高頻信號(hào)線路及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種容易彎曲使用的高頻信號(hào)線路以及電子設(shè)備。電介質(zhì)主體（12）層疊具有可撓性的多個(gè)電介質(zhì)片材（18）而構(gòu)成。信號(hào)線（20）設(shè)置在電介質(zhì)主體（12）。接地導(dǎo)體（22）設(shè)置在電介質(zhì)主體（12）上，且沿信號(hào)線（20）延伸。接地導(dǎo)體（24）在較信號(hào)線（20）更靠近z軸方向的負(fù)方向側(cè)、沿信號(hào)線（20）排列，且隔著電介質(zhì)片材（18）與信號(hào)線（20）相對(duì)。過孔導(dǎo)體（B1～B3）貫穿電介質(zhì)片材（18），將接地導(dǎo)體（22）和接地導(dǎo)體（24）相連接。
【專利說明】局頻信號(hào)線路及電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高頻信號(hào)線路，特別涉及在具有可撓性的主體上設(shè)置信號(hào)線而構(gòu)成的高頻信號(hào)線路及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]作為現(xiàn)有高頻信號(hào)線路，已知有例如專利文獻(xiàn)I所記載的柔性基板。圖17是從層疊方向俯視專利文獻(xiàn)I所記載的柔性基板600所得的圖。
[0003]柔性基板600包括信號(hào)線路602及接地層604。信號(hào)線路602是線狀導(dǎo)體。接地層604隔著電介質(zhì)層層疊在信號(hào)線路602的層疊方向的上側(cè)。此外，雖然未圖示，但在信號(hào)線路602的層疊方向的下側(cè)設(shè)有接地層。并且，在柔性基板600的接地層604上設(shè)有多個(gè)開口 606。多個(gè)開口 606呈長(zhǎng)方形，且在信號(hào)線路602上排列成一列。通過這樣設(shè)置多個(gè)開口 606，來實(shí)現(xiàn)柔性基板600的薄型化。
[0004]然而，專利文獻(xiàn)I所記載的柔性基板600中，信號(hào)線路602被接地層604以及未圖示的接地層夾持。接地層604以及未圖示的接地層由不易變形的銅箔等制成，因此阻礙了高頻信號(hào)線路被彎曲。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2007-123740號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0006]因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠容易地彎曲使用的高頻信號(hào)線路以及電子設(shè)備。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0007]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的高頻信號(hào)線路，其特征在于，包括:主體，該主體由具有可撓性的多個(gè)絕緣體層層疊而成；信號(hào)線，該信號(hào)線設(shè)置于所述主體且為線狀；第一接地導(dǎo)體，該第一接地導(dǎo)體設(shè)置于所述主體，且沿所述信號(hào)線延伸；多個(gè)第二接地導(dǎo)體，該多個(gè)第二接地導(dǎo)體是設(shè)置于所述主體，且在比所述信號(hào)線更靠近層疊方向的一側(cè)，沿該信號(hào)線延伸的方向以規(guī)定間隔排列的多個(gè)接地導(dǎo)體，且隔著所述絕緣體層與該信號(hào)線相對(duì)；以及多個(gè)第一過孔導(dǎo)體，該多個(gè)第一過孔導(dǎo)體是貫通所述絕緣體層的多個(gè)過孔導(dǎo)體，且連接所述第一接地導(dǎo)體和所述多個(gè)第二接地導(dǎo)體。
[0008]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括殼體以及收納于所述殼體中的高頻信號(hào)線路，其特征在于，所述高頻信號(hào)線路包括:主體，該主體由具有可撓性的多個(gè)絕緣體層層疊而成；信號(hào)線，該信號(hào)線設(shè)置于所述主體且為線狀；第一接地導(dǎo)體，該第一接地導(dǎo)體設(shè)置于所述主體，且沿所述信號(hào)線延伸；多個(gè)第二接地導(dǎo)體，該多個(gè)第二接地導(dǎo)體是設(shè)置于所述主體，且在比所述信號(hào)線更靠近層疊方向的一側(cè)，沿該信號(hào)線延伸的方向以規(guī)定間隔排列的多個(gè)接地導(dǎo)體，且隔著所述絕緣體層與該信號(hào)線相對(duì)；以及多個(gè)第一過孔導(dǎo)體，該多個(gè)第一過孔導(dǎo)體是貫通所述絕緣體層的多個(gè)過孔導(dǎo)體，且連接所述第一接地導(dǎo)體和所述多個(gè)第二接地導(dǎo)體。
發(fā)明效果
[0009]根據(jù)本發(fā)明，能容易地彎曲高頻信號(hào)線路來使用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的高頻信號(hào)線路的外觀立體圖。
圖2是圖1的高頻信號(hào)線路的電介質(zhì)主體的分解圖。
圖3是圖1的高頻信號(hào)線路的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖4是高頻信號(hào)線路的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖5是高頻信號(hào)線路的連接器的外觀立體圖及剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖6是從y軸方向和z軸方向俯視使用了高頻信號(hào)線路的電子設(shè)備的圖。
圖7是高頻信號(hào)線路的等效電路圖。
圖8是表示高頻信號(hào)線路的位置與特性阻抗之間的關(guān)系的曲線圖。
圖9是變形例I所涉及的高頻信號(hào)線路的電介質(zhì)主體的分解圖。
圖10是高頻信號(hào)線路的接地導(dǎo)體的等效電路圖。
圖11是變形例2所涉及的高頻信號(hào)線路的電介質(zhì)主體的分解圖。
圖12是變形例2所涉及的高頻信號(hào)線路的電介質(zhì)主體的分解圖。
圖13是變形例4所涉及的高頻信號(hào)線路的電介質(zhì)主體的分解圖。
圖14是變形例5所涉及的高頻信號(hào)線路的電介質(zhì)主體的分解圖。
圖15是變形例6所涉及的高頻信號(hào)線路的電介質(zhì)主體的分解圖。
圖16是變形例7所涉及的高頻信號(hào)線路的電介質(zhì)主體的分解圖。
圖17是從層疊方向俯視專利文獻(xiàn)I所記載的柔性基板的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻信號(hào)線路及電子設(shè)備進(jìn)行說明。
[0012](高頻信號(hào)線路的結(jié)構(gòu))
下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的高頻信號(hào)線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的高頻信號(hào)線路10的外觀立體圖。圖2是圖1的高頻信號(hào)線路10的電介質(zhì)主體12的分解圖。圖3是圖1的高頻信號(hào)線路10的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖4是高頻信號(hào)線路10的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖5是高頻信號(hào)線路10的連接器IOOb的外觀立體圖及剖面結(jié)構(gòu)圖。在圖1至圖5中，將高頻信號(hào)線路10的層疊方向定義為z軸方向。此外，將高頻信號(hào)線路10的長(zhǎng)邊方向定義為X軸方向，將正交于X軸方向及Z軸方向的方向定義為I軸方向。
