專利名稱：一種拉制大直徑半導(dǎo)體級單晶硅棒所用的導(dǎo)流筒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種拉制大直徑半導(dǎo)體級單晶硅棒使用的導(dǎo)流筒。其在原有設(shè)備熱場以及相機(jī)檢測系統(tǒng)不改變的前提下，可以有效保證系統(tǒng)自動(dòng)拉制12英寸大直徑半導(dǎo)體單晶。
二背景技術(shù)：
單晶硅作為一種半導(dǎo)體材料，不僅能用來做太陽能電池片，而且可以用于集成電路和電子元器件的生產(chǎn)。近年來，隨著市場的生產(chǎn)需要，大直徑單晶硅片的需求量越來越大。目前單晶硅的生產(chǎn)方式主要有兩種，一種是直拉法(CZ)，一種是區(qū)熔法(FZ)，而直拉法是目前最廣泛的生長單晶硅的方法。在直拉法拉晶過程中，固態(tài)晶體與熔液的交界處會(huì)形成一個(gè)明亮的光環(huán)，亮度很高，稱為光圈，它其實(shí)是固液交界面處的彎月面對坩堝壁亮光的反射。當(dāng)晶體變粗時(shí)，光圈直徑變大，反之則變小。通過對光圈直徑變化的檢測，可以反映出單晶直徑的變化情況。自動(dòng)直徑檢測就是基于這個(gè)原理發(fā)展起來的，通過專用的工業(yè)鏡頭完成對晶棒生長直徑的控制。三、實(shí)用新型的內(nèi)容本實(shí)用新型是針對目前采用的PVA Tepla EKZ3500單晶爐導(dǎo)流筒只能拉制最大8英寸單晶的不足，提供一種拉制大直徑半導(dǎo)體級單晶硅棒所用的導(dǎo)流筒，通過對相機(jī)系統(tǒng)位置的調(diào)整，生長大直徑半導(dǎo)體級單晶硅。其設(shè)計(jì)方法合理，方法步驟簡單，實(shí)現(xiàn)方便易于掌握，使用效果好。本實(shí)用新型的目的是這樣來實(shí)現(xiàn)的一種拉制大直徑半導(dǎo)體級單晶硅棒使用的導(dǎo)流筒，它包括內(nèi)導(dǎo)流筒、外導(dǎo)流筒和導(dǎo)流筒支撐環(huán)構(gòu)成，在內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒的底部以中心軸線均分的四個(gè)方向上各有一突出和凹進(jìn)去的卡口，內(nèi)導(dǎo)流筒上部以75°夾角彎向?qū)Я魍仓行妮S線，內(nèi)導(dǎo)流筒、外導(dǎo)流筒最下端彎向?qū)Я魍仓行妮S線，導(dǎo)流筒裝置固定在導(dǎo)流筒支撐環(huán)上。所述的導(dǎo)流筒內(nèi)部填充有兩層石墨保溫碳?xì)?。本?shí)用新型在原有設(shè)備熱場以及相機(jī)檢測系統(tǒng)不改變的前提下，設(shè)計(jì)一種新型導(dǎo)流筒，可以有效保證系統(tǒng)自動(dòng)拉制12英寸大直徑半導(dǎo)體單晶。本實(shí)用新型內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒卡口旋轉(zhuǎn)方式連接，使組合的導(dǎo)流筒無縫密閉使用，內(nèi)倒流筒保持一定的內(nèi)部設(shè)計(jì)形狀，內(nèi)部填充兩層石墨碳?xì)?，可以有效保護(hù)氬氣的流速以及晶棒的保溫。本實(shí)用新型相比現(xiàn)有技術(shù)，有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)1、設(shè)計(jì)合理投入成本低且實(shí)現(xiàn)方便；
2、采用內(nèi)外導(dǎo)流筒卡口旋轉(zhuǎn)的方式可以有效降低導(dǎo)流筒設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，并有效保證了導(dǎo)流筒的保溫效果；3、內(nèi)部設(shè)計(jì)的一體形狀，可以有效保證氬氣的流速，不會(huì)造成晶棒的晃動(dòng)。
四
附圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖2為附圖I的內(nèi)導(dǎo)流筒圖。[0011]附圖3為附圖I的外導(dǎo)流筒圖。
