用于元素蛻變的設(shè)備及方法相關(guān)申請的交叉參考本申請要求題目為“VESSELFORTRANSMUTATIONOFELEMENTS”的，申請日為2013年5月6號(hào)的美國專利申請No.61/660,463的優(yōu)先權(quán)。前述申請的每一個(gè)在此被整體引用。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及用于元素蛻變的設(shè)備與方法，并具體涉及用于鉬-98蛻變產(chǎn)生锝-99m的設(shè)備和方法。

背景技術(shù)：
锝-99m(Tc-99m)是核醫(yī)學(xué)中的主力同位素，其廣泛地用于診斷醫(yī)療成像。Tc-99m通常用于檢測疾病和了解器官結(jié)構(gòu)和功能。锝-99m是具有6小時(shí)半衰期的锝-99(Tc-99)的亞穩(wěn)態(tài)核異構(gòu)體，并且在其衰減至锝-99時(shí)，發(fā)射140keV的伽瑪射線光子。該伽瑪射線可被用于醫(yī)學(xué)成像。美國Tc-99m的供給通常通過在反應(yīng)堆中照射高濃縮鈾(HEU)，從HEU目標(biāo)物中提取裂變產(chǎn)物鉬-99(Mo-99)并在Mo-99自發(fā)β衰變(具有66小時(shí)半衰期)時(shí)收集所產(chǎn)生的Tc-99m而生產(chǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
提供了用于元素蛻變的設(shè)備與方法。在一些實(shí)施例中，用于從鉬-98產(chǎn)生锝-99m的設(shè)備包括中子發(fā)生器，其被配置為使用中子輸出發(fā)射中子，具有D1直徑的中子減速劑，其被配置為減小中子輸出的平均能量以產(chǎn)生減速的中子輸出，一個(gè)或多個(gè)具有直徑D2并包括含鉬材料的區(qū)域，其被配置為在暴露于減速的中子輸出時(shí)吸收中子，通過含鉬物質(zhì)吸收中子，由鉬-98產(chǎn)生鉬-99，以及提取器，其被配置為從一個(gè)或多個(gè)區(qū)域中提取鉬-99。在一些變體中，用于元素蛻變的設(shè)備包括中子發(fā)射器，其被配置為使用中子輸出發(fā)射中子，中子減速劑，其被配置為減小中子輸出的平均能量以產(chǎn)生減速的中子輸出，目標(biāo)物，其被配置為在暴露于減速的中子輸出時(shí)吸收中子，通過目標(biāo)物吸收中子產(chǎn)生元素蛻變，以及提取器，其被配置為提取所需元素。還提供了蛻變目標(biāo)物的方法。在一些實(shí)施例中，蛻變目標(biāo)物的方法包括產(chǎn)生中子輸出，使用中子減速劑減小中子輸出的平均能量以產(chǎn)生減速的中子輸出，使用目標(biāo)物從減速的中子輸出中吸收中子以產(chǎn)生蛻變的元素，以及提取所需元素。附圖說明結(jié)合附圖，本發(fā)明的前述和其他特征將通過下面的描述和隨附的權(quán)利要求變得更加顯而易見。圖1是用于蛻變元素的設(shè)備的實(shí)例的側(cè)視圖。圖2是用于蛻變元素的設(shè)備的另一實(shí)例的俯視圖。圖3是用于蛻變元素的設(shè)備的另一實(shí)例的俯視圖。圖4A和圖4B分別是用于蛻變元素的設(shè)備的另一實(shí)例的俯視圖和側(cè)視圖。圖5是用于蛻變元素的方法的實(shí)例的流程圖。圖6是橫截面曲線圖(單位為靶，其中1靶＝10-28平方米)作為中子能量函數(shù)(單位eV，其中1eV≈1.6×10-19J)用于中子與Mo-98反應(yīng)。較長虛線代表彈性散射，較短虛線代表非彈性散射，點(diǎn)化線代表捕捉，且實(shí)線代表總截面。圖7是Tc-99的活性(單位mCi，其中1Ci＝3.7×1010Bq(以秒衰減))的實(shí)例的曲線圖作為時(shí)間的函數(shù)，用于不同的锝發(fā)生器。圖8是Mo-99量的實(shí)例的曲線圖作為中子發(fā)生器的函數(shù)，該中子發(fā)生器可以不同的10％和20％效率的實(shí)現(xiàn)被生產(chǎn)。用于醫(yī)療成像藥劑的目標(biāo)物范圍的實(shí)例在曲線圖中示出。除非文中指出，否則在不同附圖中的相同的參考數(shù)字和標(biāo)記表明相同的元件。具體實(shí)施例概述本發(fā)明描述了通過吸收中子和形成新核素的核蛻變過程生產(chǎn)核同位素或元素的設(shè)備與方法。通過元素吸收中子并蛻變成不同元素或同位素的過程產(chǎn)生同位素或元素的物理原理是已知的。在一些實(shí)施例中，公開的設(shè)備和方法產(chǎn)生足量同位素或元素，用于在醫(yī)學(xué)、工業(yè)、科研或其他需要核原料的領(lǐng)域的應(yīng)用。在多個(gè)下述實(shí)例中，將描述通過吸收中子的鉬98(Mo-98)蛻變以形成Mo-99。但是，此處描述的設(shè)備以及方法不限于該反應(yīng)，并且可應(yīng)用到廣泛的中子蛻變反應(yīng)。Mo-99可從Mo-98通過下面中子反應(yīng)產(chǎn)生：Mo-98+neutron→Mo-99→Tc-99m通過β衰減，Mo-99衰減以產(chǎn)生Tc-99m，這是最廣泛地用于醫(yī)療診斷影像的放射性示蹤同位素。Tc-99是亞穩(wěn)態(tài)的并通過伽馬射線的發(fā)射衰減(具有約6小時(shí)的半衰期)至Tc-99。伽馬射線的能量是140keV(其中1eV≈1.6x10-19J)并且在醫(yī)療成像中非常有用。由于Mo-99的半衰期為約66小時(shí)，Mo-99不能被儲(chǔ)存并用于按照需求生產(chǎn)Tc-99m，因此必須補(bǔ)充。