[0013]例如在移動(dòng)電話等電子設(shè)備內(nèi)，聞?lì)l/[目號(hào)線路10用于將2個(gè)聞?lì)l電路相連接。如圖1至圖3所示,高頻信號(hào)線路10包括電介質(zhì)主體12、外部端子16( 16a、16b)、信號(hào)線20、接地導(dǎo)體22、24、過孔導(dǎo)體bl?b4、Bl?B6及連接器100a、100b。[0014]從z軸方向俯視時(shí)，電介質(zhì)主體12沿X軸方向延伸，且包含線路部12a及連接部12b、12c。電介質(zhì)主體12是將圖2所示的保護(hù)層14及電介質(zhì)片材(絕緣體層)18 (18a?18d)按照從z軸方向的正方向側(cè)到負(fù)方向側(cè)的順序依次進(jìn)行層疊而構(gòu)成的層疊體。下面，將電介質(zhì)主體12的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱作表面(第一主面)，將電介質(zhì)主體12的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱作背面(第二主面)。
[0015]線路部12a在X軸方向上延伸。連接部12b、12c分別連接至線路部12a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部及X軸方向的正方向側(cè)端部，且呈矩形。連接部12b、12c的y軸方向?qū)挾缺染€路部12a的y軸方向?qū)挾纫獙挕?br> [0016]從z軸方向俯視時(shí)，電介質(zhì)片材18沿X軸方向延伸,且其形狀與電介質(zhì)主體12相同。電介質(zhì)片材18由聚酰亞胺、液晶聚合物等具有可撓性的熱塑性樹脂來構(gòu)成。如圖4所示，電介質(zhì)片材18a、18b的總厚度Tl比電介質(zhì)片材18c的厚度T2要厚。例如，將電介質(zhì)片材18a?18d進(jìn)行層疊后，厚度Tl為50?300 μ m。在本實(shí)施方式中，厚度Tl為150 μ m。此外，厚度T2為10?100 μ m。在本實(shí)施方式中，厚度T2為50 μ m。下面，將電介質(zhì)片材18的z軸方向的正方向側(cè)主面稱作表面，將電介質(zhì)片材18的z軸方向的負(fù)方向側(cè)主面稱作背面。
[0017]此夕卜，電介質(zhì)片材18a由線路部18a — a及連接部18a — b、18a — c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18b由線路部18b — a及連接部18b — b、18b — c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18c由線路部18c — a及連接部18c — b、18c — c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18d由線路部18d — a及連接部18d — b、18d — c 構(gòu)成。線路部 18a_a、18b_a、18c_a、18d_a 構(gòu)成線路部 12a。連接部 18a_b、18b-b、18c-b、18d-b 構(gòu)成連接部 12b。連接部 18a_c、18b_c、18c_c、18d_c 構(gòu)成連接部 12c。
[0018]如圖1及圖2所示，外部端子16a是設(shè)置在連接部18a — b的表面的中央附近的矩形導(dǎo)體。如圖1及圖2所示，外部端子16b是設(shè)置在連接部18a — c的表面的中央附近的矩形導(dǎo)體。外部端子16a、16b由以銀、銅為主要成分、且電阻率較小的金屬材料制成。此夕卜，在外部端子16a、16b的表面上實(shí)施鍍金。
[0019]如圖2所示，信號(hào)線20是設(shè)置在電介質(zhì)主體12內(nèi)的線狀導(dǎo)體，且在電介質(zhì)片材18c的表面上沿X軸方向延伸。從z軸方向俯視時(shí)，信號(hào)線20的兩端分別與外部端子16a、16b重疊。信號(hào)線20由以銀、銅為主要成分、且電阻率較小的金屬材料制成。
[0020]如圖2所示，接地導(dǎo)體22 (第一接地導(dǎo)體)設(shè)置成在電介質(zhì)主體12內(nèi)比信號(hào)線20要靠近z軸方向的正方向側(cè)，更詳細(xì)而言，將接地導(dǎo)體22設(shè)置在最靠近電介質(zhì)主體12的表面的電介質(zhì)片材18a的表面上。接地導(dǎo)體22在電介質(zhì)片材18a的表面上沿著信號(hào)線20在X軸方向上延伸，如圖2所示，接地導(dǎo)體22隔著電介質(zhì)片材18a、8b與信號(hào)線20相對(duì)。實(shí)質(zhì)上，接地導(dǎo)體22上不設(shè)有開口。也就是說，接地導(dǎo)體22是沿線路部12a上的信號(hào)線20在X軸方向上連續(xù)延伸的電極、即所謂的實(shí)心電極。但是，接地導(dǎo)體22無需完全覆蓋線路部12a，例如，為了使對(duì)電介質(zhì)片材18的熱塑性樹脂進(jìn)行熱壓接時(shí)所產(chǎn)生的氣體排出，可在接地導(dǎo)體22的規(guī)定位置上設(shè)置微小的孔等。接地導(dǎo)體22由以銀、銅為主要成分、且電阻率較小的金屬材料制成。
[0021]此外，接地導(dǎo)體22由線路部22a、端子部22b、22c構(gòu)成。線路部22a設(shè)置在線路部18a_a的表面上，且沿X軸方向延伸。端子部22b設(shè)置在線路部18a_b的表面上，且呈包圍外部端子16a的周圍的矩形環(huán)。端子部22b連接至線路部22a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部。端子部22c設(shè)置在線路部18a-c的表面上，且呈包圍外部端子16b的周圍的環(huán)狀矩形。端子部22c連接至線路部22a的x軸方向的正方向側(cè)端部。
[0022]這里，高頻信號(hào)線路10的特性阻抗主要基于信號(hào)線路20與接地導(dǎo)體22之間的相對(duì)面積和距離、以及電介質(zhì)片材18a?18d的相對(duì)介電常數(shù)而定。因此，在將高頻信號(hào)線路10的特性阻抗設(shè)定為50 Ω的情況下，例如，通過信號(hào)線路20和接地導(dǎo)體22，將高頻信號(hào)線路10的特性阻抗設(shè)定為比50 Ω略高的55 Ω。然后，對(duì)后述的接地導(dǎo)體24的形狀進(jìn)行調(diào)整，使得高頻信號(hào)線路IOa的特性阻抗因信號(hào)線路20、接地導(dǎo)體22以及接地導(dǎo)體24而變?yōu)?0 Ω。如上所述，接地導(dǎo)體22起到基準(zhǔn)接地導(dǎo)體的作用。
[0023]如圖2所示，接地導(dǎo)體24 (第二接地導(dǎo)體)設(shè)置成在電介質(zhì)主體12內(nèi)比信號(hào)線20要靠近ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)，更詳細(xì)而言，將接地導(dǎo)體24設(shè)置在電介質(zhì)片材18d的表面上。由此，如圖2所示，將接地導(dǎo)體24設(shè)置在電介質(zhì)片材18c、18d之間。接地導(dǎo)體24呈在y軸方向上延伸的長(zhǎng)方形，從ζ軸方向俯視時(shí)，與信號(hào)線20相交。此外，接地導(dǎo)體24在電介質(zhì)片材18d的表面，沿著信號(hào)線20在X軸方向以規(guī)定間隔(本實(shí)施方式中以等間隔)排成一列。優(yōu)選為，多個(gè)接地導(dǎo)體24的間隔在信號(hào)線20所傳輸?shù)母哳l信號(hào)的波長(zhǎng)的一半以下。并且，接地導(dǎo)體24隔著電介質(zhì)片材18c與信號(hào)線20相對(duì)。由此，接地導(dǎo)體24隔著信號(hào)線20與接地導(dǎo)體22相對(duì)。此外，接地導(dǎo)體24由以銀、銅為主要成分、且電阻率較小的金屬材料制成。
