電感耦合等離子體處理裝置及其控制方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及的電感耦合等離子體處理裝置，具備：腔室；源線圈，設(shè)在所述腔室的上部的電介質(zhì)窗外側(cè)；可變電容器控制裝置，其包括與所述源線圈連接而用于控制阻抗的可變電容器、使所述可變電容器自動旋轉(zhuǎn)的電機以及用于檢測所述電機的旋轉(zhuǎn)的外部編碼器；控制部，通過比較從所述外部編碼器輸出的外部編碼器輸出值與輸入至所述電機的電機動作輸入值，來判斷所述可變電容器的動作異常。本發(fā)明涉及的電感耦合等離子體處理裝置及其控制方法，通過電機精密地控制連接于各源線圈且用于調(diào)節(jié)阻抗的可變電容器的動作，以能夠?qū)Χ鄠€源線圈有效地進行阻抗控制，而且能夠?qū)Χ鄠€可變電容器精密地進行自動控制。
【專利說明】電感耦合等離子體處理裝置及其控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電感耦合等離子體處理裝置及其控制方法，更具體地說，能夠自動進行阻抗控制的電感耦合等離子體處理裝置及其控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電感耦合等離子體處理裝置是在半導(dǎo)體和顯示器制造工藝中用于進行蝕刻工藝或沉積工藝的裝置。用于進行蝕刻工藝的電感耦合等離子體處理裝置，與反應(yīng)性離子蝕刻裝置或電容耦合等離子體蝕刻裝置相比，其蝕刻效果非常好。
[0003]但是，電感耦合等離子體處理裝置難以對大面積基板進行蝕刻。通常，天線設(shè)在電感耦合等離子體處理裝置的真空腔室上部。為了能夠有效地對大面積基板進行蝕刻，天線的配置和阻抗的控制是非常重要的技術(shù)要素。
[0004]此外，無論多么有效地配置天線，由于復(fù)雜而長度較長的天線結(jié)構(gòu)，不能有效地進行阻抗控制。進一步，為了對大面積基板進行蝕刻，需要按區(qū)域分別設(shè)置天線。
[0005]此外，為了處理更大面積的基板，需要將這些螺旋天線配置在多個彼此不同區(qū)域而使用，但是這種天線的結(jié)構(gòu)和用于處理大面積基板的阻抗控制上，存在更大的困難。
[0006]在先技術(shù)文獻
[0007]專利文獻
[0008]韓國公開特許號:第10-2010-0053253號，“電感耦合等離子體天線”。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的在于，提供一種通過電機使可變電容器動作從而能夠同時精確地控制多個可變電容器的電感耦合等離子體處理裝置。
[0010]本發(fā)明的電感耦合等離子體處理裝置，其具備:腔室；源線圈，設(shè)在所述腔室上部的電介質(zhì)窗外側(cè)；可變電容器控制裝置，其包括:與所述源線圈連接而用于控制阻抗的可變電容器、使所述可變電容器自動旋轉(zhuǎn)的電機以及用于檢測所述電機的旋轉(zhuǎn)的外部編碼器；控制部，通過比較從所述外部編碼器輸出的外部編碼器輸出值與輸入至所述電機的電機動作輸入值，來判斷所述可變電容器的動作異常。
[0011]在所述控制部存儲有所述可變電容器的動作基準(zhǔn)值，當(dāng)所述控制部檢測到所述可變電容器發(fā)生動作異常時，驅(qū)動所述電機將所述可變電容器設(shè)定為所述動作基準(zhǔn)值。所述動作異常可以是所述電機的失步。
[0012]在所述電介質(zhì)窗的上側(cè)具有多個區(qū)域，在所述多個區(qū)域可以分別設(shè)有所述源線圈。
[0013]所述源線圈可以具有多個，在所述多個源線圈上分別具有所述可變電容器控制裝置，并且具有用于控制所述可變電容器控制裝置的從控制器，所述從控制器通過網(wǎng)絡(luò)與主計算機連接。
[0014]所述主計算機上連接有輸入輸出部，在所述輸入輸出部上可以顯示輸入所述可變電容器的動作設(shè)定值的設(shè)定值輸入部、輸入所述動作基準(zhǔn)值的動作基準(zhǔn)值輸入部、所述動作設(shè)定值、所述動作基準(zhǔn)值、所述電機動作輸入值和所述外部編碼器輸出值。
[0015]在所述可變電容器控制裝置上設(shè)有用于檢測所述可變電容器的電容量的電容量檢測傳感器，所述輸出部可以顯示由所述電容量檢測傳感器檢測到的所述可變電容器的電容量。所述動作基準(zhǔn)值可以是所述可變電容器的最小電容量。