本文中描述的設(shè)備和方法有利地可用于生產(chǎn)Mo-99，并且Tc-99m衰減產(chǎn)物可被收集用于所需用途，例如用于醫(yī)療診斷成像。中子蛻變的設(shè)備實(shí)例本發(fā)明的一個(gè)設(shè)備的實(shí)施例在圖1中示出。該設(shè)備100可以是任意形狀的，包括但不限于圓柱形、球形、正方形或矩形。在一些實(shí)施例中，設(shè)備100可包括中子發(fā)射器，其被配置于使用中子輸出發(fā)射中子，中子減速劑，其被設(shè)置用于減少中子輸出的平均能量以產(chǎn)生減速的中子輸出，目標(biāo)物，其被設(shè)置用于在暴露于減速的中子輸出時(shí)吸收中子，通過目標(biāo)物吸收中子產(chǎn)生蛻變的元素，以及提取器，其被配置用于提取所需元素。該設(shè)備100包括殼體105，其可由鋁、鋼、鈹或任意其他材料制成，該材料可以托住在其中待蛻變的元素材料。在一些實(shí)施例中，中子發(fā)射器可包括中子發(fā)生器110。中子發(fā)生器可被置于不同位置。例如，中子發(fā)生器可被置于設(shè)備外，并被配置為向設(shè)備中注入中子。在這樣的實(shí)施例中，中子發(fā)生器可被置于與設(shè)備相鄰或與該設(shè)備足夠近，使得產(chǎn)生足夠的中子來進(jìn)行所需的蛻變。當(dāng)與產(chǎn)生各向異性分布中子的中子發(fā)生器一起使用時(shí)(例如，可被注入到設(shè)備中的中子束)，這樣的外部配置可能是有利的。在其他實(shí)施例中，可使用多個(gè)中子發(fā)生器。在一些變體中，該中子發(fā)生器可被置于設(shè)備本身中的任何地方，例如設(shè)備的上半部分，設(shè)備的下半部分，或朝向該設(shè)備的左側(cè)或右側(cè)部分。在一些實(shí)施例中，該中子發(fā)生器110位于圖1所示設(shè)備的中心部分。例如，通過將氘(D)和/或氚(T)的核加速到含氘和/或氚的目標(biāo)物中，中子發(fā)生器產(chǎn)生中子。中子可通過其他方式產(chǎn)生，例如將氘核加速成硼(例如，10B)或其他產(chǎn)生中子的方式。在不同的實(shí)施中，該中子發(fā)生器可連續(xù)或脈沖地以約1×1010至1×1015個(gè)中子/秒的速率范圍產(chǎn)生中子。在一些實(shí)現(xiàn)中，中子發(fā)生器可以是任何形狀，包括但不限于圓柱形、球形、方形、矩形或尺寸為約20至約60厘米高乘以約20至約60厘米寬乘以約20至約60厘米的深的任何形狀。在一些實(shí)施例中，設(shè)備的內(nèi)部中心部分的尺寸可由位于設(shè)備中心部分的中子發(fā)生器的大小來確定?？砂~外的體積以容納高電壓輸入電纜和依附于中子發(fā)生器的水冷管。中子發(fā)生器可以是非裂變設(shè)備，其不通過重元素(如鈾)的裂變產(chǎn)生中子，或產(chǎn)生可維持核裂變的鏈?zhǔn)椒磻?yīng)的中子。中子發(fā)生器在一些實(shí)施例中可以是中子管?？捎糜谌我獗疚闹忻枋龅膶?shí)施例中的另一個(gè)中子發(fā)生器的實(shí)例是在美國專利No.6,907,097中公開的圓柱形中子發(fā)生器，其在本文中被用作參考文獻(xiàn)整體引用?？捎糜诒疚闹忻枋龅脑O(shè)備及方法的實(shí)施例中的中子發(fā)生器的其他實(shí)例包括由AdelphiTechnology,Inc.(RedwoodCity,CA)生產(chǎn)的中子發(fā)生器。在不同實(shí)施例中，由中子發(fā)生器產(chǎn)生的每秒中子數(shù)可以大于1×1011、2×1011、3×1011、5×1011、8×1011、1×1012、1×1013、1×1014、1×1015或更多。在一些實(shí)施例中，每秒中的中子數(shù)可以在的1×1011到1×1015范圍內(nèi)。由中子發(fā)生器發(fā)射的中子能量可以是幾MeV(例如，D-D發(fā)生器，2.4MeV)至大約14MeV(例如，D-T發(fā)生器)。在一些實(shí)施例中，中子發(fā)生器可被中子減速劑120包圍。在一些變體中，中子減速劑120如圖1所示直接圍繞中子發(fā)生器。中子減速劑可被配置為減少中子輸出的平均能量以產(chǎn)生減速的中子輸出。在一些實(shí)施例中，中子減速劑120可用作中子倍增器以通過核反應(yīng)增加設(shè)備中中子的數(shù)量，所述核反應(yīng)包括(n,2n),(n,3n),(n,裂變)等。在一些實(shí)施例中，中子減速劑可基本上包括中子生成器以有效地倍增和減少中子。在一些實(shí)施例中，中子減速劑可以是鉛、鉍、鎢、釷、鈾或任何其他被中子轟擊時(shí)產(chǎn)生中子的材料。中子減速劑可以是貧鈾。在一些實(shí)施例中，中子減速劑可以是水、重水、鈹、碳(例如，石墨，密度＝2.267g/cm3)、聚乙烯(密度＝0.92gm/cm3)，或它們的組合。在一些實(shí)施例中，中子減速劑是可選的并且可能不在其他實(shí)施例中使用。中子減速劑的厚度可變。在一些實(shí)施例中，中子減速劑的厚度可以足夠?qū)⒅凶虞敵龅哪芰拷档椭烈粋€(gè)能量水平，在該能量水平上，目標(biāo)物的捕獲截面在第一閾值之上。在一些實(shí)施例中，中子減速劑具有足夠的厚度使得它可將中子輸出的能量降低至第一閾值以上，第一閾值為最大截面的大約1％至10％或更高(見圖6中所示實(shí)例)。在一些實(shí)施例中，中子減速劑的厚度可小于1厘米。在一些實(shí)施例中，中子減速劑的厚度可大約15厘米。在一些實(shí)施例中，中子減速劑的厚度可在大約0.1至40厘米的范圍內(nèi)，大約1至20厘米的范圍內(nèi)，大約1至15厘米的范圍內(nèi)，或大約5至10厘米的范圍內(nèi)。