[0024]此處，如圖2所示，在高頻信號(hào)線路10中，將信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24不重疊的區(qū)域稱為區(qū)域Al，將信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24重疊的區(qū)域稱為區(qū)域A2。區(qū)域Al和區(qū)域A2在X軸方向上交替排列。此外，如圖2所示，區(qū)域Al中信號(hào)線20的線寬Wa大于區(qū)域A2中信號(hào)線20的線寬Wb。區(qū)域Al中，信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24不重疊，因此能夠增大線寬Wa來減小信號(hào)線的高頻電阻值。另一方面，在區(qū)域A2中，信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24重疊，因此，為了抑制高頻電阻值的下降，將線寬Wb設(shè)定為小于區(qū)域Al的線寬。
[0025]接地導(dǎo)體24是還起到屏蔽作用的輔助接地導(dǎo)體。此外，如上所述，接地導(dǎo)體24是為了進(jìn)行最終調(diào)整以使高頻信號(hào)線路10的特性阻抗成為50 Ω而設(shè)計(jì)的。
[0026]過孔導(dǎo)體bl在ζ軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a — b。過孔導(dǎo)體b3在ζ軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b的連接部18b — bo過孔導(dǎo)體bl、b3彼此相連從而構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體，將外部端子16a與信號(hào)線20的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部相連。
[0027]過孔導(dǎo)體b2在ζ軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a — C。過孔導(dǎo)體b4在ζ軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b的連接部18b — Co過孔導(dǎo)體b2、b4彼此相連從而構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體，將外部端子16a與信號(hào)線20的X軸方向的正方向側(cè)的端部相連。由此，信號(hào)線20連接在外部端子16a、16b之間。過孔導(dǎo)體bl?b4由以銀、銅為主要成分、且電阻率較小的金屬材料制成。
[0028]多個(gè)過孔導(dǎo)體BI?B3分別沿ζ軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a、18b、18c的線路部18a — a、18b — a、18c — a,在線路部18a — a、18b — a、18c — a上等間隔地排成一列。過孔導(dǎo)體BI?B3被設(shè)置在從ζ軸方向俯視時(shí)、比信號(hào)線20更靠近j軸方向的正方向側(cè)(與信號(hào)線20延伸的方向正交的正交方向的一側(cè))。而且，過孔導(dǎo)體BI?B3彼此連接，從而構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體，將接地導(dǎo)體22和接地導(dǎo)體24的y軸方向的正方向側(cè)的端部相連接。過孔導(dǎo)體BI?B3由以銀、銅為主要成分、且電阻率較小的金屬材料制成。[0029]多個(gè)過孔導(dǎo)體B4?B6分別沿z軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a、18b、18c的線路部18a — a、18b — a、18c — a,在線路部18a — a、18b — a、18c — a上等間隔地排成一列。過孔導(dǎo)體B4?B6被設(shè)置在從z軸方向俯視時(shí)、比信號(hào)線20更靠近y軸方向的負(fù)方向側(cè)(與信號(hào)線20延伸的方向正交的正交方向的另一側(cè))。而且，過孔導(dǎo)體B4?B6彼此連接，從而構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體，將接地導(dǎo)體22和接地導(dǎo)體24的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部相連接。過孔導(dǎo)體B4?B6由以銀、銅為主要成分、且電阻率較小的金屬材料制成。
[0030]如上所述，如圖4所示那樣由過孔導(dǎo)體BI?B6以及接地導(dǎo)體22、24包圍信號(hào)線20的周圍。此外，信號(hào)線20從z軸方向的兩側(cè)被接地導(dǎo)體22、24所夾持，因此呈三板型的帶狀線結(jié)構(gòu)。而且，如圖4所示，信號(hào)線20與接地導(dǎo)體22之間的間隔大致等于電介質(zhì)片材18a、18b的總厚度Tl，例如為50 μ m?300 μ m。在本實(shí)施方式中，信號(hào)線20與接地導(dǎo)體22之間的間隔為150μπι。另一方面，如圖4所示，信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24之間的間隔大致等于電介質(zhì)片材18c的厚度T2，例如為10 μ m?100 μ m。在本實(shí)施方式中，信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24之間的間隔為50 μ m。即，設(shè)計(jì)成厚度Tl大于厚度T2。
[0031]保護(hù)層14覆蓋電介質(zhì)片材18a大致整個(gè)表面。由此，保護(hù)層14覆蓋接地導(dǎo)體22。保護(hù)層14由例如抗蝕材料等可撓性樹脂形成。
[0032]此外，如圖2所示，保護(hù)層14由線路部14a及連接部14b、14c構(gòu)成。線路部14a通過覆蓋線路部18a_a的整個(gè)表面從而覆蓋線路部22a。
[0033]連接部14b連接至線路部14a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部，且覆蓋連接部18a —b的表面。其中，連接部14b中設(shè)有開口 Ha?Hd。開口 Ha是設(shè)置在連接部14b大致中央處的矩形開口。外部端子16a經(jīng)由開口 Ha露出至外部。此外，開口 Hb是設(shè)置在開口 Ha的y軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 He是設(shè)置在開口 Ha的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的矩形開口。開口 Hd是設(shè)置在開口 Ha的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的矩形開口。端子部22b經(jīng)由開口Hb?Hd露出至外部，從而起到外部端子的作用。
[0034]連接部14c連接至線路部14a的x軸方向的正方向側(cè)端部,且覆蓋連接部18a —c的表面。其中，連接部14c上設(shè)有開口 He?Hh。開口 He是設(shè)置在連接部14c大致中央處的矩形開口。外部端子16b經(jīng)由開口 He露出至外部。此外，開口 Hf是設(shè)置在開口 He的Y軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 Hg是設(shè)置在開口 He的X軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 Hh是設(shè)置在開口 He的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的矩形開口。端子部22c經(jīng)由開口Hf?Hh露出至外部，從而起到外部端子的作用。