[0016]本發(fā)明涉及的電感耦合等離子體處理裝置的控制方法，該電感耦合等離子體處理裝置具備:源線圈，設(shè)在所述腔室上部的電介質(zhì)窗外側(cè)；可變電容器控制裝置，其包括:與所述源線圈連接而用于控制阻抗的可變電容器、使所述可變電容器自動旋轉(zhuǎn)的電機以及用于檢測所述電機的旋轉(zhuǎn)的外部編碼器；控制部，用于控制所述可變電容器控制裝置的動作，所述方法通過比較從所述外部編碼器輸出的外部編碼器輸出值與向所述電機輸入的電機動作輸入值，來判斷所述可變電容器的動作異常。所述動作異?？梢允撬鲭姍C的失步。
[0017]當(dāng)所述控制部檢測到發(fā)生動作異常時，可以驅(qū)動所述電機以將所述可變電容器設(shè)定成所述動作基準(zhǔn)值。
[0018]所述動作基準(zhǔn)值可以是所述可變電容器的最小電容量。
[0019]在所述電介質(zhì)窗的上側(cè)具有多個區(qū)域，在所述多個區(qū)域可以分別設(shè)有所述源線圈，所述可變電容器控制裝置分別設(shè)在所述源線圈上，以對各源線圈進行阻抗控制。
[0020]具有能夠同時控制多個所述可變電容器控制裝置的從控制器，所述從控制器通過網(wǎng)絡(luò)與主計算機連接，并將從所述可變電容器控制裝置傳送的數(shù)據(jù)傳送給所述主計算機，而所述主計算機可以向所述從控制器傳送用于同時控制多個可變電容器控制裝置的信號。
[0021]與所述主計算機連接的多個所述從控制器可以通過網(wǎng)絡(luò)連接。
[0022]本發(fā)明涉及的電感耦合等離子體處理裝置及其控制方法，通過電機精密地控制連接于各源線圈用于調(diào)節(jié)阻抗的可變電容器的動作，以便對多個源線圈有效地進行阻抗控制，而且能夠?qū)Χ鄠€可變電容器進行精密的自動控制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是示出本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的圖。
[0024]圖2是示出本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的源線圈結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0025]圖3是示出設(shè)置在本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的一個區(qū)域的可變電容器控制裝置的狀態(tài)圖。
[0026]圖4是示出本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的可變電容器控制裝置的圖。
[0027]圖5是示出用于控制本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的可變電容器的網(wǎng)絡(luò)配置的圖。
[0028]圖6是示出控制本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的方法的流程圖。
[0029]附圖標(biāo)記:
[0030]20:源線圈
[0031]100:可變電容器控制裝置[0032]110:電機
[0033]120:外部編碼器
[0034]140:可變電容器
【具體實施方式】
[0035]下面，參照【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明涉及的電感耦合等離子體處理裝置的實施例。但是，本發(fā)明并不限定于下面公開的實施例，可以以各種形式實現(xiàn)，下面說明的實施例僅用于充分公開本發(fā)明，以便本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分了解發(fā)明的保護范圍。
[0036]圖1是示出本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的圖。如圖1所示，本發(fā)明涉及的電感耦合等離子體處理裝置具備腔室10，該腔室10具備閘門14，并形成有使工藝空間內(nèi)部被抽成真空所需的排氣孔11。在腔室10內(nèi)部具有用于放置基板(晶片或不同尺寸的透明基板)的工作臺12。在工作臺12的上部設(shè)置有用于卡緊基板的靜電卡盤13。