設(shè)備可還包括目標(biāo)物130，其被配置為在暴露于減速的中子輸出時(shí)吸收中子，由目標(biāo)物吸收中子產(chǎn)生蛻變的元素。在一些實(shí)施例中，中子減速劑120可被如圖1所示目標(biāo)物130圍繞。目標(biāo)物130可包括原子和/或分子形式的待蛻變元素。在一些實(shí)施例中，目標(biāo)物130可還包括元素，該元素可用于進(jìn)一步將高能中子降低到在待衰變元素中中子被有效地吸收的水平。目標(biāo)物可包括鈣、碳、鉻、鈷、鉺、氟、鎵、氚、銦、碘、鐵、氪、鉬、氮、氧、磷、銣、釤、硒、鈉、鍶、锝、鉈、氙、釔或任何可通過中子衰變產(chǎn)生元素或同位素的其他元素中的至少一種。目標(biāo)物可還包括至少一種元素或包括在有中子照射時(shí)產(chǎn)生下列元素的元素：鈣、碳、鉻、鈷、鉺、氟、鎵、氚、銦、碘、鐵、氪、鉬、氮、氧、磷、銣、釤、硒、鈉、鍶、锝、鉈、氙或釔。在一些實(shí)施例中，目標(biāo)物的厚度可足夠?qū)p速中子輸出的能量降低到一個(gè)能量水平，在該能量水平上目標(biāo)物的中子捕獲截面在第二閾值之上，該第二閾值在第一閾值之上。在一些實(shí)施例中，第二閾值可以與目標(biāo)物捕獲截面的峰值很近(例如，約300至500eV，將圖6中所示實(shí)例)。在一些實(shí)施例中，設(shè)備可包括額外的減速材料。額外的減速材料可以是任意材料或化合物，其可將中子減速和/或輔助將衰變元素從設(shè)備中提取。額外減速材料可以是碳、氧化鋁、氧化鎂、二氧化鉬、三氧化鉬或它們的組合。在一些實(shí)施例中，額外的減速材料可以是鉬金屬、鉬氧化物、三氧化鉬、三氧化二鋁、碳、鈹、氧化氘、水、其它金屬氧化物或它們的組合形式的粉末。在一些實(shí)施例中，設(shè)備可包括鉬金屬，其可被涂覆在氧化鋁晶粒的外部。在一些實(shí)施例中，沒有使用三氧化鉬，因?yàn)槠淇扇苡谔囟ㄏ刺崛芤?。在一些?shí)施例中，額外的減速材料可部分地填滿圍繞中子減速劑的設(shè)備的體積(或者如果沒有使用中子減速劑時(shí)的中子發(fā)生器)。在一些實(shí)施例中，額外的減速材料可形成與目標(biāo)物的混合物。在這樣的實(shí)施例中，中子減速劑120可基本被混合物圍繞。在一些實(shí)施例中，目標(biāo)物本身的厚度，目標(biāo)物和額外減速材料的混合物的厚度，或額外減速材料本身的厚度可小于大約100厘米。在一些實(shí)施例中，目標(biāo)物本身的厚度范圍，目標(biāo)物和額外減速材料的混合物的厚度范圍，或額外減速材料本身的厚度范圍可大約在1至150厘米，約20至130厘米，或約50至100厘米。在一些實(shí)施例中，公開的設(shè)備可包括提取器180，其被配置為提取所需元素。在一些變體中，提取器可以是色譜系統(tǒng)、真空過濾系統(tǒng)、離心機(jī)系統(tǒng)、真空蒸發(fā)系統(tǒng)、重力過濾系統(tǒng)或它們的組合。在一些實(shí)施例中，提取器可包括，例如泵、儲(chǔ)液器、控制系統(tǒng)、過濾器、離心機(jī)和類似物。當(dāng)中子發(fā)生器運(yùn)行或沒有運(yùn)行時(shí)，提取器可運(yùn)行。在一些實(shí)施例中，提取器可被置于不同位置，如設(shè)備的頂部，設(shè)備的側(cè)面，設(shè)備的底部或這些位置的組合。提取器可還包括洗提溶液。在一些實(shí)施例中，該洗提溶液可以是水，鹽水溶液，或其它能夠提取所需的元件的溶劑。洗提溶液可以是無菌的。在一些實(shí)施例中，該洗提溶液可被封裝在水庫中。在一些實(shí)施例中，該水庫可位于設(shè)備內(nèi)或設(shè)備外。在一些實(shí)施例中，該洗提溶液可被配置為在任何位置進(jìn)入設(shè)備，如通過設(shè)備的頂部，設(shè)備的底部，或設(shè)備的側(cè)面。該洗提溶液可在重力下或通過壓力抽取下流過該設(shè)備。在其他實(shí)施例中，可額外或可選的施加抽取以輔助洗提溶液流過設(shè)備。在一些實(shí)施例中，該洗提溶液可被配置為在任何位置離開設(shè)備，如通過設(shè)備頂部、設(shè)備底部或設(shè)備側(cè)面。在一些實(shí)施例中，洗提溶液可被配置為在不同位置進(jìn)出設(shè)備。在一些實(shí)施例中，該洗提溶液可被配置為在基本相同的位置進(jìn)出設(shè)備，如具有彼此相鄰的進(jìn)口與出口。圖1示出了提取器180的非限制性實(shí)例和洗提溶液從進(jìn)口150進(jìn)入設(shè)備頂部且由位于設(shè)備100頂部上的歧管140將洗提液分散。洗提溶液可在設(shè)備頂部的一些部分上，設(shè)備頂部的相當(dāng)大一部分上，或在整個(gè)設(shè)備頂部上被分散。將洗提溶液在設(shè)備頂部的相當(dāng)大一部分上或整個(gè)部分上分散可有助于確保洗提溶液基本通過整個(gè)設(shè)備空間。洗提溶液流可由圖1中箭頭190所指向下通過設(shè)備。在一些實(shí)施例中，提取器可改善所需元素的效率或產(chǎn)率。如圖1所示，該洗提溶液可通過出口170流出設(shè)備100。在一些實(shí)施例中，流出設(shè)備的洗提溶液可包括所需元素。在一些實(shí)施例中，所需元素可通過色譜法、沉降和類似方法等被提取和/或濃縮。在一些實(shí)施例中，所需元素可由提取器提取或濃縮，該提取器包括圖1中所示過濾器160。用于設(shè)備實(shí)施例中的過濾器的實(shí)施例可由EMDMilliporeCorporation(Billerica,MA)提供。在所需元素被提取后，部分或全部洗提溶液可被循環(huán)通過設(shè)備，其可改善效率并減少洗提溶液廢物。