[0035]連接器100a、IOOb分別安裝在連接部12b、12c的表面上。連接器100a、IOOb的結(jié)構(gòu)相同，因此，下面以連接器IOOb的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明。
[0036]如圖1及圖5所示，連接器IOOb由連接器主體102、外部端子104、106、中心導(dǎo)體108及外部導(dǎo)體110構(gòu)成。連接器主體102呈現(xiàn)為矩形板上連結(jié)有圓筒的形狀，且由樹脂等絕緣材料制成。
[0037]在連接器主體102的板的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的表面上，將外部端子104設(shè)置在與外部端子16b相對(duì)的位置處。在連接器主體102的板的z軸方向的負(fù)方向側(cè)表面上，夕卜部端子106設(shè)置在與經(jīng)由開口 Hf?Hh而露出的端子部22c相對(duì)應(yīng)的位置。
[0038]中心導(dǎo)體108設(shè)置在連接器主體102的圓筒中心，且與外部端子104相連接。中心導(dǎo)體108是輸入或輸出高頻信號(hào)的信號(hào)端子。外部導(dǎo)體110設(shè)置在連接器主體102的圓筒的內(nèi)周面上，且與外部端子106相連接。外部導(dǎo)體110是保持在接地電位的接地端子。
[0039]具有如上結(jié)構(gòu)的連接器IOOb安裝在連接部12c的表面上，以使得外部端子104與外部端子16b相連接、外部端子106與端子部22c相連接。由此，信號(hào)線20與中心導(dǎo)體108進(jìn)行電連接。此外，接地導(dǎo)體22、24與外部導(dǎo)體110進(jìn)行電連接。
[0040]高頻信號(hào)線路10按如下所說明的那樣來使用。圖6是從y軸方向和z軸方向俯視使用了高頻信號(hào)線路10的電子設(shè)備200的圖。
[0041]電子設(shè)備200包括高頻信號(hào)線路10、電路基板202a、202b、插座204a、204b、電池組(金屬體)206及殼體210。
[0042]殼體210收納有電路基板202a、202b、插座204a、204b、及電池組206。在電路基板202a上設(shè)置有例如包含天線的發(fā)送電路或接收電路。電路基板202b上設(shè)置有例如供電電路。電池組206例如為鋰離子充電電池，具有其表面被金屬蓋所覆蓋的結(jié)構(gòu)。電路基板202a、電池組206及電路基板202b按照此順序從x軸方向的負(fù)方向側(cè)到正方向側(cè)依次排列。
[0043]插座204a、204b分別設(shè)置在電路基板202a、202b的z軸方向的負(fù)方向側(cè)主面上。插座204a、204b分別與連接器100a、IOOb連接。由此，經(jīng)由插座204a、204b，向連接器100a、IOOb的中心導(dǎo)體108施加在電路基板202a、202b之間傳輸?shù)睦缇哂?GHz頻率的高頻信號(hào)。此外，經(jīng)由電路基板202a、202b及插座204a、204b，將連接器100a、IOOb的外部導(dǎo)體110保持在接地電位。由此，高頻信號(hào)線路10連接在電路基板202a、202b之間。
[0044]這里，電介質(zhì)主體12的表面(更確切而言，保護(hù)層14)與電池組206相接觸。而且，電介質(zhì)主體12的表面與電池組206通過粘接劑等進(jìn)行固定。電介質(zhì)主體12的表面是相對(duì)于信號(hào)線20位于接地導(dǎo)體22 —側(cè)的主面。由此，實(shí)心狀的接地導(dǎo)體22位于信號(hào)線20與電池組206之間。
[0045](高頻信號(hào)線路的制造方法)
下面，參照?qǐng)D2，對(duì)高頻信號(hào)線路10的制造方法進(jìn)行說明。下面，以制作一個(gè)高頻信號(hào)線路10的情形為例進(jìn)行說明，但實(shí)際上，通過層疊和切割大型電介質(zhì)片材來同時(shí)制作多個(gè)高頻信號(hào)線路10。
[0046]首先，準(zhǔn)備電介質(zhì)片材18，該電介質(zhì)片材18由整個(gè)表面形成有銅箔的熱塑性樹脂構(gòu)成。通過對(duì)電介質(zhì)片材18的銅箔表面例如鍍鋅以防銹，從而使表面平滑。銅箔的厚度為10 μ m ?20 μ m0
[0047]接著，利用光刻工序，在電介質(zhì)片材18a的表面上形成圖2所示外部端子16和接地導(dǎo)體22。具體而言，在電介質(zhì)片材18a的銅箔上印刷其形狀與圖2所示的外部端子16(16a、16b)及接地導(dǎo)體22相同的抗蝕劑。然后，通過對(duì)銅箔實(shí)施蝕刻處理，將未被抗蝕劑覆蓋的那部分銅箔去除。此后，去除抗蝕劑。由此，在電介質(zhì)片材18a的表面上形成如圖2所示的外部端子16及接地導(dǎo)體22。
[0048]接著，利用光刻工序，在電介質(zhì)片材18c的表面上形成圖2所示的信號(hào)線20。此夕卜，利用光刻工序，在電介質(zhì)片材18d的表面上形成圖2所示的接地導(dǎo)體24。另外，上述光刻工序與形成外部端子16及接地導(dǎo)體22時(shí)的光刻工序相同，因此省略其說明。
[0049]接著,從背面?zhèn)葘?duì)電介質(zhì)片材18a?18c上要形成過孔導(dǎo)體bl?b4、BI?B6的位置照射激光束，從而形成貫通孔。之后，將導(dǎo)電性糊料填充到電介質(zhì)片材18a?18c上所形成的貫通孔中。
[0050]接著,按照從ζ軸方向的正方向側(cè)到負(fù)方向側(cè)的順序?qū)㈦娊橘|(zhì)片材18a?18d依次層疊。然后，從ζ軸方向的正方向側(cè)及負(fù)方向側(cè)對(duì)電介質(zhì)片材18a?18d施加熱及壓力，從而將電介質(zhì)片材18a?18d軟化并進(jìn)行壓接/ 一體化，并且，將填充至貫通孔中的導(dǎo)電性糊料固化，從而形成圖2所示的過孔導(dǎo)體bl?b4、Bl?B6。另外，也可利用環(huán)氧類樹脂等粘接劑代替熱壓接來對(duì)各電介質(zhì)片材18進(jìn)行一體化。此外，可在使電介質(zhì)片材18 —體化后形成貫過孔、并將導(dǎo)電性糊料填充至貫通孔中或?qū)ω炌仔纬慑兡ぃ瑥亩纬蛇^孔導(dǎo)體bl?b4、BI?B6。另外,對(duì)于過孔導(dǎo)體bl?b4、BI?B6,不一定需要用導(dǎo)體完全填滿貫通孔，例如可通過僅沿貫通孔內(nèi)周面形成導(dǎo)體來形成過孔導(dǎo)體bl?b4、Bl?B6。
[0051]最后，通過涂布樹脂(抗蝕劑)糊料，從而在電介質(zhì)片材18a上形成保護(hù)層14。由此，得到圖1所示的高頻信號(hào)線路10。
[0052](效果)
若采用上述結(jié)構(gòu)的高頻信號(hào)線路10，則能彎曲高頻信號(hào)線路10來使用。更詳細(xì)而言，專利文獻(xiàn)I所記載的柔性基板600中，信號(hào)線路602被接地層604以及未圖示的接地層夾持。接地層604以及未圖示的接地層由不易變形的銅箔等制成，因此阻礙了高頻信號(hào)線路被彎曲。
[0053]另一方面，高頻信號(hào)線路10中，接地導(dǎo)體24沿著信號(hào)線20排列在比信號(hào)線20更靠近ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)。此外，多個(gè)接地導(dǎo)體24并不彼此連接。因此，高頻信號(hào)線路10中存在未設(shè)有接地導(dǎo)體24的區(qū)域Al。由此，高頻信號(hào)線路10中，易于在區(qū)域Al彎曲高頻信號(hào)線路10。