[0037]在腔室10的上部設(shè)有電介質(zhì)窗15。在電介質(zhì)窗15的上部設(shè)有作為RF天線的源線圈20。源線圈20設(shè)在被劃分成獨立空間的源線圈設(shè)置部16。而且，在源線圈設(shè)置部16的上部具有電氣組件部17，在該電氣組件部17設(shè)有如RF電源等的電控制裝置。
[0038]圖2是示出本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的源線圈結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0039]如圖2所示，本發(fā)明涉及的電感耦合等離子體處理裝置的源線圈設(shè)置部16形成分別設(shè)有源線圈20的九個分割區(qū)域Al?A9。其中，位于角落部分的四個區(qū)域Al?A4中的源線圈20與第一高頻電源30連接。此外，位于其余五個區(qū)域A5?A9的源線圈20與第二高頻電源31連接。第一高頻電源30和第二高頻電源31分別發(fā)出13.56MHz高頻。
[0040]而且，設(shè)在各區(qū)域Al?A9的源線圈20分支成四個、即第一至第四的四個源線圈21、22、23、24并向同一方向卷繞。此外，在各源線圈21、22、23、24的端部設(shè)有可變電容器控制裝置100。
[0041]圖3是示出設(shè)置在本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的一個區(qū)域的可變電容器控制裝置的狀態(tài)圖。
[0042]如圖3所示，可變電容器控制裝置100設(shè)置在在各區(qū)域設(shè)置的源線圈21、22、23、24的末端?？勺冸娙萜骺刂蒲b置100還可以設(shè)置在源線圈21、22、23、24的中間部分。此外，該可變電容器控制裝置100固定安裝在用于劃分各區(qū)域Al?A9的隔壁16a上。
[0043]圖4是示出本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的可變電容器控制裝置的圖。
[0044]如圖4所示，可變電容器控制裝置100包括:電機110 ;外部編碼器120，設(shè)置在自電機110延伸的旋轉(zhuǎn)軸上；絕緣法蘭130，經(jīng)過外部編碼器120并延伸；可變電容器(VVC、Vacuum Variable Capacitor) 140,自絕緣法蘭130延伸，且驅(qū)動軸與絕緣法蘭130連接；冷卻部150，設(shè)在可變電容器140的端部。
[0045]電機110采用步進電機110。外部編碼器120包括:圓形盤121，設(shè)有沿圓周以每隔7.2度形成的共計50個檢測孔121a ;檢測傳感器122，在圓形盤121的外周上部和下部分別設(shè)有發(fā)光部和受光部，以便能夠檢測該圓形盤121的檢測孔121a。而且，在可變電容器140上同時具有Z-掃描傳感器(未圖不)。[0046]如上所述構(gòu)成的可變電容器控制裝置100，如圖3所示地分別設(shè)置在位于一個區(qū)域的各源線圈21、22、23、24上。因此，為了大面積的基板處理而配置天線時，可以使用數(shù)十個可變電容器控制裝置100。在本發(fā)明的實施例中使用共計36個可變電容器控制裝置100。
[0047]所有可變電容器控制裝置100為了控制阻抗而動作，以便個別地控制可變電容器140以保持均勻的等離子體。為此，各可變電容器140需要個別控制，而且被控制成彼此間的關(guān)聯(lián)動作有效協(xié)調(diào)，要由用戶一一手動調(diào)節(jié)這些可變電容器140來調(diào)節(jié)阻抗，效率非常低。
[0048]因此，在本發(fā)明中，在電感耦合等離子體處理裝置內(nèi)通過網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建控制可變電容器的設(shè)備網(wǎng)(Devicenet) 200，以便能夠同時自動控制所有可變電容器140。
[0049]圖5是示出用于控制本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的可變電容器的網(wǎng)絡(luò)配置的圖。
[0050]如圖5所示，位于各區(qū)域的第一至第四可變電容器控制裝置100連接于第一從控制器(slave controller) 211,第n_3至第η可變電容器控制裝置100連接于第M從控制器212。在此，M和η是自然數(shù)。
