專利名稱：用于晶體生長的熱屏蔽內(nèi)層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及晶體生長爐，特別涉及一種用于晶體生長的熱屏蔽內(nèi)層。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的用于晶體生長的熱屏蔽內(nèi)層由圖1所示的組件砌成，這樣形成的熱屏蔽內(nèi)層組件之間縫隙直通，從而造成熱損失大，溫場不穩(wěn)定，而影響產(chǎn)品質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的就在于提供一種用于晶體生長的熱屏蔽內(nèi)層，該用于晶體生長的熱屏蔽內(nèi)層無縫隙，熱損失小，溫場穩(wěn)定。
本實用新型的技術(shù)方案是:一種用于晶體生長的熱屏蔽內(nèi)層，所述熱屏蔽內(nèi)層由一組組件疊砌而成，所述組件包括圓弧形基體，該圓弧形基體兩側(cè)分別帶有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方為第一空體，所述第二凸起后方為第二空體；所述第一凸起與相鄰組件第二空體相吻合，所述第二凸起與相鄰組件第一空體相吻合。作為優(yōu)選，所述組件材料為氧化鋯。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果在于:采用本實用新型保護的熱屏蔽內(nèi)層，由于第一凸起與相鄰組件第二空體相吻合，第二凸起與相鄰組件第一空體相吻合，因此熱屏蔽內(nèi)層無縫隙，熱損失小，溫場穩(wěn)定。而氧化鋯用于熱屏蔽內(nèi)層具有很好的熱屏蔽效果O

圖1為本實用新型的背景技術(shù)示意圖；圖2為本實用新型的組件I結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明。如圖3所示的用于晶體生長的熱屏蔽內(nèi)層，該熱屏蔽內(nèi)層由一組組件I疊砌而成。如圖2所示，組件I包括圓弧形基體2，該圓弧形基體2兩側(cè)分別帶有第一凸起3和第二凸起5，第一凸起3前方為第一空體4，第二凸起5后方為第二空體6。組件I第一凸起3與相鄰組件I第二空體6相吻合，第二凸起5與相鄰組件I第一空體4相吻合。疊砌時，將組件I第一凸起3嵌入相鄰組件I第二空體6，第二凸起5嵌入相鄰組件I第一空體4。疊砌成的熱屏蔽內(nèi)層組件I之間無縫隙，熱損失小，溫場穩(wěn)定。組件I材料采用氧化鋯。氧化鋯具有熔點高、硬度大。氧化鋯熱導(dǎo)率低(ΙΟΟΟ ，
2.091/(111*1())，線膨脹系數(shù)大(25 15001: 9.4X 10_6/°C )，高溫結(jié)構(gòu)強度高，在氧化氣氛中使用穩(wěn)定性好，用于熱屏蔽內(nèi)層具有很好的熱屏蔽效果。上述實施方式僅作為本實用新型的說明而非限制，本實用新型保護范圍還應(yīng)包括那些對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說顯而易見的轉(zhuǎn)換、轉(zhuǎn)化、變化或替代，以及在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 所具備的知識范圍內(nèi)，還可以在不脫離本本實用新型宗旨的前提下作出各種變化。
權(quán)利要求1.一種用于晶體生長的熱屏蔽內(nèi)層，其特征在于:所述熱屏蔽內(nèi)層由一組組件疊砌而成，所述組件包括圓弧形基體，該圓弧形基體兩側(cè)分別帶有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方為第一空體，所述第二凸起后方為第二空體；所述第一凸起與相鄰組件第二空體相吻合，所述第二凸起與相鄰組件第一空體相吻合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體生長的熱屏蔽內(nèi)層，其特征在于:所述組件材料為氧化鋯 。
專利摘要本實用新型公開了一種用于晶體生長的熱屏蔽內(nèi)層，涉及晶體生長爐，所述熱屏蔽內(nèi)層由一組組件疊砌而成，所述組件包括圓弧形基體，該圓弧形基體兩側(cè)分別帶有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方為第一空體，所述第二凸起后方為第二空體；所述第一凸起與相鄰組件第二空體相吻合，所述第二凸起與相鄰組件第一空體相吻合。與現(xiàn)有的相比，本實用新型保護的用于晶體生長的熱屏蔽內(nèi)層無縫隙，熱損失小，溫場穩(wěn)定。
文檔編號C30B35/00GK203096237SQ201320005720
公開日2013年7月31日 申請日期2013年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月7日
發(fā)明者謝華祥 申請人:成都市倍通高溫材料有限公司