專利名稱：生長(zhǎng)在LiGaO₂襯底上的非極性摻雜GaN薄膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非極性摻雜GaN薄膜及其制備方法，特別涉及生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
LED被稱為第四代照明光源或綠色光源，具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)、體積小等特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于各種普通照明、指示、顯示、裝飾、背光源、和城市夜景等領(lǐng)域。當(dāng)前，在全球氣候變暖問(wèn)題日趨嚴(yán)峻的背景下，節(jié)約能源、減少溫室氣體排放成為全球共同面對(duì)的重要問(wèn)題。以低能耗、低污染、低排放為基礎(chǔ)的低碳經(jīng)濟(jì)，將成為經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要方向。在照明領(lǐng)域，LED發(fā)光產(chǎn)品的應(yīng)用正吸引著世人的目光，LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品，必然是未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)，二十一世紀(jì)將是以LED為代表的新型照明光源的時(shí)代。III族氮化物半導(dǎo)體材料GaN是制造高效LED器件最為理想的材料。目前，GaN基LED的發(fā)光效率現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到28%并且還在進(jìn)一步的增長(zhǎng)，該數(shù)值遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于目前通常使用的白熾燈(約為2%)或熒光燈(約為10%)等照明方式的發(fā)光效率。數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)表明，我國(guó)目前的照明用電每年在4100億度以上，超過(guò)英國(guó)全國(guó)一年的用電量。如果用LED取代全部白熾燈或部分取代熒光燈，可節(jié)省接近一半的照明用電，超過(guò)三峽工程全年的發(fā)電量。因照明而產(chǎn)生的溫室氣體排放也會(huì)因此而大大降低。另外，與突光燈相比，GaN基LED不含有毒的萊元素，且使用壽命約為此類照明工具的100倍。LED要真正實(shí)現(xiàn)大規(guī)模廣泛應(yīng)用，需要進(jìn)一步提高LED芯片的發(fā)光效率。雖然LED的發(fā)光效率已經(jīng)超過(guò)日光燈和白熾燈，但是商業(yè)化LED發(fā)光效率還是低于鈉燈(1501m/W)，單位流明/瓦的價(jià)格偏高。目前，LED芯片的發(fā)光效率不夠高，一個(gè)主要原因是由于其藍(lán)寶石襯底造成的。基于藍(lán)寶石襯`底的LED技術(shù)存在兩個(gè)嚴(yán)峻的問(wèn)題。首先，藍(lán)寶石與GaN晶格的失配率高達(dá)17%，如此高的晶格失配使得藍(lán)寶石上的LED外延片有很高的缺陷密度，大大影響了 LED芯片的發(fā)光效率。其次，藍(lán)寶石襯底價(jià)格十分昂貴，使得氮化物L(fēng)ED生產(chǎn)成本很高(藍(lán)寶石襯底在LED的制作成本中占有相當(dāng)大的比例)。LED芯片的發(fā)光效率不夠高的另外一個(gè)主要原因是由于目前廣泛使用的GaN基LED具有極性。目前制造高效LED器件最為理想的材料是GaN。GaN為密排六方晶體結(jié)構(gòu)，其晶面分為極性面c面[(0001)面]和非極性面a面[(11-20)面]及m面[(1-100)面]。目前，GaN基LED大都基于GaN的極性面構(gòu)建而成。在極性面GaN上，Ga原子集合和N原子集合的質(zhì)心不重合，從而形成電偶極子，產(chǎn)生自發(fā)極化場(chǎng)和壓電極化場(chǎng)，進(jìn)而引起量子束縛斯塔克效應(yīng)(Quant μ m-confined Starker Effect, QCSE),使電子和空穴分離,載流子的福射復(fù)合效率降低，最終影響LED的發(fā)光效率，并造成LED發(fā)光波長(zhǎng)的不穩(wěn)定。解決這一問(wèn)題最好的辦法是采用非極性面的GaN材料制作LED，以消除量子束縛斯塔克效應(yīng)的影響。理論研究表明，使用非極性面GaN來(lái)制造LED，將可使LED發(fā)光效率提高近一倍。由此可見(jiàn)，要使LED真正實(shí)現(xiàn)大規(guī)模廣泛應(yīng)用，提高LED芯片的發(fā)光效率，并降低其制造成本，最根本的辦法之一就是研發(fā)新型襯底上的非極性GaN基LED外延芯片。而非極性GaN薄膜的η型與P型摻雜是實(shí)現(xiàn)非極性GaN基LED的前提條件，因此新型襯底上外延生長(zhǎng)非極性GaN薄膜的η型與P型摻雜一直是研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)與不足，本發(fā)明的目的在于提供一種生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜，具有晶體質(zhì)量好，摻雜濃度高，載流子遷移率高的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的另一目的在于提供上述非極性摻雜GaN薄膜的制備方法。