[0051]因此，本發(fā)明的實施例涉及的可變電容器控制裝置100可以根據(jù)源線圈20的數(shù)量設(shè)置大量可變電容器控制裝置100，可以將網(wǎng)絡(luò)擴大至控制該可變電容器控制裝置100所需的范圍。
[0052]另一方面，從控制器211、212確保通信線路用于將外部編碼器120和Z-掃描傳感器所檢測到的檢測值傳送給主計算機220。而且，各從控制器211、212可以具備用于控制各步進電機100的步進電機控制部和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA、Field Programmable GateArray),并且具備與FPGA連接且通過設(shè)備網(wǎng)200與主計算機220連接的ARM (AdvancedRISC Machines)處理器。
[0053]此外，在主計算機220上可以連接顯示器，該顯示器上結(jié)合有作為輸入輸出部230的觸摸板。在輸入輸出部230的輸入部具有輸入對可變電容器140的動作設(shè)定值的設(shè)定值輸入部和輸入動作基準(zhǔn)值的動作基準(zhǔn)值輸入部，在輸出部顯示動作設(shè)定值、動作基準(zhǔn)值、電機動作輸入值和外部編碼器輸出值。
[0054]在此，動作設(shè)定值是為了控制阻抗而由用戶設(shè)定的可變電容器140的電容量的值，動作基準(zhǔn)值(或負(fù)向極限值、“-limit”)可以是該可變電容器140的最小電容量值。設(shè)定該動作基準(zhǔn)值的理由是由于所有可變電容器140實際具有10%左右的誤差(Tolerance)。
[0055]即，所有可變電容器140的最小電容量(capacitance)不是“OpF”，具有幾個?幾十個PF等不同的最小電容量值。由此，設(shè)在多個源線圈20上的所有可變電容器140的最小電容量值都不同。因此，檢測這些可變電容器140的最小電容量值之后，將該最小電容量值設(shè)定為動作基準(zhǔn)值而作為用于操作可變電容器140的動作基準(zhǔn)。
[0056]下面，說明如上所述構(gòu)成的本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的控制方法。
[0057]向腔室10內(nèi)部搬入基板并放置在靜電卡盤13上。然后，向腔室10內(nèi)部供給反應(yīng)氣體，而且腔室10內(nèi)部通過排氣裝置保持為預(yù)設(shè)壓力。之后，打開高頻電源以規(guī)定RF功率輸出用于生成等離子體的高頻，該RF功率被提供至源線圈20。由此，來自源線圈20的磁力線貫穿電介質(zhì)窗15而橫跨腔室10內(nèi)部的處理空間，從而產(chǎn)生感應(yīng)電場。反應(yīng)氣體通過該感應(yīng)電場被分裂成分子或原子并發(fā)生碰撞,從而產(chǎn)生等尚子體。該等尚子體以原子團或尚子形式在工藝空間內(nèi)部向大處理空間擴散。此時，原子團向基板等方性地入射，離子通過直流偏置向基板移動，從而對基板進行蝕刻等處理。
[0058]另一方面，為了有效地處理如等離子體處理工藝，等離子體密度需要均勻。為了使等離子體密度均勻，需要調(diào)節(jié)源線圈20的阻抗。因此，可以利用設(shè)在各源線圈20上的可變電容器控制裝置來調(diào)節(jié)各源線圈20的阻抗。
[0059]例如，如圖2所示，源線圈20被分散設(shè)置在共計九個區(qū)域Al?A9時，即便設(shè)在所有區(qū)域的源線圈20上流過相同的高頻電流，也不能確保等離子體密度或基板處理的均勻性。
[0060]S卩，根據(jù)工藝環(huán)境，需要對設(shè)在九個區(qū)域Al?A9的每個源線圈20進行固有阻抗調(diào)節(jié)。因此，為了確保適合各區(qū)域Al?A9的阻抗，利用可變電容器控制裝置100進行對各源線圈20的阻抗調(diào)節(jié)。
[0061]另一方面，在本發(fā)明的實施例中，對可變電容器140的調(diào)節(jié)動作由步進電機110來執(zhí)行。但是，因為無法預(yù)料的原因，步進電機110可能發(fā)生失步(step out)的情況。若步進電機110發(fā)生失步，即使為了驅(qū)動可變電容器140而向步進電機110輸入規(guī)定的輸入值，步進電機110實際不會按照該輸入值進行動作。在該狀態(tài)下，不能控制阻抗，所以也不能調(diào)節(jié)等離子體的均勻度，不能實現(xiàn)有效的基板處理。
