專利名稱：多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路板的制作工藝，特別是一種柔性電路板的制作工藝。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)柔性電路板的工藝方法，四到八層板內(nèi)層線路常用的生產(chǎn)工藝為:內(nèi)層基材一層一層疊加后壓合固化，再制作內(nèi)層線路，這種方法導(dǎo)致內(nèi)層軟板壓合后有膠區(qū)與無(wú)膠區(qū)高低位置明顯，內(nèi)層軟板貼干膜不實(shí)的現(xiàn)象，而且在對(duì)內(nèi)層覆蓋膜進(jìn)行多次壓合后造成軟板漲縮，最終導(dǎo)致產(chǎn)品合格率較低，還由于現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)工藝流程較長(zhǎng)，生產(chǎn)率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，要解決的技術(shù)問(wèn)題是提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品的合格率。本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，包括以下步驟:一、整卷貼干膜，將干膜抗蝕劑貼附在銅基材的銅面上，銅基材由聚酰亞胺膜和覆銅疊合組成，熱壓壓力3-5Kg/cm2，速度0.8-1.5m/min，輥輪溫度110±10°C ；二、制作柔性電路板多層板的內(nèi)層線路板，(I)、分別曝光第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n_2層線路板(Fn-2)、第η-1層線 路板(Fn-1)的貼有干膜的無(wú)膠電解銅基材，其中，η為3_10，曝光能量為 40-70mj/cm2,真空度為 650-720mmHg ；(2)、顯影，將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、...、第n_2層線路板(Fn_2)、第n-1層線路板(Fn-1)放入顯影液中，顯影液為體積濃度0.5-1.5%的NaCO3溶液，顯影液壓力1.0-1.5Kg/cm2,顯影速度 2.0-2.8m/min ；(3)、蝕刻，將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、...、第n_2層線路板(Fn_2)、第n-1層線路板(Fn-1)放入蝕刻溶液中，蝕刻溶液為含有體積濃度28-35 %的HC1、15-25 %的NaClO3，其余為水，控制蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量在120_190g/L，蝕刻液酸度1.0-3.0N，蝕刻液溫度 50±5° C，蝕刻速度1.5-2.5m/min ；(4)、脫膜，將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、...、第n_2層線路板(Fn_2)、第η-1層線路板(Fn-1)放入脫膜液中，脫膜液為NaOH溶液，體積濃度為3-7 %，脫膜溫度50±5° C，脫膜速度為1.5-2.5m/min，脫模液壓力為1.5-2.0Kg/cm2 ；三、制作內(nèi)層線路板層，(I)、第一次微蝕，分別將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n_2層線路板(Fn-2)、第η-1層線路板(Fn-1)，通過(guò)噴淋器噴淋微蝕劑，微蝕劑采用GC-303型銅微蝕劑，控制微蝕劑溶液的Cu2+含量為20-60g/L，微蝕劑溫度20-30° C，微蝕劑噴淋壓力1.0-3.0Kg/cm2,微蝕速度 2.0-2.5m/min ；
(2)、分別在第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、...、第n_2層線路板(Fn_2)、第n-1層線路板(Fn-1)上復(fù)合內(nèi)層覆蓋膜，溫度160-180° C，壓力為10_12MPa，先以較低壓力預(yù)壓5-20s，再以較高壓力實(shí)壓50-120S ；(3)、分別在第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、...、第n_2層線路板(Fn_2)、第η-1層線路板(Fn-1)聚酰亞胺膜第一次貼合內(nèi)層純膠，采用電慰斗加熱到180° C5s ；(4)、壓合內(nèi)層覆蓋膜和內(nèi)層純膠，溫度100-120° C，壓力3-5Kg/cm2，速度2_3m/min ；四、制作內(nèi)層線路板組合層，(I)、分別將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、...、第n_2層線路板(Fn_2)、第n-1層線路板(Fn-1)重疊，用電慰斗在180° C5s，將兩層或三層的聚酰亞胺膜與內(nèi)層純膠粘聯(lián)接；(2)、第一次壓合，將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n_2層線路板(Fn-2)、第η-1層線路板(Fn-1)分別與內(nèi)層覆蓋膜壓合，兩聚酰亞胺膜和內(nèi)層純膠聯(lián)接，在溫度160-180° C下壓合，壓力10-12MPa，先用較小的壓力預(yù)壓5-20s，再用較大的壓力實(shí)壓50-120S ;壓合后第一次固化內(nèi)層覆蓋膜，直接在溫160-180° C下軟化內(nèi)層覆蓋膜，時(shí)間60-120分鐘，自然降溫至室溫，使銅基材與內(nèi)層覆蓋膜聯(lián)接，得到內(nèi)層線路板組合層；五、制作多層柔性電路板內(nèi)層線路，(I)、貼合純膠，將純膠貼在內(nèi)層線路板組合層的第2層線路板(F2)的內(nèi)層覆蓋膜上、第η-1層線路板(Fn-1)的內(nèi)層覆蓋膜上、第2層線路板(F2)與第n_l層線路板(Fn-1)之外兩內(nèi)層線路板組合層的任一內(nèi)層覆蓋膜上，加熱到120° C后壓合，將內(nèi)層覆蓋膜與純膠聯(lián)接；

