專利名稱：太陽能8寸單晶硅棒生長速度調(diào)節(jié)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及單晶硅制備設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及ー種太陽能8寸單晶硅棒生長速度調(diào)節(jié)裝置。
背景技術(shù)：
太陽能8寸單晶硅棒生長多在熱場坩堝內(nèi)進(jìn)行。其中，單晶硅生長速度的即時(shí)控制極為重要。為此，熱場坩堝的ロ部多通有氬氣，該氬氣能夠促使晶液表面的潔凈，并冷卻其溫度，從而形成適當(dāng)?shù)臏囟忍荻龋M(jìn)而較好的調(diào)節(jié)單晶硅棒的生長速度。但是，氬氣流的走向較為分散，使其對單晶硅棒拉晶的調(diào)節(jié)能力無法充分體現(xiàn)。因此有必要予以改迸
實(shí)用新型內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種太陽能8寸單晶硅棒生長速度調(diào)節(jié)裝置，它具有能夠調(diào)節(jié)氬氣流的走向，從而能夠較好的調(diào)節(jié)熱場坩堝中的單晶娃棒的拉晶質(zhì)量的特點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是太陽能8寸單晶硅棒生長速度調(diào)節(jié)裝置，安裝于熱場坩堝上，所述熱場坩堝的開口上部設(shè)有熱屏。所述熱屏為碳碳復(fù)合材料熱屏。所述熱場坩堝的外部包設(shè)有碳?xì)帧２捎蒙鲜鼋Y(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型和現(xiàn)有技術(shù)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)是1、能夠調(diào)節(jié)氬氣流的走向，從而能夠較好的調(diào)節(jié)熱場坩堝中的單晶硅棒的拉晶質(zhì)量。本實(shí)用新型的太陽能8寸單晶硅棒生長速度調(diào)節(jié)裝置通過在熱場坩堝的ロ部設(shè)置熱屏，使氬氣流能夠沿?zé)崞恋谋砻孢M(jìn)行流動，從而氬氣和晶液表面進(jìn)行了充分接觸，較好的調(diào)節(jié)了拉晶質(zhì)量。優(yōu)化后，熱屏采用碳碳材料熱屏(CFC)。碳碳材料具有高比強(qiáng)度、高比模量、耐高溫、耐燒蝕、膨脹系數(shù)小、耐急冷急熱而不變形不開裂等優(yōu)良性能，増加了熱屏的使用爐次。同時(shí)使用碳碳材料熱屏増加熱輻射，降低了向晶棒散熱，可以增加徑向溫度梯度，從而提高拉速。2、成品晶棒結(jié)構(gòu)均勻，雜質(zhì)較少。繼續(xù)優(yōu)化后，熱場坩堝的外部設(shè)有碳?xì)?，使坩堝的保溫性更好，有利于降低晶體內(nèi)的熱應(yīng)カ和獲得均勻的溶質(zhì)分凝。同時(shí)可以將硅熔體表面蒸發(fā)出的SiO更快帶走，減少了 SiO在；t甘禍內(nèi)壁面和熱屏外壁面的沉積。
以下結(jié)合附圖
和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)ー步說明圖I是本實(shí)用新型的實(shí)施例的主視剖視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中10、熱場坩堝；20、熱屏；30、碳?xì)帧?br>
具體實(shí)施方式
以下所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不因此而限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。實(shí)施例，見圖I所示太陽能8寸單晶硅棒生長速度調(diào)節(jié)裝置，安裝于熱場坩堝10上。具體的，熱場坩堝10的開口上部設(shè)有熱屏20。所謂熱屏20，指的是熱場坩堝10的開ロ部形成有屏障物，該屏障物能夠阻止氬氣迅速散開，并對氬氣流的路線進(jìn)行引導(dǎo)。熱屏20可以采取石墨材料制備。但是石墨材料熱屏雖然材料易得，但是具有如下缺陷1、急冷急熱而容易變形開裂，可能會導(dǎo)致拉晶過程中悶爐；2、石墨材料耐高溫系數(shù)低使用壽命短，造價(jià)高；3、石墨材料熱屏導(dǎo)熱系數(shù)大，拉晶過程中徑向溫度梯度小，導(dǎo)致提拉速困難。故而，優(yōu)化的，熱屏20采取碳碳復(fù)合材料熱屏。由于碳碳材料具有高比強(qiáng)度、高比模量、耐高溫、耐燒蝕、膨脹系數(shù)小、耐急冷急熱而不變形不開裂等優(yōu)良性能，故而能夠極大程度的發(fā)揮熱屏20的作用。進(jìn)ー步，熱場坩堝10的外部包設(shè)有碳?xì)?0，碳?xì)?0可以采取西格里碳?xì)??！?br>
權(quán)利要求1.太陽能8寸單晶硅棒生長速度調(diào)節(jié)裝置，安裝于熱場坩堝(10)上，其特征在干所述熱場坩堝(10)的開口上部設(shè)有熱屏(20)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能8寸單晶硅棒生長速度調(diào)節(jié)裝置，其特征在于所述熱屏(20)為碳碳復(fù)合材料熱屏。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的太陽能8寸單晶硅棒生長速度調(diào)節(jié)裝置，其特征在于所述熱場坩堝(10)的外部包設(shè)有碳?xì)?30)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種太陽能8寸單晶硅棒生長速度調(diào)節(jié)裝置，安裝于熱場坩堝上，所述熱場坩堝的開口上部設(shè)有熱屏。優(yōu)化的，熱屏為碳碳復(fù)合材料熱屏；熱場坩堝的外部包設(shè)有碳?xì)?。本?shí)用新型所具有的優(yōu)點(diǎn)是能夠調(diào)節(jié)氬氣流的走向，從而能夠較好的調(diào)節(jié)熱場坩堝中的單晶硅棒的拉晶質(zhì)量；成品晶棒結(jié)構(gòu)均勻，雜質(zhì)較少。
文檔編號C30B15/20GK202595335SQ201220204549
公開日2012年12月12日 申請日期2012年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月9日
發(fā)明者唐旭輝, 高彬彬 申請人:江蘇聚能硅業(yè)有限公司