例如，泵系統(tǒng)(圖1中未示出)可被用于抽回部分或全部洗提溶液(例如，洗提液)至設(shè)備頂部以重復(fù)利用。設(shè)備可還被中子吸收材料包圍(例如，屏蔽層)以保護(hù)設(shè)備附近的人免于接觸未由設(shè)備中的材料所吸收的中子。在一些實(shí)施例中，一些或所有設(shè)備可被加熱(例如，加熱到大于100攝氏度)，其可輔助洗提溶液的滅菌。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)細(xì)菌監(jiān)控設(shè)備可被用于檢測是否洗提溶液(和/或洗提液)被污染。設(shè)備的整體尺寸，包括中子發(fā)生器、中子減速劑、目標(biāo)物、輻射安全屏蔽、殼體、高壓輸入、水冷管和其他附屬設(shè)備和附件，如果是圓柱形的，可能直徑約1至2米，且高約1.5至2.5米。如果是球形的，設(shè)備直徑約1至2.5米。如圖2所示設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例。圖2通過穿過設(shè)備中心的平面描述了設(shè)備210的俯視圖。在該實(shí)施例中，目標(biāo)物130(例如，鉬粉末或氧化鉬)可被包含在單獨(dú)的管210中。中子減速劑120，如碳、聚乙烯、鈹、氧化氘、水或其他這樣的中子減速劑在管之間填充空隙。中子減速劑可用于將中子降低到它們可被目標(biāo)物有效地捕捉到的能量。管210可由含金屬的材料215制成，包括但不限于鋁、鋼、鈹或任意其他材料，該材料可以托住在其中待蛻變的元素材料。管可以是任意形狀，如圓形、正方形、矩形或類似形狀。在一些實(shí)施例中，該管可以具有相同的形狀或不同的形狀。在一些實(shí)施例中，管的直徑可以從約1厘米至約20厘米，并可以基本上與裝置的長度相同。所述管子可以具有不同的直徑，并且可以具有不同的長度。管的數(shù)量可取決于管的大小和管子的放置以有效地捕獲中子；例如，管的數(shù)量的范圍可以從低于10至超過100。管子可被中子減速劑包圍，例如水、氧化氘、鈹、碳、聚乙烯或它們的組合。除在同一時(shí)間洗提基本上整個(gè)裝置(例如，如上所述用于在圖1中示出的實(shí)施例中)之外，每個(gè)單獨(dú)的管可以單獨(dú)地洗提。這使得在同一時(shí)間所需的待洗提元件的數(shù)量較少(例如，锝-99m的)。如果需要的話，一些或所有的管子可以同時(shí)洗提。該管的數(shù)目，它們的位置，它們的形狀和他們在裝置中位置可以是不同于圖2所示的。例如，洗提液可以通過一些或全部管，并不通過圍繞中子發(fā)生器的中子減速劑。在某些情況下，可使用足夠數(shù)量的管，使得基本上所有來自中子發(fā)生器的中子在到達(dá)設(shè)備壁之前被中子減速劑和/或目標(biāo)物吸收。在一些實(shí)施例中，所述洗提過程(例如，其中該洗提溶液可以通過該裝置來洗提)可能發(fā)生在中子發(fā)生器處于運(yùn)行或不運(yùn)行時(shí)。如果在中子發(fā)生器在洗提過程中保持在運(yùn)行狀態(tài)中，剩余的管可以繼續(xù)增加活化(例如，生產(chǎn)額外的蛻變元素)。所述裝置300的另一個(gè)實(shí)施例示于圖3，其通過穿過設(shè)備中心的平面描述了設(shè)備210的俯視圖。在一些實(shí)施例中，中子發(fā)生器110可以在中心部分并由中子減速劑120(包括但不限于碳、聚乙烯、鈹、氧化氘、水或其它中子減速材料)包圍。中子從中子發(fā)生器110經(jīng)過，穿過減速劑材料120，并進(jìn)入目標(biāo)物130(諸如氧化鉬或鉬粉末)。目標(biāo)物130可以是單個(gè)區(qū)域或者可以被劃分成為區(qū)域310。區(qū)域的數(shù)量范圍可以從低于10至超過100，這取決于待蛻變和洗提的所需元件的數(shù)量。區(qū)域的數(shù)量，它們的位置，它們的形狀，并且其在該裝置中的方向可以不同于圖3所示。區(qū)域310可由含金屬的材料315被劃分，包括但不限于鋁、鋼、鈹或任意其他材料制成，該材料可以托住在其中待蛻變的元素材料。區(qū)域310的徑向厚度范圍可以從大約1厘米至超過約20厘米，這取決于每一區(qū)域中的材料的數(shù)量和密度。可被用于確定每個(gè)區(qū)域的徑向厚度的一個(gè)因素是，它是這樣一個(gè)厚度，使得允許待蛻變目標(biāo)物中的中子在他們穿過中子減速劑和該區(qū)域時(shí)被有效吸收。例如，如鉬-98的元素的中子吸收截面從約800keV中子能量并具有約30millibarns的中子吸收截面開始顯著增加。圖6是橫截面的曲線圖(單位為靶，1靶＝10-28平方米)，它是與Mo-98進(jìn)行中子反應(yīng)的中子能量函數(shù)(單位為eV，1eV≈1.6×10-19J)。長虛線為彈性散射，短虛線為非彈性散射，點(diǎn)劃線是捕獲，而實(shí)線為總的橫截面。鉬的捕獲峰值為約400eV。在一些實(shí)施例中，中子發(fā)生器和包含待衰變材料的區(qū)域之間的中子減速劑厚度可由所需的將中子減速至約800keV能量水平的厚度確定。根據(jù)所用減速劑的類型，該厚度范圍可以從約2厘米到大于40厘米。吸收截面繼續(xù)在約500eV的中子能量情況下上升至約6靶的峰值。中子能量在約320eV的情況下，吸收截面急劇下降到小于10毫靶。在該點(diǎn)上，中子可能不再被有效地捕獲并且待衰變的材料可能不再需要。這點(diǎn)標(biāo)志著吸收部分半徑的末端。取決于目標(biāo)物的類型和密度，各部分的厚度范圍可以從約2厘米至約40厘米。該區(qū)域或每個(gè)單獨(dú)的區(qū)域，或它們的某些組合，可以根據(jù)需要，通過將洗提液通過每一區(qū)域而被洗提。