(2)、貼合外層電路板，將內(nèi)層線路板組合層與內(nèi)層線路板組合層、第I層線路板(Fl)的聚酰亞胺膜貼第2層線路板(F2)的純膠上，將第η層線路板(Fn)的聚酰亞胺膜貼在Fn-1層上的純膠上，在溫度160-180° C下壓合，壓力10_12MPa，先用較小的壓力預(yù)壓5-20s，再用較大的壓力實(shí)壓50-120S ;壓合后第一次固化第I層線路板(Fl)、第η層線路板(Fn)的內(nèi)層覆蓋膜，直接在溫度160-180° C下軟化內(nèi)層覆蓋膜，時(shí)間60-120分鐘；(3)、烘烤，直接在180° C，烘烤120分鐘，自然降溫至室溫，得到多層電路板；(4)在多層電路板上鉆導(dǎo)通孔，孔徑為0.2mm,轉(zhuǎn)速125_130krpm，下鉆速度1.25-1.45m/min,提升速度 13_15m/min ；(5)、在導(dǎo)通孔內(nèi)壁沉積上厚度為I 2 μ m銅；(6)、在多層電路板導(dǎo)通孔內(nèi)壁電鍍銅，導(dǎo)通孔孔壁銅厚度至15 20 μ m ;(7)、在外層電路板貼干膜，熱壓壓力3-5Kg/cm2,速度0.8-L 5m/min,棍輪溫度110±10° C ；(8)對(duì)外層電路板進(jìn)行紫外線曝光，曝光能量為40-70mj/cm2，真空度為650-720mmHg ；(9)、對(duì)外層電路板顯影，顯影液為體積濃度0.5-1.5%的NaCO3溶液，顯影液壓力1.0-1.5Kg/cm2,顯影速度 2.0-2.8m/min ；(10)、對(duì)顯影后的外層電路板蝕刻，蝕刻溶液為含有體積濃度28-35 %的HC1、15-25%的NaClO3，其余為水；控制蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量在120_190g/L，蝕刻液酸度1.0-3.0N，蝕刻液溫度 50±5° C，蝕刻速度1.5-2.5m/min ；(11)、將外層電路板放入脫膜液中，脫膜液為NaOH溶液，體積濃度為3_7%，脫膜溫度50±5° C，脫膜速度為1.5-2.5m/min，脫模液壓力為1.5-2.0Kg/cm2，得到多層柔性電路板板。本發(fā)明的聚酰亞胺膜厚度為12.5 μ m，覆銅厚度為12 μ m。本發(fā)明的方法步驟二蝕刻第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n_2層線路板(Fn-2)、第η-1層線路板(Fn-1)，蝕刻過(guò)程中側(cè)蝕量為不大于0.01mm，控制蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量130g/L，蝕刻液酸度2.0N,蝕刻液溫度50° C ;所述步驟二顯影后用自來(lái)水沖洗，水洗壓力1.5-2.5Kg/cm2 ;所述步驟二脫膜后用自來(lái)水沖洗，脫膜水洗壓力為
1.5-2.5Kg/cm2。本發(fā)明的方法步驟三微蝕后用噴淋器噴淋水沖洗，噴淋水洗壓力1.0-3.0Kg/cm2。本發(fā)明的方法步驟三分別在第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、...、第n_2層線路板(Fn-2)、第η-1層線路板(Fn-1)聚酰亞胺膜第一次貼合內(nèi)層純膠，η為奇數(shù)多層板，按兩內(nèi)層線路板的聚酰亞胺面粘接后，再與另一內(nèi)層線路板的內(nèi)層覆蓋膜或聚酰亞胺膜，構(gòu)成一組內(nèi)層線路板組合層，分別在無(wú)膠電解銅電路板內(nèi)層覆蓋膜和聚酰亞胺膜上貼內(nèi)層純膠，溫度 100-120°C，壓力 3-5Kg/cm2，速度 2_3m/min。本發(fā)明的方法步驟四將兩層或三層的聚酰亞胺膜與內(nèi)層純膠粘聯(lián)接在一起前，分別在第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、...、第n-2層線路板(Fn_2)、第n_l層線路板(Fn-1)打孔，氣壓壓力為0 .4MPa，孔徑為2.0mm。本發(fā)明的方法步驟五貼合純膠前，清洗內(nèi)層覆蓋膜，采用的酸性清洗液含C768M酸性清潔劑體積濃度為2-6%，其余為水，溫度38±5°C，速度2.0-2.5m/min，清洗后用自來(lái)水沖洗，沖洗壓力1.0-3.0Kg/cm2。本發(fā)明的方法步驟五在導(dǎo)通孔內(nèi)壁化學(xué)沉積銅，具體步驟為:(1)用PI調(diào)整劑SF-Ol濃度為250-350ml/L和KOH濃度為50_70ml/L混合液清洗外層電路板和導(dǎo)通孔，時(shí)間3 5min，溫度32 36°C ； (2)用斯美特除油液S-Ol濃度為70_100ml/L清潔外層電路板油污和導(dǎo)通孔孔壁雜質(zhì)，時(shí)間4 6min,溫度60 70° C ; (3)用斯美特微蝕液微蝕導(dǎo)通孔孔壁，微蝕液為過(guò)硫酸鈉30-50g/L和硫酸濃度15-25ml/L，時(shí)間30 50S，溫度20 300C ； (4)用預(yù)浸液對(duì)導(dǎo)通孔孔壁預(yù)浸，預(yù)浸液為斯美特預(yù)浸液S-03180g/L和HCL40ml/L，時(shí)間2 3min，溫度25 35°C; (5)對(duì)導(dǎo)通孔孔壁與外層電路板板面活化處理，活化液為斯美特活化液S-03180g/L、HCL40ml/L、斯美特活化液S_0430ml/L，時(shí)間8 lOmin，溫度38 420C ；。(6)加速，用斯美特加速液S-05B150ml/L沖洗，時(shí)間2 3min，溫度25 35°C ；