[0062]為了解決這些問題，為驅(qū)動步進電機110而輸入的值以脈沖值表示，電機110的實際動作由外部編碼器120來檢測，且將電機110的實際輸出值以脈沖值表示。另外，將為了驅(qū)動步進電機110而輸入的脈沖值和由外部編碼器120檢測輸出的輸出值進行比較，若顯示這兩個值不均等時，可以判斷為發(fā)生了失步。
[0063]圖6是示出控制本發(fā)明的實施例涉及的電感耦合等離子體處理裝置的方法的流程圖。
[0064]如圖6所示，首先確認(rèn)設(shè)置的可變電容器140的基準(zhǔn)值(或最小電容量值)(S100)。雖然設(shè)置的每個可變電容器140的基準(zhǔn)值都不同，但若最初確認(rèn)之后設(shè)置，則除非更換可變電容器140，該值不變。
[0065]之后，將該基準(zhǔn)值作為動作基準(zhǔn)值向主計算機220輸入(S110)。對所有可變電容器140進行相同的上述動作，并確認(rèn)所有可變電容器140的動作基準(zhǔn)值之后向主計算機220輸入。
[0066]輸入動作基準(zhǔn)值之后，進行電感耦合等離子體處理裝置的動作。根據(jù)等離子體的產(chǎn)生狀態(tài)，進行最初的電感耦合等離子體處理裝置的設(shè)定，此時，進行可變電容器140的電容量的調(diào)節(jié)。
[0067]為了調(diào)節(jié)可變電容器140的電容量,驅(qū)動電機110。輸入用于使電機110動作的輸入值即輸入電流值，則步進電機HO進行與該輸入電流值對應(yīng)的步進動作(S120)。
[0068]然后，根據(jù)步進電機110的步進動作，外部編碼器120檢測該動作而生成作為輸出值的輸出電流值(S130)。接著，檢測輸入電流值和輸出電流值并比較該兩個值(S150)。若輸入電流值和輸出電流值相同，則意味著步進電機110旋轉(zhuǎn)至所需旋轉(zhuǎn)角。由此，可以判斷可變電容器140已動作至所需狀態(tài)。
[0069]與此相反，若輸入電流值和輸出電流值不相同，則可以判斷為步進電機110發(fā)生了失步。此時，生成失步錯誤信號(S160)，為了消除該錯誤狀態(tài)進行起始驅(qū)動(S170)。
[0070]起始驅(qū)動使可變電容器140以上述動作基準(zhǔn)值動作。通過起始驅(qū)動命令,步進電機110使可變電容器140的電容量恢復(fù)至動作基準(zhǔn)值。若可變電容器140達到動作基準(zhǔn)值，則停止步進電機110的動作，使得可變電容器140處于調(diào)節(jié)阻抗的準(zhǔn)備狀態(tài)。之后，可以通過步進電機110的動作進行再次調(diào)節(jié)所需阻抗。
[0071]如上所述，本發(fā)明的實施例，并不應(yīng)該解釋為用于限定本發(fā)明的技術(shù)思想。本發(fā)明的保護范圍僅以權(quán)利要求書的記載為準(zhǔn)，對于本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，可以將本發(fā)明的技術(shù)思想進行各種形式的改進變更。因此，這些改進和變更對于本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說是顯而易見的，屬于本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電感耦合等離子體處理裝置，其具備: 腔室； 源線圈，設(shè)在所述腔室的上部的電介質(zhì)窗外側(cè)； 可變電容器控制裝置，其包括與所述源線圈連接而用于控制阻抗的可變電容器、使所述可變電容器自動旋轉(zhuǎn)的電機以及用于檢測所述電機的旋轉(zhuǎn)的外部編碼器； 控制部，通過比較從所述外部編碼器輸出的外部編碼器輸出值與輸入至所述電機的電機動作輸入值，來判斷所述可變電容器的動作異常。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 在所述控制部存儲有所述可變電容器的動作基準(zhǔn)值，當(dāng)所述控制部檢測到所述可變電容器發(fā)生動作異常時，驅(qū)動所述電機以將所述可變電容器設(shè)定為所述動作基準(zhǔn)值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 所述動作異常是所述電機的失步。