例如，洗提溶液可通過一些或所有區(qū)域，并且不通過包圍中子發(fā)生器110的中子減速劑120。在一些情況下，也可以使用足夠數(shù)量的區(qū)域，使得基本上所有來自中子發(fā)生器的中子被中子減速劑和/或被所述部分中的材料在到達(dá)設(shè)備壁到達(dá)之前被吸收。在一些實(shí)施例中，中子減速劑的直徑為D1(中子發(fā)生器和含有待蛻變的元件的部分之間)可被選擇，以使中子在各部分的能量已減小到一個(gè)值，其中，以待蛻變元素具有足夠高的橫截面(例如，大于約1％至約10％的截面峰值)。所述部分的直徑D2(中子減速劑120與殼體105之間)的直徑可被選擇，使得在部分中的中子已減速到能源的橫截面的峰值附近。例如，對于98鉬目標(biāo)物，可選擇減速劑厚度，以使中子能量是在約1keV到約100keV的范圍內(nèi)(例如，30至40keV)且該部分的厚度可足以將中子降低到100至1000eV的能量(例如，從200–600eV)。為實(shí)現(xiàn)這樣的目標(biāo)，減速劑和目標(biāo)物的特性的選擇可以改善蛻變裝置的效率和/或產(chǎn)率。該裝置的另一個(gè)實(shí)施例示于圖4A和4B。圖4A是該裝置400的俯視圖，圖4B是該裝置40的側(cè)視圖。在該實(shí)施例中，該裝置400是大致呈球形并具有介于約0.75至約2米的直徑。中子發(fā)生器110可以位于由所述區(qū)域410包圍的中心區(qū)域。所述區(qū)域410可包括目標(biāo)物(例如，粉末狀的鉬或鉬的氧化物)和中子減速劑的混合物430。在一些實(shí)施例中，目標(biāo)物和中子減速劑可以是相同的，如二氧化鉬作為目標(biāo)物(例如Mo-98)和中子減速。所述區(qū)域410可以是封裝在含金屬的材料415中的，包括但不限于鋁、鋼、鈹或任意其他材料，該材料可以托住在其中待蛻變的元素材料。該區(qū)域的數(shù)量范圍可以從2到很多，如6、8、10、20、50或更大。通過中子發(fā)生器產(chǎn)生的中子傳播到二氧化鉬并被被減速。沒有額外的中子倍增材料或減速劑材料被用在圖4A和圖4B所示的實(shí)施例中；然而，這樣的倍增器或減速劑材料可在其他實(shí)現(xiàn)中使用。如圖4B所示，該裝置400具有連接到每個(gè)區(qū)域410頂部的歧管140。該歧管為每一區(qū)域410提供洗提液，以提取所需的元素。洗提液可通過入口150進(jìn)入裝置400，并且可以通過裝置400向下流動(dòng)到提取器180。作為非限制性實(shí)例，如果待轉(zhuǎn)化的元素是鉬-98，所產(chǎn)生的元素是鉬-99。在約66小時(shí)后，有一半的鉬-99的衰變?yōu)轱?99。如果洗提溶液是鹽水溶液，所述鹽水溶液與锝反應(yīng)形成高锝酸鈉，然后可將其從裝置中洗提(如從裝置的底部，如圖4B)。洗提液可以通過出口170離開裝置400。在一些實(shí)施例中，洗提液可以包括所需的一個(gè)或多個(gè)元素。一定量的洗提溶液可被用于有效地從該裝置中除去高锝酸鈉。為增加在該溶液中高锝酸鈉的濃度，可將過濾器160，如一個(gè)滲濾過濾器設(shè)置在裝置400的提取器180中。一旦裝置被充分洗提，過濾器160可以被回洗以除去高锝酸鈉，并產(chǎn)生更加濃縮的溶液。在溶液中濃縮該高锝酸鈉的另外的方法包括真空和熱蒸發(fā)。在一些實(shí)施例中，可以組合使用濃縮高锝酸鈉的多種方法。由鉬-98吸收的中子可以用于生產(chǎn)所需的鉬-99。由氧(或其他元素)和鉬的其它同位素吸收的中子不產(chǎn)生Mo-99，并且可以構(gòu)成一個(gè)損耗系數(shù)，其可以降低鉬-99生產(chǎn)的總效率。然而，沒有綁定于特定的理論，由于在氧-16中的中子的吸收截面是相比鉬-98中的中子吸收截面較低的，相比鉬-98，氧吸收中子的一小部分。如上所討論的，可以使用鋁作為殼體或在公開的裝置中劃分區(qū)域或管子。用于劃分區(qū)域或管的殼體或含金屬的材料可以以類似的方式吸收中子至中子減速劑和目標(biāo)物，殼體或含金屬材料可具有相對低的中子吸收截面。作為一個(gè)例子，對于鋁-27(Al-27)，在1MeV向下到幾百電子伏的范圍內(nèi)的俘獲截面是在1×10-3靶的范圍，這遠(yuǎn)低于鉬-98的截面。因此，鋁27可以用來作為殼體或含金屬的材料用于劃分區(qū)域或管子。在該裝置的一個(gè)中子損失機(jī)制可以是通過鉬的同位素而不是通過氧化鉬-98的中子吸收。元素的同位素吸收中子的速率正比于元素的同位素百分比組成乘以中子吸收橫截面，它是能量的函數(shù)的。鉬同位素百分比和兩個(gè)選定的中子吸收截面的實(shí)例的表格示于表1中。第一列顯示了鉬同位素。第二列和第三列列出了每個(gè)同位素在10keV和1keV的情況下，以靶為單位的近似中子吸收截面的。第四列列出了天然存在的鉬的每個(gè)同位素近似的同位素百分比。第五列是中子的每個(gè)在所選能級的元素的加權(quán)的分?jǐn)?shù)吸收。第六列是每個(gè)同位素的中子百分比吸收。從表1可以看出，在本實(shí)例中，鉬-98同位素，其可以是所需的待蛻變元素，吸收由鉬吸收的總中子的約27.7％。因此，由鉬吸收的中子的約72.3％是由不同于所需同位素的同位素吸收的。這種損失機(jī)制可以通過增加中子發(fā)生器的輸出來彌補(bǔ)這一損失，并產(chǎn)生所需量的蛻變元素(例如鉬-99)。表1鉬中子同位素吸收百分比本發(fā)明已經(jīng)描述了用于產(chǎn)生蛻變元素的設(shè)備的多種配置，如圖1至4B中的例子所示。該裝置的外部形狀可以是球形、圓柱形、立方體或任何其它可能的形狀。中子發(fā)生器可以使用氘-氘、氘-氚、氘-硼或其他可能的核反應(yīng)產(chǎn)生中子。