(7)沉積銅，用沉銅藥水侵泡，時(shí)間20 30min，溫度25 30°C，沉銅藥水為斯美特沉銅液S-68M160ml/L、斯美特沉銅液 S_68A60ml/L、NaoH8_12g/L、HCH04_6g/L。本發(fā)明的方法步驟五在多層電路板導(dǎo)通孔內(nèi)壁電鍍銅，電流1.5 2.0ASD,時(shí)間20 30min，電鍍液成份為:CuS04.5H2060_80g/L，H2S04180_200ml/L，HC150_70ml/L，720A光亮劑 3-5ml/L，720 輔助劑 5-lOml/L。本發(fā)明的方法步驟五顯影后用自來(lái)水沖洗，水洗壓力1.5-2.5Kg/cm2 ;所述步驟五蝕刻過(guò)程中側(cè)蝕量為不大于0.01mm，蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量在130g/L，蝕刻液酸度
2.0N，蝕刻液溫度50°C ;所述步驟五脫膜后用自來(lái)水沖洗，脫膜水洗壓力為1.5-2.5Kg/cm2。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用貼干膜、曝光、顯影、蝕刻、脫膜、微蝕和壓合加工流程，制作成內(nèi)層線路板、內(nèi)層線路板層、內(nèi)層線路板組合層、多層柔性電路板板，避免了內(nèi)層軟板壓合后有膠區(qū)與無(wú)膠區(qū)產(chǎn)生高低落差和內(nèi)層覆蓋膜多次壓合造成的軟板漲縮問(wèn)題，提高了多層柔性電路板的品質(zhì)，合格率達(dá)到92%以上，且縮短了工藝流程，提高了生產(chǎn)率。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的柔性電路板多層板內(nèi)層線路制作工藝流程圖。圖2是本發(fā)明的方法流程圖。圖3是實(shí)施例制作的柔性電路板多層板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的柔性電路板多層板內(nèi)層線路制作方法，要經(jīng)歷以下步驟:內(nèi)層基材下料、第一次鉆孔、貼合內(nèi)層膠膜、轉(zhuǎn)移內(nèi)層膠膜、貼合內(nèi)層基材、第一次壓合、固化內(nèi)層基材、第一次表面處理、貼干膜、對(duì)位曝光、顯影、蝕刻、檢板、表面處理、貼合內(nèi)層覆蓋膜、第二次壓合、第一次固化、第二次表面處理、貼合外層基材、第三次壓合、第二次固化，這樣不僅工藝復(fù)雜，而且造成生產(chǎn)效率低，產(chǎn)品合格率低。如圖2所示，本發(fā)明的多層柔性電路板(多層板)內(nèi)層線路一次成型方法，分別將銅基材依次進(jìn)行貼干膜、曝光、顯影、蝕刻、脫模、微蝕和壓合工藝，制作成內(nèi)層線路板、內(nèi)層線路板層、內(nèi)層線路板組合層、多層柔性電路板板，具體包括以下步驟:一、整卷貼干膜，貼干膜的目的:通過(guò)熱壓方式將干膜抗蝕劑貼附在清潔的銅基材的銅面上。銅基材采用臺(tái)虹科技(昆山)`有限公司公司的SE0503MW單面無(wú)膠電解銅基材，由聚酰亞胺膜和覆銅疊合組成，規(guī)格為:長(zhǎng)200mX寬0.25mX厚度24.5 μ m，其中，聚酰亞胺膜厚度為12.5 μ m，覆銅厚度為12 μ m。用熱壓方式將干膜抗蝕劑貼附在單面無(wú)膠電解銅基材覆銅的銅面上，采用志圣科技(廣州)有限公司的CML-630型貼膜機(jī)，熱壓壓力3-5Kg/cm2，速度0.8-1.5m/min，輥輪溫度110±10° C。干膜抗蝕劑為由保護(hù)膜聚乙烯、光致抗蝕劑膜和載體聚酯薄膜順序疊合組成，采用日本旭化成株式會(huì)社的YQ-40型干膜。二、制作柔性電路板多層板的內(nèi)層線路板1、分別曝光作為第2層線路板F2、第3層線路板F3、…、第n_2層線路板Fn_2、第n-1層線路板Fn-1的貼有干膜的無(wú)膠電解銅基材，其中，η為3_10。曝光的目的:通過(guò)對(duì)貼好干膜的單面無(wú)膠電解銅基材進(jìn)行紫外線曝光，把所需要的電路圖形轉(zhuǎn)移到單面無(wú)膠電解銅基材覆銅的銅面上。在干膜抗蝕劑接受紫外光照射時(shí)，光引劑分解為自由基，激發(fā)單體產(chǎn)生聚合反應(yīng)形成高分子化合物將電路圖形轉(zhuǎn)移到單面無(wú)膠電解銅基材覆銅的銅面上。采用三英光電(深圳)有限公司的5KW曝光機(jī)，曝光能量為40-70mj/cm2，真空度為650-720mmHgo2、顯影F2、F3、…、Fn-2、Fn_l，顯影的目的:將無(wú)膠電解銅基材上未被曝光或感光的油墨和干膜去除，以便露出待蝕刻、電鍍或其它處理的銅面。采用顯影液將無(wú)膠電解銅基材覆銅的銅面上未被曝光的干膜去除，露出需要蝕刻的無(wú)膠電解銅基材覆銅的銅面。采用廣州市巨龍印制板設(shè)備有限公司的顯影機(jī)，將F2、F3、…、Fn-2、Fn-1放入顯影液中，顯影液為體積濃度0.5-1.5%的NaCO3溶液，顯影液壓力1.0-1.5Kg/cm2，顯影速度(F2、F3、…、Fn-2、Fn-1的移動(dòng)速度)2.0-2.8m/min，顯影后用自來(lái)水沖洗，水洗壓力1.5-2.5Kg/cm2。3、蝕刻F2、F3、…、Fn_2、Fn_l，蝕刻的目的，將顯影后的F2、F3、…、Fn_2、Fn-1無(wú)膠電解銅基材覆銅的銅面放入在蝕刻液中溶解，銅面中裸露的銅溶解于蝕刻溶液中，裸露的銅被全部蝕刻掉，其余被干膜覆蓋的銅線路部分被保留，形成無(wú)膠電解銅電路板。采用廣州市巨龍印制板設(shè)備有限公司的蝕刻生產(chǎn)線DES (顯影線或脫膜線)進(jìn)行蝕刻，蝕刻溶液為含有體積濃度28-35%的HCl、15-25%的NaClO3,其余為水?？刂莆g刻過(guò)程中側(cè)蝕量為不大于0.0lmm,控制蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量在120_190g/L，蝕刻液酸度1.0-3.0N,蝕刻液溫度50±5° C，蝕刻速度(F2、F3、…、Fn_2、Fn-1的移動(dòng)速度)1.5-2.5m/min。蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量?jī)?yōu)選130g/L，蝕刻液酸度優(yōu)選2.0N,蝕刻溫度優(yōu)選50°C，蝕刻液采用深圳市煜杰興電子材料有限公司生產(chǎn)的蝕刻液。采用深圳市寶安區(qū)中圖奧斯微光學(xué)儀器商行的DTX-10型百倍線路測(cè)試儀，測(cè)試線路的側(cè)蝕量。