[0054]此外，根據(jù)高頻信號(hào)線路10，出于以下理由，能容易地彎曲高頻信號(hào)線路10。高頻信號(hào)線路10的特性阻抗Z以V (L/C)來表示。L是與高頻信號(hào)線路10的單位長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的電感值。C是與高頻信號(hào)線路10的單位長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的電容值。將高頻信號(hào)線路10設(shè)計(jì)成使得Z成為規(guī)定的特性阻抗(例如50 Ω )。
[0055]此處，為了使高頻信號(hào)線路10能容易彎曲，考慮將高頻信號(hào)線路10的ζ軸方向厚度(以下僅稱作厚度)變薄。然而，若將高頻信號(hào)線路10的厚度變薄，則信號(hào)線20與接地導(dǎo)體22、24之間的距離減小，電容值C增大。其結(jié)果是，特性阻抗Z變得比規(guī)定的特性阻抗要小。
[0056]因此，考慮以下方案:即，使信號(hào)線20的線寬變細(xì)，使信號(hào)線20的電感值L增大，并且使信號(hào)線20與接地導(dǎo)體22、24之間的相對(duì)面積減小，使電容值C減小。
[0057]然而，若使信號(hào)線20的線寬變細(xì)，則信號(hào)線20的直流電阻增大，高頻損耗增大。高頻損耗是指在阻抗匹配的狀態(tài)下，高頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為熱能而產(chǎn)生的損耗。
[0058]因此，高頻信號(hào)線路10中，設(shè)有信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24不重疊的區(qū)域Al。由此，來減小信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24之間的相對(duì)面積，減小電容值C。因此，無需增大信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24之間的距離。其結(jié)果是，在高頻信號(hào)線路10中，能將特性阻抗Z維持成規(guī)定的特性阻抗且能使其容易彎曲。
[0059]此外，高頻信號(hào)線路10中，能抑制信號(hào)線20的特性阻抗從規(guī)定的特性阻抗(例如50 Ω )偏離。圖7是高頻信號(hào)線路10的等效電路圖。
[0060]如圖7所示，區(qū)域Al中由信號(hào)線20形成電感分量LI。并且，在區(qū)域Al中，信號(hào)線20與接地導(dǎo)體22相對(duì)，因此形成了電容分量Cl。由此，區(qū)域Al中，電感分量LI的一端與電容分量Cl的一端相連接，電容分量Cl的另一端形成接地電路。
[0061 ] 另一方面，如圖7所示，區(qū)域A2中由信號(hào)線20形成電感分量L2。并且，在區(qū)域A2中，信號(hào)線20與接地導(dǎo)體22、24相對(duì)，因此形成了電容分量C2。由此，區(qū)域A2中，電感分量L2的一端與電容分量C2的一端相連接，電容分量C2的另一端形成接地電路。并且，區(qū)域A1、A2交替串聯(lián)連接。
[0062]這里，區(qū)域Al中未設(shè)有接地導(dǎo)體24，因此區(qū)域Al中的電容分量Cl比區(qū)域A2中的電容分量C2要小。由此，區(qū)域Al中信號(hào)線20的特性阻抗高于區(qū)域A2中信號(hào)線20的特性阻抗。因此，區(qū)間Al中信號(hào)線20的線寬Wa要大于區(qū)域A2中信號(hào)線20的線寬Wb。由此，電感分量LI比電感分量L2要小。其結(jié)果是，區(qū)域Al中信號(hào)線20的特性阻抗接近區(qū)域A2中信號(hào)線20的特性阻抗。由此，抑制了信號(hào)線20的特性阻抗的變動(dòng)，抑制了信號(hào)線20的特性阻抗從規(guī)定的特性阻抗偏離。另外，區(qū)域Al中，信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24不重疊，因此能夠增大線寬Wa來減小信號(hào)線20的高頻電阻值。
[0063]此外，根據(jù)高頻信號(hào)線路10，能抑制信號(hào)線20的特性阻抗從規(guī)定的特性阻抗(例如50Ω )偏離。更詳細(xì)而言，在高頻信號(hào)線路10中，相對(duì)于信號(hào)線20位于接地導(dǎo)體22 —側(cè)的電介質(zhì)主體12的表面與電池組206接觸。即，信號(hào)線20與電池組206之間設(shè)有接地導(dǎo)體22，該接地導(dǎo)體22實(shí)際未設(shè)有開口。由此，能抑制在信號(hào)線20與電池組206之間產(chǎn)生電磁場(chǎng)耦合。其結(jié)果是，在高頻信號(hào)線路10中，能抑制信號(hào)線20的特性阻抗從規(guī)定的特性阻抗偏離。
[0064]此外，高頻信號(hào)線路10中，在信號(hào)線20的z軸方向的正方向側(cè)設(shè)置有接地導(dǎo)體22，在信號(hào)線20的z軸方向的負(fù)方向側(cè)設(shè)置有接地導(dǎo)體24。在信號(hào)線20的y軸方向的兩側(cè)還設(shè)置有過孔導(dǎo)體BI?B6。由此，抑制了從高頻信號(hào)線路10產(chǎn)生無用輻射。
[0065]并且，根據(jù)高頻信號(hào)線路10，出于以下理由而能抑制無用輻射的產(chǎn)生。圖8是表示高頻信號(hào)線路10的位置與特性阻抗之間的關(guān)系的曲線圖。更詳細(xì)而言，在高頻信號(hào)線路中，當(dāng)信號(hào)線具有固定的特性阻抗時(shí)，特性阻抗較高的信號(hào)線路的兩端成為波節(jié)，并產(chǎn)生具有較長(zhǎng)波長(zhǎng)的駐波。波長(zhǎng)較長(zhǎng)的駐波具有較低的頻率。若這種較低的頻率低于高頻信號(hào)線路中所傳輸?shù)母哳l信號(hào)的頻率，則高頻信號(hào)線路中會(huì)產(chǎn)生頻率較低的無用輻射。
[0066]因此，高頻信號(hào)線路10中，配置有未設(shè)置接地導(dǎo)體24的區(qū)域Al和設(shè)置有接地導(dǎo)體24的區(qū)域A2。由此，如圖8所示，區(qū)域Al中信號(hào)線20的特性阻抗高于區(qū)域A2中信號(hào)線20的特性阻抗。由此，信號(hào)線20的特性阻抗周期性地發(fā)生增減。因此，特性阻抗變高的區(qū)域Al成為駐波的波節(jié)。由此，信號(hào)線20所能產(chǎn)生的駐波的波長(zhǎng)為相鄰區(qū)域Al間距離的兩倍。其結(jié)果是，信號(hào)線20上所能產(chǎn)生的駐波的頻率變得較高。因此，通過將信號(hào)線20的區(qū)域Al之間的間隔設(shè)置得足夠短，能夠使信號(hào)線20上所能產(chǎn)生的駐波的頻率高于高頻信號(hào)線路10所傳輸?shù)母哳l信號(hào)的頻率。由此，即使在高頻信號(hào)線路10中傳輸高頻信號(hào)，也能抑制高頻信號(hào)線路10產(chǎn)生無用輻射。另外，為了有效地抑制高頻信號(hào)線路10產(chǎn)生無用輻射，優(yōu)選信號(hào)線20的區(qū)域Al (B卩，接地導(dǎo)體24)之間的間隔比高頻信號(hào)線路10所傳輸?shù)母哳l信號(hào)的波長(zhǎng)要短。
[0067]此外，區(qū)域A2中，信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24相對(duì)，因此在它們之間形成電容。由此，區(qū)域A2中信號(hào)線20的特性阻抗低于區(qū)域Al中信號(hào)線20的特性阻抗。其中，為了防止區(qū)域A2中的信號(hào)線20的特性阻抗過小，使A2中信號(hào)線20的線寬Wb變得比區(qū)域Al中信號(hào)線20的線寬Wa要小。由此，在區(qū)域Al與區(qū)域A2的邊界上抑制了高頻信號(hào)的反射。