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 在所述電介質(zhì)窗的上側(cè)具有多個區(qū)域，在所述多個區(qū)域分別設(shè)有所述源線圈。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 具有多個所述源線圈，在所述多個源線圈上分別具有所述可變電容器控制裝置，并且具有用于控制所述可變電容器控制裝置的從控制器，所述從控制器通過網(wǎng)絡(luò)與主計算機連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 所述主計算機上連接有輸入輸出部，在所述輸入輸出部上顯示輸入所述可變電容器的動作設(shè)定值的設(shè)定值輸入部、輸入所述動作基準(zhǔn)值的動作基準(zhǔn)值輸入部、所述動作設(shè)定值、所述動作基準(zhǔn)值、所述電機動作輸入值和所述外部編碼器輸出值。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 在所述可變電容器控制裝置上設(shè)有用于檢測所述可變電容器的電容量的電容量檢測傳感器，所述輸出部顯示由所述電容量檢測傳感器檢測到的所述可變電容器的電容量。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 所述動作基準(zhǔn)值是所述可變電容器的最小電容量。
9.一種電感耦合等離子體處理裝置的控制方法，該電感耦合等離子體處理裝置具備:源線圈，設(shè)在所述腔室上部的電介質(zhì)窗外側(cè)；可變電容器控制裝置，其包括與所述源線圈連接而用于控制阻抗的可變電容器、使所述可變電容器自動旋轉(zhuǎn)的電機以及用于檢測所述電機的旋轉(zhuǎn)的外部編碼器；控制部，用于控制所述可變電容器控制裝置的動作， 所述控制方法的特征在于， 通過比較從所述外部編碼器輸出的外部編碼器輸出值與向所述電機輸入的電機動作輸入值，來判斷所述可變電容器的動作異常。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電感耦合等離子體處理裝置的控制方法，其特征在于， 所述動作異常是所述電機的失步。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電感耦合等離子體處理裝置的控制方法，其特征在于， 當(dāng)所述控制部檢測到發(fā)生所述動作異常時，驅(qū)動所述電機以將所述可變電容器設(shè)定為動作基準(zhǔn)值。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電感耦合等離子體處理裝置的控制方法，其特征在于， 所述動作基準(zhǔn)值是所述可變電容器的最小電容量。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電感耦合等離子體處理裝置的控制方法，其特征在于， 在所述電介質(zhì)窗的上側(cè)具有多個區(qū)域，在所述多個區(qū)域分別設(shè)有所述源線圈，所述可變電容器控制裝置分別設(shè)在所述源線圈上，以對各源線圈進行阻抗控制。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電感耦合等離子體處理裝置的控制方法，其特征在于， 具有能夠同時控制多個所述可變電容器控制裝置的從控制器，所述從控制器通過網(wǎng)絡(luò)與主計算機連接，以將從所述可變電容器控制裝置傳送的數(shù)據(jù)傳送給所述主計算機，而所述主計算機向所述從控制器傳送用于同時控制多個可變電容器控制裝置的信號。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電感耦合等離子體處理裝置的控制方法，其特征在于， 與所述主計算機連接的 多個所述從控制器通過網(wǎng)絡(luò)連接。
【文檔編號】H05H1/46GK103813610SQ201310325922
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月8日
【發(fā)明者】林正煥 申請人:麗佳達普株式會社