這些反應(yīng)的每個(gè)可產(chǎn)生不同能量的中子。中子發(fā)生器可以具有中子倍增器，其至少是部分地圍繞所述中子發(fā)生器，具有足夠的厚度以利用通過裂變或(n，2n)反應(yīng)的高能量中子倍增。另外，該裝置可以包含附加的減速劑的材料如碳、鉛、水、重水、鈹、聚乙烯或其它減速劑的材料。所有這些不同的中子能量輸出和減速劑/倍增器材料可影響待蛻變元素中中子被吸收的速率，并且可以影響由待蛻變元素在距離中子發(fā)生器特定距離處的被吸收中子的總量。蒙特卡洛輻射轉(zhuǎn)移計(jì)算機(jī)代碼MCNPX(可從洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗(yàn)室，洛斯阿拉莫斯，新墨西哥州獲得)用于將來自不同中子發(fā)生器的，并通過不同減速器進(jìn)入待蛻變元素的中子轉(zhuǎn)移進(jìn)行建模。表2中示出了來自利用氘-氘核反應(yīng)的中子發(fā)生器的中子轉(zhuǎn)移的實(shí)例，其產(chǎn)生大約2.45MeV的中子，進(jìn)入二氧化鉬，其中鉬-98是待蛻變的元素。用于該特定示例的中子數(shù)為1×108。蛻變裝置的幾何結(jié)構(gòu)在圖4A和4B示出。中子發(fā)生器腔的半徑為15厘米，該裝置的二氧化鉬部分的外半徑為56厘米。沒有額外的減速劑材料或中子倍增材料用于本實(shí)施例。表2.通過二氧化鉬的中子轉(zhuǎn)移表2的第一列是中子能量箱。第二列列出了中子在鉬氧化鈦的外半徑上的特定能量箱中的分?jǐn)?shù)。在外側(cè)半徑處未吸收的，未減速的分?jǐn)?shù)大約是2.5375×10-5。第三列列了中子在一個(gè)特定的能量箱中的概率的統(tǒng)計(jì)方差。通過實(shí)例結(jié)構(gòu)，MCNPX代碼計(jì)算出約91％的離開中子發(fā)生器的2.45MeV的中子會(huì)被鉬吸收。該裝置的鋁制結(jié)構(gòu)和氧吸收中子的數(shù)量微不足道。在這個(gè)實(shí)例中，由鉬-98吸收的中子數(shù)是中子發(fā)生器總輸出的91％的中的27.7％。因此，在該說明性示例中，由發(fā)生器產(chǎn)生的總的中子的約25％是由鉬-98吸收的。在該裝置的一些實(shí)施例中，逸出二氧化鉬的外半徑的中子可以通過某個(gè)中子吸收材料(例如，屏蔽)厚度而被吸收，所述材料是如硼、硼酸化聚乙烯、鎘、鋰或其他中子吸收材料厚度等。蛻變元素方法的實(shí)例一些公開的實(shí)施例涉及蛻變元素的方法。圖5是蛻變元素方法的一個(gè)實(shí)例的流程圖。在一些實(shí)施方案中，方法500可包括產(chǎn)生中子輸出510，使用中子減速劑降低中子輸出的平均能量，以產(chǎn)生減速的中子輸出530，使用目標(biāo)物從減速的中子輸出中吸收中子，以產(chǎn)生一蛻變元素540，以及提取所需的元素560。在一些實(shí)施例中，該方法還包括將中子輸出520中的中子倍增。操作520可是可選的。在一些變體中，該方法可包括操作550，自發(fā)衰減蛻變元素，以產(chǎn)生所需的元素；操作550是可選的。在一些實(shí)施例中，所公開的方法可以由本文所描述的裝置執(zhí)行。在一些實(shí)施例中，操作510，產(chǎn)生中子輸出，可包括如在公開的裝置中所描述的操作中子發(fā)生器。中子發(fā)生器可被操作，以產(chǎn)生高能量中子。在一些實(shí)施例中，中子發(fā)生器可以操作一段時(shí)間，以允許待生產(chǎn)的所需元素的所需量。在一些實(shí)施例中，中子發(fā)生器可產(chǎn)生轟擊中子倍增器的中子，從而增加了中子的總數(shù)量。例如，中子可轟擊包圍中子減速器的貧鈾(作為中子倍增器)的晶核，產(chǎn)生更多的中子。不束縛于特定的理論，通過中子發(fā)生器產(chǎn)生的高能量中子，其通過中子裂變或通過(n，2n)或(n，3n)反應(yīng)未能產(chǎn)生額外中子，其可以通過貧鈾中的彈性散射在經(jīng)過中子減速器之前減速。通過中子發(fā)生器產(chǎn)生的中子可通過技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)中的任何方法來產(chǎn)生。例如，所述中子可通過在約50千伏至約250千伏內(nèi)的高電壓加速，輕元素的離子，諸如氘，行成元素或同位素的原子核例如氘、氚或硼-10。氘-氚反應(yīng)產(chǎn)生具有大約14MeV能量的高能中子。這些中子具有足夠的能量以裂變貧鈾-238，從而對每個(gè)入射中子產(chǎn)生若干更多中子。氘-氚反應(yīng)截面比其它橫截面更高，因此對于給定的輸入到加速器的能量產(chǎn)生更多的中子。利用氘-氚反應(yīng)的另一優(yōu)點(diǎn)是在這些14MeV的中子撞擊鈾-238核時(shí)，生產(chǎn)額外裂變中子。通過高反應(yīng)截面和裂變中子產(chǎn)量，放射性氚和重金屬鈾會(huì)在這樣的裝置中被采用，這可能會(huì)導(dǎo)致環(huán)境問題。為了避免(或減少)在該設(shè)備和方法中(例如，以提供一個(gè)“綠色”環(huán)保的設(shè)備和方法)使用氚和鈾，可利用其它反應(yīng)，如氘-氘反應(yīng)產(chǎn)生大約2.45MeV的中子，和氘-硼10反應(yīng)產(chǎn)生具有大約2MeV和8MeV之間的能量的中子。在一些實(shí)施例中，操作530，使用減速劑減少了中子輸出的平均能量，以產(chǎn)生減速的中子輸出，該操作可采用如所公開的裝置中所描述中子減速器。減速的中子輸出的能量范圍可以從低于所述中子輸出的原始能量到小于約100eV。