經(jīng)常導(dǎo)致電子封裝系統(tǒng)工作不穩(wěn)定，甚至電子系統(tǒng)癱瘓，特 別是封裝系統(tǒng)包含有模擬集成電路或射頻集成電路的電子系統(tǒng)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中通過在封裝體表面涂上導(dǎo)電膠，這樣就可以對(duì)外界的電場(chǎng)進(jìn)行屏蔽起 到一定的作用。但是封裝體表面涂覆一層導(dǎo)電膠后，因?yàn)閷?dǎo)電膠的介電常數(shù)很高，就形成了 一個(gè)腔體（表面具有金屬高導(dǎo)電特性），而任何腔體的內(nèi)部都有諧振頻率。根據(jù)高導(dǎo)電材料 表面的腔體會(huì)在腔體內(nèi)部激發(fā)起諧振頻率，所激發(fā)的諧振頻率在封裝體內(nèi)會(huì)非常強(qiáng)。如果 封裝的電子系統(tǒng)工作在諧振頻率上，就會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)很不穩(wěn)定或癱瘓。由此可以看出現(xiàn)有技 術(shù)中在封裝體表面涂上導(dǎo)電膠的方式仍然存到導(dǎo)致電子系統(tǒng)會(huì)不穩(wěn)定或癱瘓的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明實(shí)施例通過提供一種封裝方法及電子系統(tǒng)產(chǎn)品，解決了現(xiàn)有技術(shù)中電子系 統(tǒng)會(huì)不穩(wěn)定或癱瘓的問題。
[0005] 第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種封裝方法，包括：
[0006] 封裝電子系統(tǒng)形成一封裝半成品；
[0007] 在所述封裝半成品表面涂覆合成電磁屏蔽材料形成一屏蔽介質(zhì)層，其中，所述合 成電磁屏蔽材料具有第一電介值和第一磁介值。
[0008] 優(yōu)選的，所述屏蔽介質(zhì)層的厚度與所述合成電磁屏蔽材料的內(nèi)穿透深度值滿足第 一比例。
[0009] 優(yōu)選的，所述屏蔽介質(zhì)層的厚度為所述內(nèi)穿深度值的1. 16倍。
[0010] 第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電子系統(tǒng)產(chǎn)品，包括：
[0011] 封裝半成品，封裝一電子系統(tǒng)形成；
[0012] 屏蔽介質(zhì)層，通過在所述封裝半成品表面涂覆合成電磁屏蔽材料形成，其中，所述 合成電磁屏蔽材料具有第一電介值和第一磁介值。
[0013] 優(yōu)選的，所述屏蔽介質(zhì)層的厚度與所述合成屏蔽材料的內(nèi)穿透深度值、滿足第-比 例。
[0014] 優(yōu)選的，所述屏蔽介質(zhì)層的厚度為所述內(nèi)穿深度值的1· 16倍。
[0015] 本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果：
[0016] 由于采用了合成電磁屏蔽材料涂覆在對(duì)電子系統(tǒng)進(jìn)行封裝之后的封裝半成品上， 而近年來(lái)合成電磁屏蔽材料能夠在電介質(zhì)常數(shù)和磁介質(zhì)常數(shù)連續(xù)變化，因此可以根據(jù)本發(fā) 明需要，合成所需要的特定電介值和特定磁介值的電磁屏蔽材料，合成后的合成電磁屏蔽 材料具有聞電導(dǎo)率和尚磁導(dǎo)率，這樣既可以屏蔽外界的電磁波，同時(shí)能抑制電子系統(tǒng)的腔 體內(nèi)電磁波的諧振，從而避免了電子系統(tǒng)工作在腔體內(nèi)的諧振頻率的問題，能保護(hù)好電子 系統(tǒng)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的封裝方法的流程圖；
[0018] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的電子系統(tǒng)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中電子系統(tǒng)會(huì)不穩(wěn)定或癱瘓的技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了 一種封裝方法及電子系統(tǒng)產(chǎn)品。 x
[0020]為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說(shuō)明書附圖以及具體的實(shí)施方式對(duì)上 述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0021] 參考圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例中的封裝方法，包括如下流程：
[0022] 步驟110、封裝電子系統(tǒng)形成一封裝半成品。
[0023]具體的，形成的封裝半成品具有一特定封裝結(jié)構(gòu)，封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)為一腔體，從而封裝 半成品的腔體內(nèi)具有第一諧振頻率和第二諧振頻率。
[0024]步驟120、在封裝半成品表面涂覆合成電磁屏蔽材料形成一屏蔽介質(zhì)層，其中，合 成電磁屏蔽材料具有第一電介值和第一磁介值。
[0025]具體的，近年來(lái)人工合成電磁屏蔽材料能夠在電介質(zhì)常數(shù)和磁介質(zhì)常數(shù)連續(xù)變 化，而自然界材料不能滿足上述條件（比如現(xiàn)有使用的導(dǎo)電膠就沒有本發(fā)明實(shí)施例所需要 的高電導(dǎo)率和高磁導(dǎo)率）。人工合成電磁屏蔽材料的合成工藝已經(jīng)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知 曉，為了說(shuō)明書的簡(jiǎn)潔，在此不再贅述。 '
[0026]在具體實(shí)施過程中，涂覆封裝半成品的合成電磁屏蔽材料需要根據(jù)所需要的第一 電介值和第一磁介值來(lái)合成對(duì)應(yīng)的合成電磁屏蔽材料，從而獲得對(duì)應(yīng)申子罕績(jī)產(chǎn)品所需要 的高電導(dǎo)率和高磁導(dǎo)率的合成電磁屏蔽材料。 Μ