4、脫膜F2、F3、…、Fn_2、Fn_l，脫膜的目的，用脫膜液NaOH溶液將無(wú)膠電解銅電路板表面上的其余干膜去除掉 。采用廣州市巨龍印制板設(shè)備有限公司的蝕刻生產(chǎn)線DES生產(chǎn)線進(jìn)行，將蝕刻后的無(wú)膠電解銅電路板放入脫膜液中，將干膜從無(wú)膠電解銅電路板表面去除，得到內(nèi)層線路板F2、F3、...、Fn-2、Fn-l。脫膜液為NaOH溶液，體積濃度為3_7%，脫膜溫度50±5。C，脫膜速度(F2、F3、…、Fn-2, Fn-1的移動(dòng)速度)為1.5-2.5m/min，脫模液壓力為1.5-2.0Kg/cm2，脫膜后用自來(lái)水沖洗，脫膜水洗壓力為1.5-2.5Kg/cm2。目視檢查表面干凈無(wú)干膜屑、雜物則為合格的內(nèi)層線路板F2、F3….、Fn_2、Fn-1。三、制作內(nèi)層線路板層1、第一次微蝕，微蝕內(nèi)層線路板F2和F3，…，F(xiàn)n-2和Fn_l，以下僅以F2、F3為一組來(lái)說(shuō)明。微蝕的目的，用銅微蝕劑將脫膜后的無(wú)膠電解銅電路板銅表面進(jìn)行微蝕，增加銅面粗糙度，以達(dá)到壓合內(nèi)層覆蓋膜時(shí)增強(qiáng)內(nèi)層覆蓋膜與無(wú)膠電解銅電路板銅面的結(jié)合力。分別將蝕刻脫膜后的無(wú)膠電解銅電路板通過(guò)噴淋器噴淋微蝕劑，微蝕劑采用東莞市廣華化工有限公司的GC-303型銅微蝕劑，控制微蝕劑溶液的Cu2+含量為20-60g/L，微蝕劑溫度20-30° C，微蝕劑噴淋壓力1.0-3.0Kg/cm2,微蝕速度2.0-2.5m/min ;微蝕后用噴淋器噴淋水沖洗，噴淋水洗壓力1.0-3.0Kg/cm2。2、分別在F2、F3上復(fù)合內(nèi)層覆蓋膜，復(fù)合內(nèi)層覆蓋膜的目的，用熱壓的方式，將第一次微蝕后的無(wú)膠電解銅電路板的銅線路面與內(nèi)層覆蓋膜連接在一起，達(dá)到保護(hù)內(nèi)層線路板上的線路的目的。內(nèi)層覆蓋膜采用昆山雅森電子材料科技有限公司的AF1CX015X1PM覆蓋膜，規(guī)格:長(zhǎng)200mX寬0.25m,米用珠海市比昂電子設(shè)備有限公司的快壓機(jī)，溫度160-180°C，壓力為10-12MPa，先以較低壓力預(yù)壓5_20s，再以較高壓力實(shí)壓50_120s。3、在F2(或F3)的聚酰亞胺膜(背面)第一次貼合內(nèi)層純膠，內(nèi)層純膠用于兩內(nèi)層線路板層之間的粘貼以形成內(nèi)層線路板組合層。若是四層以上的偶數(shù)多層板，按兩內(nèi)層線路板的聚酰亞胺面粘接構(gòu)成一組內(nèi)層線路板組合層，組合層與組合層連接形成柔性電路板的多層板的排列方式，對(duì)每組組合層中的兩層內(nèi)層線路板中的一層，在其無(wú)膠電解銅基材的聚酰亞胺膜上貼合內(nèi)層純膠。采用電慰斗加熱到180°C 5s，將內(nèi)層純膠與無(wú)膠電解銅電路板的聚酰亞胺膜連接在一起。內(nèi)層純膠采用昆山雅森電子材料科技有限公司的AFEBXX10XLM1 內(nèi)層純膠，規(guī)格:長(zhǎng) 200mX 寬 0.25m。在對(duì)無(wú)膠電解銅基材的聚酰亞胺膜上貼合內(nèi)層純膠時(shí)，對(duì)每組組合層的內(nèi)層線路板，可以任意選擇其中的一層貼合內(nèi)層純膠，以保證兩層之間粘貼為準(zhǔn)。若是三層以上的奇數(shù)多層板，按兩內(nèi)層線路板的聚酰亞胺面粘接后，再將另一內(nèi)層線路板的內(nèi)層覆蓋膜或聚酰亞胺膜貼上，構(gòu)成一組內(nèi)層線路板組合層，分別在無(wú)膠電解銅電路板內(nèi)層覆蓋膜和聚酰亞胺膜上貼內(nèi)層純膠，貼膜機(jī)壓合無(wú)膠電解銅電路板內(nèi)層覆蓋膜和聚酰亞胺膜上貼的內(nèi)層純膠，通過(guò)貼膜機(jī)加溫軟化內(nèi)層覆蓋膜并施加壓力，溫度100-120° C，壓力3-5Kg/cm2，速度2-3m/min。內(nèi)層純膠貼在聚酰亞胺膜和內(nèi)層覆蓋膜上，得到構(gòu)成多層柔性電路板中組合層的內(nèi)層線路板層。4、貼膜機(jī)壓合F2(或F3)層的內(nèi)層覆蓋膜和內(nèi)層純膠、F3 (或F2)層的內(nèi)層覆蓋膜，通過(guò)貼膜機(jī)加溫軟化內(nèi)層覆蓋膜并施加壓力，使內(nèi)層覆蓋膜在無(wú)膠電解銅電路板上緊密貼合，使內(nèi)層純膠在聚酰亞胺膜上緊密貼合。采用深圳冠仕電子科技有限公司的貼膜機(jī)，壓合貼合有內(nèi)層覆蓋膜和內(nèi)層純膠的無(wú)膠電解銅電路板，壓合貼合有內(nèi)層覆蓋膜的無(wú)膠電解銅電路板，溫度100-120° C，壓力3-5Kg/cm2，速度2-3m/min。使內(nèi)層覆蓋膜貼在無(wú)膠電解銅電路板上，內(nèi)層純膠貼在聚酰亞胺膜上，分別得到構(gòu)成柔性電路板的多層板中組合層的內(nèi)層線路板層:F2層、F3層。四、制作內(nèi)層線路板組合層1、分別在F2層、F3層打孔(打靶)，用于F2層、F3層與工裝對(duì)位，以保證內(nèi)層線路板層與層之間的壓合重疊精度。采用寧波得益機(jī)電設(shè)備有限公司的打靶機(jī)，打靶氣壓壓力為0.4MPa,孔徑為2.0mm。2、對(duì)位，利用圓孔對(duì) 位，用工裝將內(nèi)層線路板的F2層與F3層重疊，使兩層的聚酰亞胺面與內(nèi)層純膠粘貼在一起，再用電慰斗在180° C5s，將兩層的聚酰亞胺膜與內(nèi)層純膠粘聯(lián)接在一起。3、第一次壓合，將F2層與內(nèi)層覆蓋膜、F3層與內(nèi)層覆蓋膜壓合，采用珠海市比昂電子設(shè)備有限公司的快壓機(jī)，將工裝內(nèi)對(duì)好位的無(wú)膠電解銅電路板的兩聚酰亞胺膜和內(nèi)層純膠緊密聯(lián)接在一起，在溫度160-180° C下壓合，壓力10-12MPa，先用較小的壓力預(yù)壓5-20s，再用較大的壓力實(shí)壓50-120S。壓合后第一次固化內(nèi)層覆蓋膜，直接在溫160_180°C下軟化內(nèi)層覆蓋膜，時(shí)間60-120分鐘，自然降溫至室溫，使無(wú)膠電解銅電路板與內(nèi)層覆蓋膜緊密聯(lián)接在一起。得到F2層與F3層的內(nèi)層線路板組合層。五、制作柔性電路板的多層板(多層柔性電路板)1、清洗固化后的內(nèi)層覆蓋膜，用酸性清洗液對(duì)內(nèi)層線路板組合層的固化后的F2層的內(nèi)層覆蓋膜、F3層的內(nèi)層覆蓋膜進(jìn)行清潔，以清潔內(nèi)層覆蓋膜表面上的油污和雜物。酸性清洗液中東莞市廣華化工有限公司的C768M酸性清潔劑體積濃度為2-6%，其余為水，