所述減速中子輸出可以包括這樣的中子，其可從中子倍增器或中子減速劑出發(fā)，到達(dá)含有目標(biāo)物的裝置的體積中，而且其還含有能夠?qū)⒅凶虞敵鰷p速或輔助提取所需元件的額外減速劑材料。在一些實(shí)施例中，目標(biāo)操作540，使用目標(biāo)物從減速的中子輸出中吸收中子，以產(chǎn)生蛻變元素，其可以是目標(biāo)物的核，其從減速的中子輸出中吸收中子。在一些實(shí)施例中，一旦形成元素的所需量，可從裝置中提取所需的元素。在一些實(shí)施方案中，所需的元素是通過使用如在公開的裝置中描述的提取器被提取的。在一些實(shí)施例中，操作560中，提取所需元素，可包括通過目標(biāo)物洗提溶液以提取所需的元素。通過目標(biāo)物洗提溶液以提取所需的元素可包括輔助提取的材料，如氧化鋁。洗提溶液可保留所需元素并可離開設(shè)備。洗提液可以隨后被引導(dǎo)到過濾器、真空蒸鍍裝置、層析、沉淀裝置等。圖7是锝-99m和Mo-99活動(dòng)的一個(gè)實(shí)例的曲線圖(單位為毫居里，1居里(次)＝3.7×1010貝(每秒衰變))它是不同的锝發(fā)生器的時(shí)間函數(shù)。表示為“洗提發(fā)生器”的實(shí)線描述了锝-99m的一個(gè)實(shí)例，作為時(shí)間的函數(shù)。該锝發(fā)生器每24小時(shí)洗提一次?？偦钚噪S著時(shí)間降低是由于鉬-99的衰變(示為直線，在“洗提發(fā)生器”線上面標(biāo)有Mo-99)通過比較，本文中公開的所述設(shè)備和方法可在一個(gè)基本恒定的水平產(chǎn)生Tc-99m的活性，如虛線所示。在本實(shí)例中，活性可以是大致恒定的，因?yàn)橹凶影l(fā)生器可產(chǎn)生額外的Mo-99，其速率與Mo-99衰變速率大致相同。本文中所描述的裝置和方法的各種實(shí)施例可被用于，在24小時(shí)周期內(nèi)生產(chǎn)約1到約10居里范圍的同位素材料，在24小時(shí)周期內(nèi)，生產(chǎn)約5到7居里范圍內(nèi)的同位素材料。圖8是Mo-99(單位：居里)的實(shí)例的曲線圖，作為中子發(fā)生器的輸出的函數(shù)，中子發(fā)生器可以在10％到20％的效率的不同的實(shí)現(xiàn)中生產(chǎn)。用于醫(yī)學(xué)成像藥劑的目標(biāo)物范圍的實(shí)例示出在曲線圖上。在該說明性的、非限制性的實(shí)例中，如果效率為20％，在每秒8000至約10000億的范圍內(nèi)的中子輸出可在Mo-99中提供足夠的活性以提供醫(yī)學(xué)成像藥劑。如果效率是約10％，可能需要來自中子發(fā)生器的更大中子輸出以提供藥劑(例如，從每秒大約9000到11000億中子輸出)。附加實(shí)施例本文中一些實(shí)施例涉及用于從鉬-98產(chǎn)生锝-99m的設(shè)備。在這樣的實(shí)施例中，設(shè)備可包括中子發(fā)生器，其被配置用于發(fā)射具有中子輸出的中子，中子減速器，其具有D1的直徑并且配置為減小中子輸出的能量以產(chǎn)生減速的中子輸出，一個(gè)或多個(gè)部分，其具有直徑D2并包括含锝的材料，其被配置用于在暴露于減速的中子輸出時(shí)吸收中子，通過含锝的材料吸收中子從鉬-98產(chǎn)生锝-99，以及提取器，其被配置用于從一個(gè)或多個(gè)所述部分提取锝-99m。在一些實(shí)施例中，中子輸出可包括在約1×1010至約1×1015個(gè)中子每秒的速率下產(chǎn)生的中子。在一些變體中，中子輸出的平均能量可在約2.4MeV至約14MeV的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，中子減速劑可基本包圍中子發(fā)生器。但在一些其他實(shí)施例中，中子減速劑可以是鉛、鉍、鎢、釷、鈾、貧化鈾、水、重水、鈹、碳、聚乙烯或它們的組合。在一些實(shí)施例中，直徑D1可這樣選擇，使得減速的中子輸出的能量在約1keV至約100keV的范圍內(nèi)。但在其他實(shí)施例中，含鉬的材料可以是鉬氧化物或鉬粉末。在一些變體中，直徑D2可這樣選擇，使得減速的中子輸出的能量在約100eV至約1000eV的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，提取器可以是色譜系統(tǒng)、真空過濾系統(tǒng)、離心系統(tǒng)、真空蒸發(fā)系統(tǒng)、重力過濾系統(tǒng)或他們的組合。在一些變體中，設(shè)備還可包括洗提溶液，其被配置為通過至少一個(gè)或多個(gè)部分中的一些以被洗提，其中所述洗提溶液包括水或鹽水。本文中公開的一些實(shí)施例涉及用于蛻變元素的設(shè)備。該設(shè)備，在這樣的實(shí)施例中可包括中子發(fā)射器，其被配置用于使用中子輸出發(fā)射中子，中子減速器，其被配置用于降低中子輸出的平均能量以產(chǎn)生減速的中子輸出，目標(biāo)物，其被配置用于在暴露于減速的中子輸出時(shí)吸收中子，通過目標(biāo)物吸收中子產(chǎn)生蛻變的元素，以及提取器，其配配置用于提取所需元素。在一些實(shí)施例中，所述中子發(fā)射器可包括中子發(fā)生器。在一些實(shí)施例中，中子輸出可包括在約1×1010至約1×1015個(gè)中子每秒的速率下產(chǎn)生的中子。在其他實(shí)施例中，中子輸出的平均能量可為約2.4MeV至約14MeV。中子減速劑可包括鉛、鉍、鎢、釷、鈾、貧化鈾、水、重水、鈹、碳、聚乙烯或它們的組合。在一些實(shí)施例中，中子減速劑的厚度可足夠厚以將中子輸出的能量降低到一個(gè)能量水平，在該能量水平目標(biāo)物的中子捕獲橫截面在第一閾值之上。