[0068](變形例I)
下面，參照附圖，對(duì)變形例I所涉及的高頻信號(hào)線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖9是變形例I所涉及的高頻信號(hào)線路IOa的電介質(zhì)主體12的分解圖。
[0069]高頻信號(hào)線路10與高頻信號(hào)線路IOa的不同點(diǎn)在于過孔導(dǎo)體BI~B6的配置。更詳細(xì)而言，高頻信號(hào)線路10中，所有的接地導(dǎo)體24通過過孔導(dǎo)體BI~B3以及過孔導(dǎo)體B4~B6與接地導(dǎo)體22相連接。另一方面，高頻信號(hào)線路IOa中，通過過孔導(dǎo)體BI~B3與接地導(dǎo)體22相連接的接地導(dǎo)體24、和通過過孔導(dǎo)體B4~B6與接地導(dǎo)體24相連接的接地導(dǎo)體24被配置成在X軸方向上交替排列。
[0070]如上所述那樣構(gòu)成的高頻信號(hào)線路IOa與高頻信號(hào)線路10相同，容易彎曲使用。此外，在高頻信號(hào)線路IOa中，與高頻信號(hào)線路10相同，抑制了信號(hào)線20的特性阻抗從規(guī)定的特性阻抗偏離。另外，在高頻信號(hào)線路IOa中，與高頻信號(hào)線路10相同，抑制了無用輻射的產(chǎn)生。
[0071]此外，在聞?lì)l/[目號(hào)線路IOa中，基于以下理由，能夠?qū)崿F(xiàn)聞?lì)l/[目號(hào)線路IOa的薄型化，或者，實(shí)現(xiàn)高頻損耗的降低。圖10 Ca)是高頻信號(hào)線路10的接地導(dǎo)體24的等效電路圖，圖10 (b)是聞?lì)l/[目號(hào)線路IOa的接地導(dǎo)體24的等效電路圖。
[0072]在高頻信號(hào)線路10中，若信號(hào)線20中流過高頻信號(hào)，則如圖2所示，接地導(dǎo)體24由于電磁感應(yīng)而流過電流il、i2。電流il，?2從接地導(dǎo)體24的y軸方向的中央開始向相反的方向流動(dòng)。這里，高頻信號(hào)線路10的接地導(dǎo)體24具有如圖10 (a)所示的電路結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體24的y軸方向的正方向側(cè)的一半形成電感分量LI I，接地導(dǎo)體24的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的一辦形`成電感分量L12。此外，在信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24之間形成有電容分量C10。如圖2所示，若電流il流過電感分量L11，電流i2流過電感分量L12，則由于電流i I的方向與電流i2的方向相反，因此電感分量LI I所產(chǎn)生的磁場(chǎng)與電感分量L12所產(chǎn)生的磁場(chǎng)彼此抵消。其結(jié)果是，在圖10 (a)所示的等效電路圖中，視為不存在電感分量L11、L12。其結(jié)果是，區(qū)域A2中信號(hào)線20的特性阻抗主要由電容分量ClO決定，變得比規(guī)定的特性阻抗要低。由此，為了使信號(hào)線20的特性阻抗接近規(guī)定的特性阻抗，需要增大信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24之間的距離，或者使信號(hào)線20的線寬變細(xì)。
[0073]另一方面，高頻信號(hào)線路IOa中，接地導(dǎo)體24僅連接過孔導(dǎo)體BI~B3或者過孔導(dǎo)體B4~B6的某一方。因此，如圖9所示，接地導(dǎo)體24中僅產(chǎn)生向y軸方向的正方向側(cè)或者I軸方向的負(fù)方向側(cè)的某一方流動(dòng)的電流i3。這里，高頻信號(hào)線路IOa的接地導(dǎo)體24具有如圖10 (b)所示的電路結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體24形成電感分量L13。此外，在信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24之間形成有電容分量C10。因此，即使電感分量L13中流過電流i3，也不會(huì)抵消電感分量L13所產(chǎn)生的磁場(chǎng)。其結(jié)果是，在圖10 (b)所示的等效電路圖中，不會(huì)視為不存在電感分量L13。其結(jié)果是，區(qū)域A2中信號(hào)線20的特性阻抗主要由電感分量L13決定，變得比規(guī)定特性阻抗要高。由此，為了使信號(hào)線20的特性阻抗接近規(guī)定的特性阻抗，縮小信號(hào)線20與接地導(dǎo)體24之間的距離，或者使信號(hào)線20的線寬變粗即可。由此，能實(shí)現(xiàn)高頻信號(hào)線路IOa的薄型化，或者實(shí)現(xiàn)降低高頻損耗。
[0074](變形例2) 下面，參照附圖，對(duì)變形例2所涉及的高頻信號(hào)線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖11是變形例2所涉及的高頻信號(hào)線路IOb的電介質(zhì)主體12的分解圖。
[0075]高頻信號(hào)線路10與高頻信號(hào)線路IOb的不同點(diǎn)在于接地導(dǎo)體22上設(shè)有開口 50。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體22上設(shè)有沿X軸方向等間隔排列的矩形的多個(gè)開口 50。從ζ軸方向俯視時(shí)，開口 50與區(qū)域A2中的信號(hào)線20重疊。
[0076]在高頻信號(hào)線路10中，信號(hào)線20在區(qū)域A2中與接地導(dǎo)體22、24均相對(duì)，從而與區(qū)域Al相比特性阻抗較小。因此，根據(jù)高頻信號(hào)線路10b，通過在接地導(dǎo)體22上設(shè)置開口50，從而能抑制與區(qū)域Al相比、特性阻抗變得過低。因而，能抑制信號(hào)線20的特性阻抗在區(qū)域Al和區(qū)域A2的邊界處急劇變動(dòng)。
[0077]另外，高頻信號(hào)線路IOb與高頻信號(hào)線路IOa相同，通過過孔導(dǎo)體BI?B3與接地導(dǎo)體22相連接的接地導(dǎo)體24、和通過過孔導(dǎo)體B4?B6與接地導(dǎo)體24相連接的接地導(dǎo)體24可以配置成在X軸方向上交替排列。
[0078](變形例3)
下面，參照附圖，對(duì)變形例3所涉及的高頻信號(hào)線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖12是變形例2所涉及的高頻信號(hào)線路IOc的電介質(zhì)主體12的分解圖。
[0079]高頻信號(hào)線路10與高頻信號(hào)線路IOc的不同點(diǎn)在于，接地導(dǎo)體24對(duì)于y軸方向傾斜。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體24以朝X軸方向的正方向側(cè)延伸的同時(shí)也朝y軸方向的正方向側(cè)延伸的方式、對(duì)于y軸方向傾斜。由此，區(qū)域A2中，信號(hào)線20和接地導(dǎo)體24的距離隨著靠近區(qū)域A2的X軸方向的中央，逐漸減少。因此，區(qū)域A2中，信號(hào)線20和接地導(dǎo)體24之間所形成的電容緩慢變動(dòng)。其結(jié)果是，抑制了信號(hào)線20的特性阻抗發(fā)生急劇的變動(dòng)。
[0080]另外，高頻信號(hào)線路IOc與高頻信號(hào)線路IOa相同，通過過孔導(dǎo)體BI?B3與接地導(dǎo)體22相連接的接地導(dǎo)體24、和通過過孔導(dǎo)體B4?B6與接地導(dǎo)體24相連接的接地導(dǎo)體24可以配置成在X軸方向上交替排列。