溫度38±5°C，速度2.0-2.5m/min，按相同速度清洗后用自來(lái)水沖洗，沖洗壓力1.0-3.0Kg/
2
cm ο2、貼合純膠，將純膠貼在內(nèi)層線路板組合層的清洗后的F2層的內(nèi)層覆蓋膜上、Fn-1層的內(nèi)層覆蓋膜上、F2層Fn-1層之外兩內(nèi)層線路板組合層的任一內(nèi)層覆蓋膜上，采用貼膜機(jī)加熱到120°C后壓合，將內(nèi)層覆蓋膜與純膠聯(lián)接在一起。純膠采用昆山雅森電子材料科技有限公司的AFEBXX10XLM1內(nèi)層純膠，規(guī)格:長(zhǎng)200mX寬0.25m。
若是三層以上的奇數(shù)多層板，分別在無(wú)膠電解銅電路板內(nèi)層覆蓋膜和聚酰亞胺膜上貼純膠，貼膜機(jī)壓合無(wú)膠電解銅電路板內(nèi)層覆蓋膜和聚酰亞胺膜上貼的純膠，通過(guò)貼膜機(jī)加溫軟化內(nèi)層覆蓋膜并施加壓力，貼膜機(jī)溫度120°C。3、貼合外層電路板，將內(nèi)層線路板組合層與內(nèi)層線路板組合層、第I層線路板Fl (外層電路板)的聚酰亞胺膜貼在F2層上的純膠上，將第η層線路板Fn(外層電路板)的聚酰亞胺膜貼在Fn-1層上的純膠上，采用快壓機(jī)壓合，使外層電路板與內(nèi)層線路板組合層聯(lián)接在一起。在溫度160-180°C下壓合，壓力10-12MPa，先用較小的壓力預(yù)壓5_20s，再用較大的壓力實(shí)壓50-120S。壓合后第一次固化Fl、Fn的內(nèi)層覆蓋膜，直接在溫度160-180° C下軟化內(nèi)層覆蓋膜，時(shí)間60-120分鐘。4、烘烤，直接在180°C，烘烤120分鐘，自然降溫至室溫。通過(guò)加熱，將純膠軟化，使純膠與外層線路板的聚酰亞胺、組合層的內(nèi)層覆蓋膜緊密聯(lián)接在一起。5、在多層電路板上鉆導(dǎo)通孔，孔徑為0.2mm，采用日本日立公司的ND-6Y210E型鉆孔機(jī)，轉(zhuǎn)速 125-130krpm,下鉆速度1.25-1.45m/min,提升速度 13_15m/min。6、在導(dǎo)通孔內(nèi)壁化學(xué)沉積銅，在導(dǎo)通孔內(nèi)壁沉積上一層厚度為I 2μηι薄銅，為后續(xù)導(dǎo)通孔電鍍銅提供附著基礎(chǔ)。采用東莞市黃江鎮(zhèn)宏德電子設(shè)有限公司的PTH15D2B110328R6型沉銅線生產(chǎn)，采用珠海斯美特電子材料有限公司的沉銅系列藥水，具體步驟為:(I)用PI調(diào)整劑SF-Ol濃度為250-350ml/L和KOH濃度為50_70ml/L混合液清洗外層電路板和導(dǎo)通孔，時(shí)間3 5min，溫度32 36°C。PI調(diào)整劑的作用為:由于外層電路板鉆導(dǎo)通孔后，孔壁帶靜電，使沉銅藥水帶負(fù)電荷的膠體鈀微粒難于在孔壁上形成活化中心，需要陰離子型的PI調(diào)整劑清洗孔壁，中和電性。(2)用斯美特除油液S-Ol濃度為70-100ml/L清潔外層電路板油污和導(dǎo)通孔孔壁雜質(zhì)，時(shí)間4 6min，溫度60 70°C。(3)用斯美特微蝕液微蝕導(dǎo)通孔孔壁，微蝕液為過(guò)硫酸鈉30-50g/L和硫酸濃度15-25ml/L，時(shí)間30 50S，溫度20 30°C，蝕液的作用:為了保證化學(xué)沉銅與基材的結(jié)合力，對(duì)導(dǎo)通孔銅進(jìn)行微蝕。(4)用預(yù)浸液對(duì)導(dǎo)通孔孔壁預(yù)浸，預(yù)浸液為斯美特預(yù)浸液S-03180g/L和HCL40ml/L，時(shí)間2 3min，溫度25 35° C，預(yù)浸的作用:預(yù)處理孔壁與外層電路板板面，讓它們之間與后續(xù)活化處理的活化液有相同的組分，使活化劑更好被吸附，同時(shí)保護(hù)活化液，避免水被帶入活化液，導(dǎo)致活化液水解破壞。(5)對(duì)導(dǎo)通孔孔壁與外層電路板板面活化處理，活化液為斯美特活化液S-03180g/L、HCL40ml/L、斯美特活化液S_0430ml/L，時(shí)間8 lOmin，溫度38 42° C，活化的作用:將鈀吸附在外層電路板板面與導(dǎo)通孔孔壁上，形成活化中心，吸附銅離子。(6)加速，用斯美特加速液S-05B150ml/L沖洗，時(shí)間2 3min，溫度25 350C。(7)沉積銅，用沉銅藥水侵泡，時(shí)間20 30min，溫度25 30° C，沉銅藥水為斯美特沉銅液 S-68M160ml/L、斯美特沉銅液 S_68A60ml/L、NaoH8_12g/L、HCH04_6g/L。7、在多層電路板導(dǎo)通孔內(nèi)壁電鍍銅，使導(dǎo)通孔孔壁銅厚度至15 20 μ m,同時(shí)線路板基材面銅也會(huì)相應(yīng)增加一定厚度。采用東莞市黃江鎮(zhèn)宏德電子設(shè)有限公司的PP10DIB090415R5型電鍍生產(chǎn)線，電流1.5 2.0ASD,時(shí)間20 30min，電鍍液成份為:CuSO4.5H2060-80g/L, H2S04180-200ml/L, HC150-70ml/L,深圳市祥盛興科技有限公司的720A光亮劑3-5ml/L，深圳市祥盛興科技有限公司的720輔助劑5-10ml/L。8、在外層電路板(電路板外層)貼干膜，采用志圣科技(廣州)有限公司CML-630型貼膜機(jī)，熱壓壓力3-5Kg/cm2,速度0.8-1.5m/min,棍輪溫度110± 10° C。