所述目標(biāo)物可包括選自鈣、碳、鉻、鈷、鉺、氟、鎵、氚、銦、碘、鐵、氪、鉬、氮、氧、磷、銣、釤、硒、鈉、鍶、锝、鉈、氙或釔中的至少一個(gè)。在一些實(shí)施例中個(gè)，目標(biāo)物的厚度可以是足夠厚以將減速中子輸出的能量降低到一個(gè)能量水平，在該能量水平目標(biāo)物的中子捕獲橫截面在第而閾值至之上，第二閾值在第一閾值之上，第二閾值優(yōu)選臨近目標(biāo)物中子捕獲橫截面的峰值。該設(shè)備可包括提取器。在這樣的實(shí)施例中，提取器可包括色譜系統(tǒng)、真空過濾系統(tǒng)、離心機(jī)系統(tǒng)、真空蒸發(fā)系統(tǒng)、重力過濾系統(tǒng)或它們的組合。在一些實(shí)施例中，蛻變的元素可自發(fā)衰減以產(chǎn)生所需元素。目標(biāo)物可包括鉬-98，該蛻變元素可以包括鉬-99，并且在一些實(shí)施例中，所需元素可包括锝-99m。本文中公開的方法涉及蛻變元素的方法。在一些實(shí)施例中，該方法可包括產(chǎn)生中子輸出，使用中子減速劑降低中子輸出的平均能量以產(chǎn)生減速的中子輸出，使用目標(biāo)物從減速的中子輸出中吸收中子以產(chǎn)生蛻變的元素，以及提取所需元素。在一些實(shí)施例中，該方法還可包括在中子輸出中倍增中子。但在其他實(shí)施例中，該方法還可包括自發(fā)衰減蛻變元素以產(chǎn)生所需元素。在一些實(shí)施例中，中子減速劑的厚度可足夠厚以將中子輸出的能量降低到一個(gè)能量水平，在該能量水平，目標(biāo)物的中子捕獲截面在第一閾值之上。在一些實(shí)施例中，目標(biāo)物的厚度可以足夠厚以將減速的中子輸出的能量降至一個(gè)能量水平，在該能量水平，目標(biāo)物的中子捕獲截面在第二閾值之上，第二閾值高于第一閾值，第二閾值優(yōu)臨近目標(biāo)物捕獲截面的峰值。結(jié)論盡管描述了本文中的關(guān)于生產(chǎn)Mo-99以生產(chǎn)Tc-99m的特定實(shí)例，但本文中所述設(shè)備和方法也可用于實(shí)現(xiàn)其他元素或同位素的中子蛻變。例如，該設(shè)備和方法可被用于蛻變元素或同位素，包括鈣、碳、鉻、鈷、鉺、氟、鎵、氚、銦、碘、鐵、氪、鉬、氮、氧、磷、銣、釤、硒、鈉、鍶、锝、鉈、氙、釔或能夠通過中子蛻變而產(chǎn)生元素或同位素的任何其他元素。各種數(shù)值示例，表格，圖形，和數(shù)據(jù)被本文中呈現(xiàn)。這些數(shù)值示例，表格，圖形，和數(shù)據(jù)是為了說明某些實(shí)施例，而不是意在限制本文中公開的裝置和方法的范圍。上述各種特征、設(shè)備和方法可以彼此獨(dú)立使用，或可以不同方式結(jié)合使用。所有可能的組合和子組合都旨在落入本公開內(nèi)容的范圍之內(nèi)。另外，特定方法和過程框圖在一些實(shí)施中可能被忽略。本文中描述的方法和過程也并不受限于任何特定的次序或順序，并且與其相關(guān)的模塊或操作都可以其它恰當(dāng)?shù)男蛄谢蝽樞驁?zhí)行。例如，所描述的模塊或操作可以以不同于具體公開的順序執(zhí)行，或多個(gè)模塊或操作可合并成單獨(dú)的模塊或操作。實(shí)例模塊或操作可串聯(lián)、并聯(lián)或以其他方式執(zhí)行。與公開的實(shí)施例相比，模塊或操作可被添加、移除、或重組。本文中所描述的實(shí)例系統(tǒng)和組件可被配置成與本文所述不同。例如，與公開的實(shí)施例相比，元件可以被添加、移除、或重組。本文中使用的條件性語言，如，“能夠”，“可以”，“可能”，“例如”和類似用語，除非特別指出，否則上下文中應(yīng)被理解為，一般旨在傳達(dá)某些實(shí)施例中包括，而其他實(shí)施例中不包括，特定特征、元素和/或步驟。因此這樣的條件性語言通常不旨在暗示特征、元件和/或步驟以任何方式被需要用于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，或一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例必須包括邏輯關(guān)系，在無論有無作者暗示或提醒的情況下，用于確定這些特征、元素和/或步驟是否被包括在或被在任意具體的實(shí)施例中執(zhí)行。術(shù)語“包括”，“包含”，“具有”和類似用于是同義的，并且以開放方式被包含地使用，并不排除額外的元素、特征、行為、操作等。另外，術(shù)語“或”以其包含的含義被使用(且不是以其排他的形式被使用)，使得在使用時(shí)，例如，在連接元素列表時(shí)，術(shù)語“或”表示列表中的一個(gè)、幾個(gè)、或所有元素。連接性用語，例如短語“X、Y和Z中的至少一個(gè)”，除非特別指出，否則在本文中的使用應(yīng)被理解為，通常用于表達(dá)物體、術(shù)語等可以是X，Y或Z。因而，這樣的連接性用語通常并不意在暗示特定實(shí)施例要求至少X中的一個(gè)，至少Y中的一個(gè)，和至少Z中的一個(gè)的每個(gè)都存在。盡管描述了特定實(shí)施例，這些實(shí)施例只以示例的方式存在，并且不旨在限定本發(fā)明的范圍。因而，前述描述沒有任何內(nèi)容旨在暗示任意具體特征、特性、步驟、模塊、或框圖是必須的或不可缺少的。的確，本文中描述的創(chuàng)新性方法和系統(tǒng)可以各種形式體現(xiàn)；另外，在不偏離本發(fā)明主旨的情況下，允許本文所描述的方法和系統(tǒng)的各種省略、替換和改變。權(quán)利要求書和其等同部分旨在包括這些形式或修改，使得其落入本發(fā)明的范圍和主旨內(nèi)。