[0081](變形例4)
下面，參照附圖，對(duì)變形例4所涉及的高頻信號(hào)線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖13是變形例4所涉及的高頻信號(hào)線路IOd的電介質(zhì)主體12的分解圖。
[0082]高頻信號(hào)線路IOd與高頻信號(hào)線路IOc之間的不同點(diǎn)在于接地導(dǎo)體24的傾斜方向。更詳細(xì)而言，高頻信號(hào)線路IOd中，以朝X軸方向的正方向側(cè)延伸的同時(shí)也朝y軸方向的正方向側(cè)延伸的方式對(duì)于I軸方向傾斜的接地導(dǎo)體24、和以朝X軸方向的正方向側(cè)延伸的同時(shí)也朝I軸方向的負(fù)方向側(cè)延伸的方式對(duì)于I軸方向傾斜的接地導(dǎo)體24交替排列。
[0083]另外，高頻信號(hào)線路IOd與高頻信號(hào)線路IOa相同，通過過孔導(dǎo)體BI?B3與接地導(dǎo)體22相連接的接地導(dǎo)體24、和通過過孔導(dǎo)體B4?B6與接地導(dǎo)體24相連接的接地導(dǎo)體24可以配置成在X軸方向上交替排列。
[0084]此外，以朝X軸方向的正方向側(cè)延伸的同時(shí)也朝y軸方向的正方向側(cè)延伸的方式對(duì)于y軸方向傾斜的接地導(dǎo)體24、和以朝X軸方向的正方向側(cè)延伸的同時(shí)也朝y軸方向的負(fù)方向側(cè)延伸的方式對(duì)于y軸方向傾斜的接地導(dǎo)體24也可以不必交替配置。但是，若考慮接地電位的平衡，則優(yōu)選像高頻信號(hào)線路IOd那樣交替配置。
[0085](變形例5)
下面，參照附圖，對(duì)變形例5所涉及的高頻信號(hào)線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖14是變形例5所涉及的高頻信號(hào)線路IOe的電介質(zhì)主體12的分解圖。
[0086]高頻信號(hào)線路10與高頻信號(hào)線路IOe的不同點(diǎn)在于設(shè)置了接地導(dǎo)體26、28以代替接地導(dǎo)體22。更詳細(xì)而言，高頻信號(hào)線路IOe還包括接地導(dǎo)體26、28、端子部29b、29c以及過孔導(dǎo)體B11、B14。
[0087]接地導(dǎo)體26、28設(shè)置在電介質(zhì)主體12的電介質(zhì)片材18a的表面，沿信號(hào)線20向x軸方向延伸。接地導(dǎo)體26被設(shè)置在從z軸方向俯視時(shí)、y軸方向的正方向側(cè)(即，與信號(hào)線20延伸的方向正交的正交方向的一側(cè))。此外，接地導(dǎo)體28被設(shè)置在從z軸方向俯視時(shí)、y軸方向的負(fù)方向側(cè)(即，與信號(hào)線20延伸的方向正交的正交方向的另一側(cè))。由此，信號(hào)線20以及接地導(dǎo)體26、28呈共面結(jié)構(gòu)。
[0088]多個(gè)過孔導(dǎo)體Bll沿z軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a的線路部18a_a，在線路部18a_a上等間隔地排成一列。從z軸方向俯視時(shí)，過孔導(dǎo)體Bll較信號(hào)線20設(shè)置在更靠近I軸方向的正方向側(cè)。過孔導(dǎo)體Bll與接地導(dǎo)體26和接地導(dǎo)體24的y軸方向的正方向側(cè)的端部相連接。
[0089]多個(gè)過孔導(dǎo)體B14沿z軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a的線路部18a_a，在線路部18a-a上等間隔地排成一列。從z軸方向俯視時(shí)，過孔導(dǎo)體B14較信號(hào)線20設(shè)置在更靠近I軸方向的負(fù)方向側(cè)。過孔導(dǎo)體B14與接地導(dǎo)體28和接地導(dǎo)體24的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部相連接。
[0090]此外，端子部29b與接地導(dǎo)體26、28的x軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部相連接，具有與圖2的端子部22b相同的結(jié)構(gòu)。端子部29c與接地導(dǎo)體26、28的x軸方向的正方向側(cè)的端部相連接，具有與圖2的端子部22c相同的結(jié)構(gòu)。
[0091]如上所述那樣構(gòu)成的高頻信號(hào)線路IOe與高頻信號(hào)線路10相同，容易彎曲使用。此外，在高頻信號(hào)線路IOe中，與高頻信號(hào)線路10相同，抑制了信號(hào)線20的特性阻抗從規(guī)定的特性阻抗偏離。在高頻信號(hào)線路IOe中，與高頻信號(hào)線路10相同，抑制了無用輻射的產(chǎn)生。
[0092]此外，在聞?lì)l/[目號(hào)線路IOe中，基于以下理由，容易彎曲使用。更詳細(xì)而目，聞?lì)l/[目號(hào)線路被彎曲時(shí)，設(shè)置在z軸方向上遠(yuǎn)離信號(hào)線的位置處的接地導(dǎo)體受到拉伸應(yīng)力或者壓縮應(yīng)力。因此，阻礙了高頻信號(hào)線路被彎曲。
[0093]因此，高頻信號(hào)線路IOe中，阻礙高頻信號(hào)線路IOe被彎曲的接地導(dǎo)體設(shè)置于信號(hào)線20的z軸方向的正方向側(cè)。取而代之，設(shè)置有信號(hào)線20的電介質(zhì)片材18a上設(shè)有接地導(dǎo)體26、28。其中，設(shè)置有信號(hào)線20的電介質(zhì)片材18a上所設(shè)置的接地導(dǎo)體26、28不會(huì)受到較大的拉伸應(yīng)力或者壓縮應(yīng)力。因而，接地導(dǎo)體26、28不會(huì)較大地阻礙高頻信號(hào)線路IOe被彎曲。因此，高頻信號(hào)線路IOe容易彎曲使用。
[0094](變形例6)
下面，參照附圖，對(duì)變形例6所涉及的高頻信號(hào)線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖15是變形例6所涉及的高頻信號(hào)線路IOf的電介質(zhì)主體12的分解圖。
[0095]高頻信號(hào)線路IOe與高頻信號(hào)線路IOf的不同點(diǎn)在于還設(shè)有接地導(dǎo)體25。更詳細(xì)而言，高頻信號(hào)線路IOf還包括電介質(zhì)片材18e、接地導(dǎo)體25、以及過孔導(dǎo)體B12、B15。
[0096]電介質(zhì)片材18e層疊在電介質(zhì)片材18a的表面上。接地導(dǎo)體25具有與接地導(dǎo)體24相同的形狀，以從z軸方向俯視時(shí)相一致的狀態(tài)重疊。[0097]過孔導(dǎo)體B12沿z軸方向貫穿電介質(zhì)片材18e的線路部18e_a，在線路部18e_a上等間隔地排列成一列。從z軸方向俯視時(shí)，過孔導(dǎo)體B12較信號(hào)線20設(shè)置在更靠近y軸方向的正方向側(cè)。過孔導(dǎo)體B12將接地導(dǎo)體26和接地導(dǎo)體25的y軸方向的正方向側(cè)的端部相連接。
[0098]過孔導(dǎo)體B15沿z軸方向貫穿電介質(zhì)片材18e的線路部18e_a，在線路部18e_a上等間隔地排列成一列。從z軸方向俯視時(shí)，過孔導(dǎo)體B15較信號(hào)線20設(shè)置在更靠近y軸方向的負(fù)方向側(cè)。過孔導(dǎo)體B15將接地導(dǎo)體28和接地導(dǎo)體25的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部相連接。