五具體實(shí)施方式
參照附圖，本實(shí)用新型一種拉制大直徑半導(dǎo)體級單晶硅棒所用的導(dǎo)流筒，它包括內(nèi)導(dǎo)流筒I、外導(dǎo)流筒2和導(dǎo)流筒支撐環(huán)3構(gòu)成，在內(nèi)導(dǎo)流筒I和外導(dǎo)流筒2的底部以中心軸線均分的四個(gè)方向上各有一突出和凹進(jìn)去的卡口 4，連接方式采用放入卡口旋轉(zhuǎn)從而卡緊導(dǎo)流筒，使組合的導(dǎo)流筒無縫密閉使用；內(nèi)導(dǎo)流筒I上部以75°夾角彎向?qū)Я魍仓行妮S線，這樣可以有效保證相機(jī)視野的最大化和保溫效果的完美平衡。內(nèi)導(dǎo)流筒I、外導(dǎo)流筒2最下端彎向?qū)Я魍仓行妮S線，可以保證氬氣的吹掃范圍和吹掃流速，能有效保證拉晶時(shí)的溫度梯度。導(dǎo)流筒內(nèi)部填充兩層石墨保溫碳?xì)郑梢杂行П３掷r(shí)晶棒的保溫，防止晶棒微缺陷的形成，有效保證半導(dǎo)體單晶棒的內(nèi)在品質(zhì)。所述裝置為組合后導(dǎo)流筒，其導(dǎo)流筒裝置固定在導(dǎo)流筒支撐環(huán)3上。
權(quán)利要求1.一種拉制大直徑半導(dǎo)體級單晶硅棒所用的導(dǎo)流筒，它包括內(nèi)導(dǎo)流筒(I)、外導(dǎo)流筒(2)和導(dǎo)流筒支撐環(huán)(3)構(gòu)成，其特征在于在內(nèi)導(dǎo)流筒(I)和外導(dǎo)流筒(2)的底部以中心軸線均分的四個(gè)方向上各有一突出和凹進(jìn)去的卡口(4)，內(nèi)導(dǎo)流筒(I)上部以75°夾角彎向?qū)Я魍仓行妮S線，內(nèi)導(dǎo)流筒(I)、外導(dǎo)流筒(2)最下端彎向?qū)Я魍仓行妮S線，導(dǎo)流筒裝置固定在導(dǎo)流筒支撐環(huán)(3)上。
2.如權(quán)利要求I所述的一種拉制大直徑半導(dǎo)體級單晶硅棒所用的導(dǎo)流筒，其特征在于所述的導(dǎo)流筒內(nèi)部填充有兩層石墨保溫碳?xì)帧?br>
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種拉制大直徑半導(dǎo)體級單晶硅棒使用的導(dǎo)流筒。它包括內(nèi)導(dǎo)流筒、外導(dǎo)流筒和導(dǎo)流筒支撐環(huán)構(gòu)成，在內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒的底部以中心軸線均分的四個(gè)方向上各有一突出和凹進(jìn)去的卡口，內(nèi)導(dǎo)流筒上部以75°夾角彎向?qū)Я魍仓行妮S線，內(nèi)導(dǎo)流筒、外導(dǎo)流筒最下端彎向?qū)Я魍仓行妮S線，導(dǎo)流筒裝置固定在導(dǎo)流筒支撐環(huán)上；所述的導(dǎo)流筒內(nèi)部填充有兩層石墨保溫碳?xì)?。本?shí)用新型在原有設(shè)備熱場以及相機(jī)檢測系統(tǒng)不改變的前提下，設(shè)計(jì)一種新型導(dǎo)流筒，可以有效保證系統(tǒng)自動(dòng)拉制12英寸大直徑半導(dǎo)體單晶。本實(shí)用新型內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒卡口旋轉(zhuǎn)方式連接，使組合的導(dǎo)流筒無縫密閉使用，內(nèi)倒流筒保持一定的內(nèi)部設(shè)計(jì)形狀，內(nèi)部填充兩層石墨碳?xì)?，可以有效保護(hù)氬氣的流速以及晶棒的保溫。
文檔編號C30B15/00GK202717873SQ201220310518
公開日2013年2月6日 申請日期2012年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月20日
發(fā)明者趙渭濱, 路偉, 劉松林, 王真, 甘小莎, 童林劍, 劉冬 申請人:陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司