[0027]優(yōu)選的，屏蔽介質(zhì)層的厚度與合成電磁屏蔽材料的內(nèi)穿透深度值滿足第一比例。 具體的，腔體內(nèi)諧振頻率包括第一諧振頻率和第二諧振頻率。但是腔體內(nèi)諧振頻率能量主 要集中在第一諧振頻率，因此，針對(duì)第一諧振頻率計(jì)算第一諧振頻率在合成電磁屏蔽材料 的內(nèi)穿透深度值δ。內(nèi)穿透深度值s根據(jù)計(jì)算公式：δ: = 計(jì)算得到。公式中，s 表示第一諧振頻率在屏蔽介質(zhì)層內(nèi)的內(nèi)穿透深，D表示屏蔽介質(zhì)層的厚度，f表示腔體內(nèi)的 第一諧振頻率，μ。表不真空中磁介質(zhì)常數(shù)，σ表不電磁屏蔽材料的電解質(zhì)常數(shù)，π為圓周 率常數(shù)。
[0028]發(fā)明人運(yùn)用遺傳優(yōu)化計(jì)算算法確定屏蔽介質(zhì)層的厚度與內(nèi)穿深度值的第一比例 為1. 1?1. 2倍之間時(shí)，能夠保證對(duì)第一諧振頻率的抑制效果相同的前提下，屏蔽介質(zhì)層的 厚度最小。
[0029] 基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電子系統(tǒng)產(chǎn)品，如圖2所示，所示 電子系統(tǒng)產(chǎn)品包括：
[0030] 封裝半成品201，封裝一電子系統(tǒng)形成；
[0031]屏蔽介質(zhì)層2〇2,通過在封裝半成品2〇1表面涂覆合成電磁屏蔽材料形成，其中， 合成電磁屏蔽材料具有第一電介值和第一磁介值。
[0032]優(yōu)選的，包括：屏蔽介質(zhì)層2〇2的厚度與合成屏蔽材料的內(nèi)穿透深度值滿足第- 比例。
[0033]優(yōu)選的，屏蔽介質(zhì)層202的厚度為內(nèi)穿深度值的1. 16倍。
[0034]由于本實(shí)施例所介紹的電子系統(tǒng)產(chǎn)品為實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例中的封裝方法形成的 電子系統(tǒng)產(chǎn)品，故而基于本發(fā)明實(shí)施例中所介紹的封裝方法，本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員能夠了 解本實(shí)施例的電子系統(tǒng)產(chǎn)品的【具體實(shí)施方式】以及其各種變化形式，所以在此對(duì)于該電子系 統(tǒng)產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例中的方法不再詳細(xì)介紹。只要本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員實(shí)施本申~ 請(qǐng)實(shí)施例中信息處理的方法所采用的電子系統(tǒng)產(chǎn)品，都屬于本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案至少具有圖如下技術(shù)效果：
[0036]由于采用了合成電磁屏蔽材料涂覆在對(duì)電子系統(tǒng)進(jìn)行封裝之后的封裝半成品上， 而近年來(lái)合成電磁屏蔽材料能夠在電介質(zhì)常數(shù)和磁介質(zhì)常數(shù)連續(xù)變化，因此，可以根據(jù)本 發(fā)明需要，合成所需要的特定電介值和磁介值的電磁屏蔽材料，合成后的合成電磁屏蔽材 料具有高電導(dǎo)率和高磁導(dǎo)率，這樣既可以屏蔽外界的電磁波，同時(shí)能抑制電子系統(tǒng)的腔體 內(nèi)電磁波的諧振，從而避免了電子系統(tǒng)工作在腔體內(nèi)的諧振頻率的問題，能保護(hù)好電子系 統(tǒng)。
[0037] 盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造 性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu) 選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0038] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種封裝方法，其特征在于，包括： 封裝電子系統(tǒng)形成一封裝半成品； 在所述封裝半成品表面涂覆合成電磁屏蔽材料形成一屏蔽介質(zhì)層，其中，所述合成電 磁屏蔽材料具有第一電介值和第一磁介值。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽介質(zhì)層的厚度與所述合成電磁屏 蔽材料的內(nèi)穿透深度值滿足第一比例。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述屏蔽介質(zhì)層的厚度為所述內(nèi)穿深度值 的1. 16倍。
4. 一種電子系統(tǒng)產(chǎn)品，其特征在于，包括： 封裝半成品，封裝一電子系統(tǒng)形成； 屏蔽介質(zhì)層，通過在所述封裝半成品表面涂覆合成電磁屏蔽材料形成，其中，所述合成 電磁屏蔽材料具有第一電介值和第一磁介值。
5. 如權(quán)利要求4所述的電子系統(tǒng)產(chǎn)品，其特征在于，包括：所述屏蔽介質(zhì)層的厚度與所 述合成屏蔽材料的內(nèi)穿透深度值滿足第一比例。
6. 如權(quán)利要求5所述的電子系統(tǒng)產(chǎn)品，其特征在于，所述屏蔽介質(zhì)層的厚度為所述內(nèi) 穿深度值的1. 16倍。
【文檔編號(hào)】H05K9/00GK104244686SQ201410452814
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月5日
【發(fā)明者】汪柳平, 上官東凱, 曹立強(qiáng), 于中堯, 陸原 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所, 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司