[0099]如上所述那樣構(gòu)成的高頻信號(hào)線路IOf與高頻信號(hào)線路10相同，容易彎曲使用。此外，在高頻信號(hào)線路IOf中，與高頻信號(hào)線路10相同，抑制了信號(hào)線20的特性阻抗從規(guī)定的特性阻抗偏離。另外，在高頻信號(hào)線路IOf中，與高頻信號(hào)線路10相同，抑制了無用輻射的產(chǎn)生。
[0100](變形例7)
下面，參照附圖，對(duì)變形例7所涉及的高頻信號(hào)線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖16是變形例7所涉及的高頻信號(hào)線路IOg的電介質(zhì)主體12的分解圖。
[0101]信號(hào)線路IOg中，信號(hào)線20在區(qū)域Al的X軸方向的兩端呈喇叭形。因此，信號(hào)線20的線寬緩慢變動(dòng)。此外，在信號(hào)線20與接地導(dǎo)體26之間形成有均等的間隙。因此，接地導(dǎo)體26在與信號(hào)線20相對(duì)的部分中，呈現(xiàn)為效仿信號(hào)線20形狀的形狀。
[0102]在如上所述構(gòu)成的高頻信號(hào)線路IOg中，信號(hào)線20的線寬緩慢變動(dòng)，因此信號(hào)線20的特性阻抗的變動(dòng)較緩慢。此外，信號(hào)線20和接地導(dǎo)體26之間形成的間隙均勻，因此抑制了信號(hào)線20和接地導(dǎo)體26之間形成的電容由于信號(hào)線20的位置而發(fā)生變動(dòng)。其結(jié)果是，抑制了信號(hào)線20的特性阻抗的變動(dòng)。
[0103](其它實(shí)施方式)
本發(fā)明所涉及的高頻信號(hào)線路不限于上述實(shí)施方式所涉及的高頻信號(hào)線路10、10a?IOg，能在其發(fā)明思想的范圍內(nèi)進(jìn)行變更。
[0104]另外，也可將聞?lì)l/[目號(hào)線路10、IOa?IOg所不的結(jié)構(gòu)進(jìn)行組合。
[0105]另外，聞?lì)l/[目號(hào)線路10、10a?IOg可用作天線如端I旲塊等RF電路基板中的聞?lì)l信號(hào)線路。
工業(yè)上的實(shí)用性
[0106]如上所述，本發(fā)明適用于高頻信號(hào)線路以及電子設(shè)備，尤其在能彎曲使用這一點(diǎn)上較為優(yōu)異。
標(biāo)號(hào)說明
[0107]A1、A2 區(qū)域
BI ?B6、B11、B12、B14、B15 過孔導(dǎo)體
10、IOa?IOg高頻信號(hào)線路 12電介質(zhì)主體 18a?18e電介質(zhì)片材 20信號(hào)線
22、24、25、26、28 接地導(dǎo)體
【權(quán)利要求】
1.一種高頻信號(hào)線路，其特征在于，包括: 主體,該主體由具有可撓性的多個(gè)絕緣體層層疊而成； 信號(hào)線，該信號(hào)線設(shè)置于所述主體且為線狀； 第一接地導(dǎo)體，該第一接地導(dǎo)體設(shè)置于所述主體，且沿所述信號(hào)線延伸； 多個(gè)第二接地導(dǎo)體，該多個(gè)第二接地導(dǎo)體是設(shè)置于所述主體，且在比所述信號(hào)線更靠近層疊方向的一側(cè)，沿該信號(hào)線延伸的方向以規(guī)定間隔排列的多個(gè)接地導(dǎo)體，且隔著所述絕緣體層與該信號(hào)線相對(duì)；以及 多個(gè)第一過孔導(dǎo)體，該多個(gè)第一過孔導(dǎo)體是貫通所述絕緣體層的多個(gè)過孔導(dǎo)體，且連接所述第一接地導(dǎo)體和所述多個(gè)第二接地導(dǎo)體。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻信號(hào)線路，其特征在于， 所述第一接地導(dǎo)體設(shè)置于比所述信號(hào)線更靠近層疊方向的另一側(cè)，并且隔著所述絕緣體層與該信號(hào)線相對(duì)。
3.如權(quán)利要求2所述的高頻信號(hào)線路，其特征在于， 所述高頻信號(hào)線路還包括: 多個(gè)第二過孔導(dǎo)體，該多個(gè)第二過孔導(dǎo)體貫穿所述絕緣體層，且將所述第一接地導(dǎo)體和所述多個(gè)第二接地導(dǎo)體相連接， 從層疊方向俯視時(shí)，所述第一過孔導(dǎo)體設(shè)置于較所述信號(hào)線更靠近與該信號(hào)線延伸的方向正交的正交方向的一側(cè)， 從層疊方向俯視時(shí)，所述第二過孔導(dǎo)體設(shè)置于所述正交方向的另一側(cè)。
4.如權(quán)利要求3所述的高頻信號(hào)線路，其特征在于， 所述各個(gè)第二接地導(dǎo)體通過所述第一過孔導(dǎo)體以及所述第二過孔導(dǎo)體與所述第一接地導(dǎo)體相連接。
5.如權(quán)利要求1所述的高頻信號(hào)線路，其特征在于， 所述高頻信號(hào)線路還包括: 第三接地導(dǎo)體，該第三接地導(dǎo)體設(shè)置于所述主體，且沿所述信號(hào)線延伸； 多個(gè)第二過孔導(dǎo)體，該多個(gè)第二過孔導(dǎo)體貫穿所述絕緣體層，且將所述第三接地導(dǎo)體和所述多個(gè)第二接地導(dǎo)體相連接， 從層疊方向俯視時(shí)，所述第一過孔導(dǎo)體設(shè)置于較所述信號(hào)線更靠近與該信號(hào)線延伸的方向正交的正交方向的一側(cè)， 從層疊方向俯視時(shí)，所述第二過孔導(dǎo)體設(shè)置于所述正交方向的另一側(cè)， 從層疊方向俯視時(shí)，所述第一接地導(dǎo)體設(shè)置于較所述信號(hào)線更靠近與該信號(hào)線延伸的方向正交的正交方向的一側(cè)， 從層疊方向俯視時(shí)，所述第三接地導(dǎo)體設(shè)置于所述正交方向的另一側(cè)。
6.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的高頻信號(hào)線路，其特征在于， 所述信號(hào)線與所述第二接地導(dǎo)體不重疊的區(qū)域中的該信號(hào)線的線寬比該信號(hào)線與該第二接地導(dǎo)體重疊區(qū)域中的該信號(hào)線的線寬要寬。
7.如權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)所述的高頻信號(hào)線路，其特征在于， 所述多個(gè)第二接地導(dǎo)體等間隔地排列。
8.如權(quán)利要求1至7的任一項(xiàng)所述的高頻信號(hào)線路，其特征在于，所述多個(gè)第二接地導(dǎo)體的間隔在所述信號(hào)線所傳輸?shù)母哳l信號(hào)的波長(zhǎng)的一半以下。
9.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括: 殼體；以及 收納于所述殼體中的高頻信號(hào)線路， 所述高頻信號(hào)線路包括: 主體,該主體由具有可撓性的多個(gè)絕緣體層層疊而成； 信號(hào)線，該信號(hào)線設(shè)置于所述主體且為線狀； 第一接地導(dǎo)體，該第一接地導(dǎo)體設(shè)置于所述主體，且沿所述信號(hào)線延伸； 多個(gè)第二接地導(dǎo)體，該多個(gè)第二接地導(dǎo)體是設(shè)置于所述主體，且在比所述信號(hào)線更靠近層疊方向的一側(cè)，沿該信號(hào)線延伸的方向以規(guī)定間隔排列的多個(gè)接地導(dǎo)體，且隔著所述絕緣體層與該信號(hào)線相對(duì)；以及 多個(gè)第一過孔導(dǎo)體，該多個(gè)第一過孔導(dǎo)體是貫通所述絕緣體層的多個(gè)過孔導(dǎo)體，且連接所述第一接地導(dǎo)體和所述多個(gè)第二接地導(dǎo)體。
【文檔編號(hào)】H05K1/02GK103733741SQ201280038422
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月29日
【發(fā)明者】多胡茂, 加藤登 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所