干膜抗蝕劑為由保護(hù)膜聚乙烯、光致抗蝕劑膜和載體聚酯薄膜順序組成，采用日本旭化成株式會(huì)社的YQ-40型干膜，通過(guò)貼膜機(jī)加熱干膜把干膜貼在外層電路板的銅面上。貼膜后目視檢查干膜表面無(wú)氣泡、雜物則判為合格。9、第二次曝光，對(duì)貼好干膜的外層電路板進(jìn)行紫外線曝光，把所需要的電路圖形轉(zhuǎn)移單面無(wú)膠電解銅基材銅面上。在干膜抗蝕劑接受紫外光照射時(shí)，光引劑分解為自由基，激發(fā)單體產(chǎn)生聚合反應(yīng)形成高分子化合物將電路圖形轉(zhuǎn)移到單面無(wú)膠電解銅基材銅面上。采用三英光電(深圳)有限公司的5KW曝光機(jī)，曝光能量為40-70mj/cm2，真空度為650-720mmHgo10、第二次顯影，通過(guò)顯影液將外層電路板無(wú)膠電解銅未被曝光的干膜去除，露出需要蝕刻的無(wú)膠電解銅基材銅面。采用廣州市巨龍印制板設(shè)備有限公司的顯影機(jī)，顯影液為體積濃度O. 5-1. 5%的NaCO3溶液,顯影液壓力1. 0-1. 5Kg/cm2,顯影速度2. 0-2. 8m/min,顯影后用自來(lái)水沖洗，水洗壓力1. 5-2. 5Kg/cm2。顯影后目視或用5倍放大鏡檢查線路無(wú)開短路、無(wú)破盤判為合格。11、第二次蝕刻，將顯影后的外層電路板在蝕刻液中溶解，無(wú)膠電解銅基材中裸露的銅溶解于蝕刻溶液中，裸露的銅被全部蝕刻掉，其余被干膜覆蓋的線路被保留，形成無(wú)膠電解銅電路板。采用廣州市巨龍印制板設(shè)備有限公司的蝕刻生產(chǎn)線DES生產(chǎn)線(顯影線或脫膜線)進(jìn)行蝕刻，蝕刻溶液為含有體積濃度28-35%的HC1、15-25%的NaClO3,其余為水?？刂莆g刻過(guò)程中側(cè)蝕量為不大于O. Olmm,控制蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量在120_190g/L，蝕刻液酸度1. 0-3. 0N，蝕刻液溫度50±5°C，蝕刻速度1. 5-2. 5m/min。蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量?jī)?yōu)選130g/L，蝕刻液酸度優(yōu)選2. 0N,蝕刻溫度優(yōu)選50° C，蝕刻液采用深圳市煜杰興電子材料有限公司生產(chǎn)的蝕刻液。采用深圳市寶安區(qū)中圖奧斯微光學(xué)儀器商行的DTX-10型百倍線路測(cè)試儀，測(cè)試線路的側(cè)蝕量。12、第二次脫膜，用脫膜液NaOH溶液將外層電路板表面上的干膜去除掉。采用廣州市巨龍印制板設(shè)備有限公司的蝕刻生產(chǎn)線DES進(jìn)行，將蝕刻后的無(wú)膠電解銅電路板放入脫膜液中，將干膜從無(wú)膠電解銅電路板表面去除，脫膜液為NaOH溶液，體積濃度為3-7%，脫膜溫度50±5° C，脫膜速度為1. 5-2. 5m/min,脫模液壓力為1. 5-2. OKg/cm2,脫膜后用自來(lái)水沖洗，脫膜水洗壓力為1. 5-2. 5Kg/cm2，得到多層柔性電路板板。目視檢查表面干凈無(wú)干膜屑、雜物則判為合格。13、打測(cè)試孔(打靶)，用于通斷測(cè)試與沖切外形定位。采用寧波得益機(jī)電設(shè)備有限公司的打靶機(jī)，打靶氣壓壓力為O. 4MPa，孔徑為2. 0_。14、測(cè)試多層柔性電路板導(dǎo)通性能。采用深圳市科匯龍科技有限公司KHL688的測(cè)試機(jī)，電壓250V，絕緣阻值20兆歐母，導(dǎo)通阻值20歐母，絕緣阻值大于20兆歐母，導(dǎo)通阻值小于20歐母判定為合格。本發(fā)明的多層柔性電路板一次成型方法，脫膜后用浙江歐威科技有限公司的光學(xué)線路測(cè)試儀測(cè)試AOI側(cè)蝕量< O. 02mm,內(nèi)層線路合格率98-99%。第二次脫膜后用百倍線路測(cè)試儀測(cè)試側(cè)蝕量< O. 02mm。導(dǎo)通測(cè)試，多層柔性電路板合格率92-93%，與現(xiàn)有技術(shù)的合格率僅為75%相比，無(wú)內(nèi)層軟板壓合后有膠區(qū)與無(wú)膠區(qū)產(chǎn)生高低落差和內(nèi)層覆蓋膜多次壓合造成的軟板漲縮問(wèn)題，合格率大大提高，工藝流程短，提高了生產(chǎn)率，減少了人為造成的不良影響，提高了多層柔性電路板的品質(zhì)。實(shí)施例，表I實(shí)施例的工藝參數(shù)
權(quán)利要求
1.一種多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，包括以下步驟: 一、整卷貼干膜，將干膜抗蝕劑貼附在銅基材的銅面上，銅基材由聚酰亞胺膜和覆銅疊合組成，熱壓壓力3-5Kg/cm2，速度0.8-1.5m/min，輥輪溫度110±10° C ； 二、制作柔性電路板多層板的內(nèi)層線路板， (1)、分別曝光第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、...、第n-2層線路板(Fn_2)、第η-1層線路板(Fn-1)的貼有干膜的無(wú)膠電解銅基材，其中，η為3_10，曝光能量為40_70mj/cm2，真空度為 650-720mmHg ； (2)、顯影，將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n_2層線路板(Fn_2)、第η-1層線路板(Fn-1)放入顯影液中，顯影液為體積濃度0.5-1.5%的NaCO3溶液，顯影液壓力1.0-1.5Kg/cm2,顯影速度 2.0-2.8m/min ； (3)、蝕刻，將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n_2層線路板(Fn_2)、第η-1層線路板(Fn-1)放入蝕刻溶液中，蝕刻溶液為含有體積濃度28-35 %的HCl、15-25 %的NaClO3,其余為水，控制蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量在120-190g/L，蝕刻液酸度1.0-3.0N,蝕刻液溫度50±5° C，蝕刻速度1.5-2.5m/min ； (4)、脫膜，將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n_2層線路板(Fn_2)、第η-1層線路板(Fn-1)放入脫膜液中，脫膜液為NaOH溶液，體積濃度為3_7%，脫膜溫度50±5° C，脫膜速度為1.5-2.5m/min，脫模液壓力為1.5-2.0Kg/cm2 ； 三、制作內(nèi)層線路板層， (1)、第一次微蝕，分別將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n-2層線路板(Fn-2)、第η-1層線路板(Fn-1)，通過(guò)噴淋器噴淋微蝕劑，微蝕劑采用GC-303型銅微蝕劑，控制微蝕劑溶 液的Cu2+含量為20-60g/L，微蝕劑溫度20-30° C，微蝕劑噴淋壓力1.0-3.0Kg/cm2,微蝕速度 2.0-2.5m/min ； (2)、分別在第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n_2層線路板(Fn_2)、第η-1層線路板(Fn-1)上復(fù)合內(nèi)層覆蓋膜，溫度160-180° C，壓力為10_12MPa，先以較低壓力預(yù)壓5-20s，再以較高壓力實(shí)壓50-120S ； (3)、分別在第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n_2層線路板(Fn_2)、第η-1層線路板(Fn-1)聚酰亞胺膜第一次貼合內(nèi)層純膠，采用電慰斗加熱到180° C5s ； (4)、壓合內(nèi)層覆蓋膜和內(nèi)層純膠，溫度100-120°C，壓力3-5Kg/cm2，速度2_3m/min ； 四、制作內(nèi)層線路板組合層， (1)、分別將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n-2層線路板(Fn_2)、第η-1層線路板(Fn-1)重疊，用電慰斗在180° C5s，將兩層或三層的聚酰亞胺膜與內(nèi)層純膠粘聯(lián)接； (2)、第一次壓合，將第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n_2層線路板(Fn-2)、第η-1層線路板(Fn-1)分別與內(nèi)層覆蓋膜壓合，兩聚酰亞胺膜和內(nèi)層純膠聯(lián)接，在溫度160-180° C下壓合，壓力10-12MPa，先用較小的壓力預(yù)壓5-20s，再用較大的壓力實(shí)壓50-120S ;壓合后第一次固化內(nèi)層覆蓋膜，直接在溫160-180° C下軟化內(nèi)層覆蓋膜，時(shí)間60-120分鐘，自然降溫至室溫，使銅基材與內(nèi)層覆蓋膜聯(lián)接，得到內(nèi)層線路板組合層； 五、制作多層柔性電路板內(nèi)層線路， (I)、貼合純膠，將純膠貼在內(nèi)層線路板組合層的第2層線路板(F2)的內(nèi)層覆蓋膜上、第η-l層線路板(Fn-1)的內(nèi)層覆蓋膜上、第2層線路板(F2)與第n_l層線路板(Fn-1)之外兩內(nèi)層線路板組合層的任一內(nèi)層覆蓋膜上，加熱到120° C后壓合，將內(nèi)層覆蓋膜與純膠聯(lián)接； (2)、貼合外層電路板，將內(nèi)層線路板組合層與內(nèi)層線路板組合層、第I層線路板(Fl)的聚酰亞胺膜貼第2層線路板(F2)的純膠上，將第η層線路板(Fn)的聚酰亞胺膜貼在Fn-1層上的純膠上，在溫度160-180° C下壓合，壓力10-12MPa，先用較小的壓力預(yù)壓5_20s，再用較大的壓力實(shí)壓50-120S ;壓合后第一次固化第I層線路板(Fl)、第η層線路板(Fn)的內(nèi)層覆蓋膜，直接在溫度160-180° C下軟化內(nèi)層覆蓋膜，時(shí)間60-120分鐘； (3)、烘烤，直接在180°C，烘烤120分鐘，自然降溫至室溫，得到多層電路板； (4)在多層電路板上鉆導(dǎo)通孔，孔徑為0.2mm,轉(zhuǎn)速125_130krpm，下鉆速度1.25-1.45m/min,提升速度 13_15m/min ； (5)、在導(dǎo)通孔內(nèi)壁沉積上厚度為I 2μπι銅； (6)、在多層電路板導(dǎo)通孔內(nèi)壁電鍍銅，導(dǎo)通孔孔壁銅厚度至15 20μπι; (7)、在外層電路板貼干膜，熱壓壓力3-5Kg/cm2,速度0.8-1.5m/min,棍輪溫度110±10° C ； (8)對(duì)外層電路板進(jìn)行紫外線曝光，曝光能量為40-70mj/cm2，真空度為650-720mmHg； (9)、對(duì)外層電路板顯影，顯影液為體積濃度0.5-1.5 %的NaCO3溶液，顯影液壓力1.0-1.5Kg/cm2,顯影速度 2.0-2.8m/min ； (10)、對(duì)顯影后的外層電路板蝕刻，蝕刻溶液為含有體積濃度28-35%的HC1、15-25%的NaClO3，其余 為水；控制蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量在120_190g/L，蝕刻液酸度1.0-3.0N，蝕刻液溫度 50±5° C，蝕刻速度1.5-2.5m/min ； (11)、將外層電路板放入脫膜液中，脫膜液為NaOH溶液，體積濃度為3-7%，脫膜溫度50±5° C，脫膜速度為1.5-2.5m/min,脫模液壓力為1.5-2.0Kg/cm2，得到多層柔性電路板板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，其特征在于，所述聚酰亞胺膜厚度為12.5 μ m,覆銅厚度為12 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，其特征在于，所述步驟二蝕刻第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n-2層線路板(Fn_2)、第n_l層線路板(Fn-1)，蝕刻過(guò)程中側(cè)蝕量為不大于0.0lmm,控制蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量130g/L，蝕刻液酸度2.0N，蝕刻液溫度50° C ;所述步驟二顯影后用自來(lái)水沖洗，水洗壓力1.5-2.5Kg/cm2 ;所述步驟二脫膜后用自來(lái)水沖洗，脫膜水洗壓力為1.5-2.5Kg/cm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，其特征在于，所述步驟三微蝕后用噴淋器噴淋水沖洗，噴淋水洗壓力1.0-3.0Kg/cm2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，其特征在于，所述步驟三分別在第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n-2層線路板(Fn_2)、第n-1層線路板(Fn-1)聚酰亞胺膜第一次貼合內(nèi)層純膠，η為奇數(shù)多層板，按兩內(nèi)層線路板的聚酰亞胺面粘接后，再與另一內(nèi)層線路板的內(nèi)層覆蓋膜或聚酰亞胺膜，構(gòu)成一組內(nèi)層線路板組合層，分別在無(wú)膠電解銅電路板內(nèi)層覆蓋膜和聚酰亞胺膜上貼內(nèi)層純膠，溫度100-120。C，壓力 3-5Kg/cm2，速度 2_3m/min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，其特征在于，所述步驟四將兩層或三層的聚酰亞胺膜與內(nèi)層純膠粘聯(lián)接在一起前，分別在第2層線路板(F2)、第3層線路板(F3)、…、第n-2層線路板(Fn_2)、第n_l層線路板(Fn-1)打孔，氣壓壓力為0.4MPa,孔徑為2.0mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，其特征在于，所述步驟五貼合純膠前，清洗內(nèi)層覆蓋膜，采用的酸性清洗液含C768M酸性清潔劑體積濃度為2-6%，其余為水，溫度38±51:，速度2.0-2.5m/min，清洗后用自來(lái)水沖洗，沖洗壓力1.0-3.0Kg/cm2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，其特征在于，所述步驟五在導(dǎo)通孔內(nèi)壁化學(xué)沉積銅，具體步驟為:(1)用PI調(diào)整劑SF-Ol濃度為250-350ml/L和KOH濃度為50-70ml/L混合液清洗外層電路板和導(dǎo)通孔，時(shí)間3 5min，溫度32 36° C ；⑵用斯美特除油液S-Ol濃度為70-100ml/L清潔外層電路板油污和導(dǎo)通孔孔壁雜質(zhì)，時(shí)間4 6min,溫度60 70° C ; (3)用斯美特微蝕液微蝕導(dǎo)通孔孔壁,微蝕液為過(guò)硫酸鈉30-50g/L和硫酸濃度15-25ml/L，時(shí)間30 50S，溫度20 30°C ; (4)用預(yù)浸液對(duì)導(dǎo)通孔孔壁預(yù)浸，預(yù)浸液為斯美特預(yù)浸液S-03180g/L和HCL40ml/L，時(shí)間2 3min，溫度25 350C ；(5)對(duì)導(dǎo)通孔孔壁與外層電路板板面活化處理，活化液為斯美特活化液S-03180g/L、HCL40ml/L、斯美特活化液S_0430ml/L，時(shí)間8 lOmin，溫度38 42° C ;。(6)加速，用斯美特加速液S-05B150ml/L沖洗，時(shí)間2 3min，溫度25 35°C ； (7)沉積銅，用沉銅藥水侵泡，時(shí)間20 30min，溫度25 30° C，沉銅藥水為斯美特沉銅液S_68M160ml/L、斯美特沉銅液 S-68A60ml/L、NaoH8_12g/L、HCH04_6g/L。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，其特征在于，所述步驟五在多層電路板導(dǎo)通孔內(nèi)壁電鍍銅，電流1.5 2.0ASD,時(shí)間20 30min，電鍍液成份為=CuSO4.5H2060-80g/L, H2S04180_200ml/L，HC150_70ml/L，720A 光亮劑 3_5ml/L，720 輔助劑 5-10ml/L。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，其特征在于，所述步驟五顯影后用自來(lái) 水沖洗，水洗壓力1.5-2.5Kg/cm2 ;所述步驟五蝕刻過(guò)程中側(cè)蝕量為不大于0.0lmm,蝕刻溶液的銅離子Cu2+含量在130g/L，蝕刻液酸度2.0N,蝕刻液溫度50° C ;所述步驟五脫膜后用自來(lái)水沖洗，脫膜水洗壓力為1.5-2.5Kg/cm2。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，要解決的技術(shù)問(wèn)題是提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品的合格率。本發(fā)明的多層柔性電路板內(nèi)層線路一次成型方法，包括以下步驟整卷貼干膜，制作柔性電路板多層板的內(nèi)層線路板，制作內(nèi)層線路板層，制作內(nèi)層線路板組合層，制作多層柔性電路板內(nèi)層線路，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用貼干膜、曝光、顯影、蝕刻、脫膜、微蝕和壓合加工流程，制作成內(nèi)層線路板、內(nèi)層線路板層、內(nèi)層線路板組合層、多層柔性電路板板，避免了內(nèi)層軟板壓合后有膠區(qū)與無(wú)膠區(qū)產(chǎn)生高低落差和內(nèi)層覆蓋膜多次壓合造成的軟板漲縮問(wèn)題，提高了多層柔性電路板的品質(zhì)，合格率達(dá)到92％以上，且縮短了工藝流程，提高了生產(chǎn)率。
文檔編號(hào)H05K3/46GK103079365SQ201210580609
公開日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
發(fā)明者蘇錫明 申請(qǐng)人:深圳市中興新宇軟電路有限公司