本發(fā)明的目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜，包括由下至上依次排列的LiGaO2襯底、非極性m面GaN緩沖層、非極性m面GaN外延層、非極性摻雜GaN薄膜；所述非極性GaN薄膜為非極性P型GaN薄膜或非極性η型GaN薄膜。所述LiGaO2襯底的晶體取向?yàn)?100)晶面偏向(110)方向O. 2 O. 5。。所述非極性m面GaN緩沖層的厚度為3(T60nm ;所述非極性m面GaN外延層的厚度為15(T250nm ;所述·非極性η型摻雜GaN薄膜的厚度為100ηπΓ5 μ m，電子濃度為1. OX IO17 5. OX 1019cm_3 ;所述P型摻雜GaN薄膜的厚度為100ηπΓ5 μ m ;空穴濃度為1.OX 1016"2. OXlO1W3O生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜的制備方法，包括以下步驟(I)選取LiGaO2襯底，選取晶體取向；(2)對(duì)襯底進(jìn)行退火處理將襯底在90(Γ1000 下烘烤3_5h后空冷至室溫；(3)對(duì)襯底進(jìn)行表面清潔處理；(4)采用低溫分子束外延工藝生長(zhǎng)非極性m面GaN緩沖層，工藝條件為襯底溫度為220-350°C，通入Ga蒸發(fā)源與N等離子體，反應(yīng)室壓力為5 7 X 10_5torr、產(chǎn)生等離子體氮的射頻功率為200 300W，V / III比為50 60、生長(zhǎng)速度為O. 4 O. 6ML/s ；(5)采用脈沖激光沉積工藝生長(zhǎng)非極性m面GaN外延層，工藝條件為襯底溫度升至45(T550°C，采用脈沖激光轟擊Ga靶材，同時(shí)通入N等離子體，射頻功率為20(T300W，反應(yīng)室壓力為3 5Xl(T5torr，激光能量為12(Tl80mJ，頻率為1(Γ30Ηζ ；(6)采用脈沖激光沉積工藝生長(zhǎng)非極性摻雜GaN薄膜，非極性ρ型摻雜GaN薄膜的工藝條件為襯底溫度為45(T550°C,采用脈沖激光轟擊轟擊GaMg混合祀材,生長(zhǎng)時(shí)通入N等離子體，反應(yīng)室壓力為5 7X 10_5torr，射頻功率為20(T300W，激光能量為12(Tl80mJ，頻率為10 30Hz ；非極性η型摻雜GaN薄膜的工藝條件為襯底溫度為45(T550°C，采用脈沖激光轟擊GaSi混合靶材，生長(zhǎng)時(shí)通入N等離子體，反應(yīng)室壓力為5 7X10_5torr，，射頻功率為20(T300W，激光能量為120 180mJ，頻率為10 30Ηζ。步驟(3)所述對(duì)襯底進(jìn)行表面清潔處理，具體為將LiGaO2襯底放入去離子水中室溫下超聲清洗5 10分鐘，去除LiGaO2襯底表面粘污顆粒，再依次經(jīng)過(guò)鹽酸、丙酮、乙醇洗滌,去除表面有機(jī)物；清洗后的LiGaO2襯底用高純干燥氮?dú)獯蹈?；之后將LiGaO2襯底放入低溫分子束外延生長(zhǎng)室，在超高真空條件下，將襯底溫度升至85(T90(TC，烘烤2(Γ30分鐘，除去LiGaO2襯底表面殘余的雜質(zhì)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果
(I)本發(fā)明使用LiGaO2作為襯底，同時(shí)采用低溫分子束外延技術(shù)在LiGaO2襯底上先生長(zhǎng)一層非極性m面GaN緩沖層，獲得襯底與非極性m面GaN外延層之間很低的晶格失配度，有利于沉積低缺陷的非極性GaN薄膜，極大的提高了量子阱的發(fā)光效率。(2)采用低溫分子束外延技術(shù)在LiGaO2襯底上先生長(zhǎng)一層非極性m面GaN緩沖層，在低溫下能保證LiGaO2襯底的穩(wěn)定性，減少鋰離子的揮發(fā)造成的晶格失配和劇烈界面反應(yīng)，從而為下一步生長(zhǎng)非極性m面GaN外延層打下良好基礎(chǔ)。(3)采用脈沖激光沉積工藝制備出非極性η或ρ型摻雜GaN薄膜，非極性面上生長(zhǎng)有利于摻雜，可提高摻雜濃度，載流子的遷移率，可大幅度提高氮化物器件如半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管及太陽(yáng)能電池的效率。(4)使用LiGaO2作為襯底，容易獲得，價(jià)格便宜，有利于降低生產(chǎn)成本。


圖1為實(shí)施例1制備的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性η型摻雜GaN薄膜的截面示意圖。圖2為實(shí)施例1制備的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性η型摻雜GaN薄膜的XRD測(cè)試圖。圖3為實(shí)施例2制備的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性ρ型摻雜GaN薄膜的XRD測(cè)試圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例及附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例1本發(fā)明生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的摻雜GaN薄膜的制備方法，包括以下步驟(I)選取襯底以及晶體取向采用LiGaO2襯底，晶體取向?yàn)?100)晶面偏向(110)方向O. 2°。(2)對(duì)襯底進(jìn)行退火處理將襯底在900°C下高溫烘烤3h后空冷至室溫。(3)對(duì)襯底進(jìn)行表面清潔處理將LiGaO2襯底放入去離子水中室溫下超聲清洗5分鐘，去除LiGaO2襯底表面粘污顆粒，再依次經(jīng)過(guò)鹽酸、丙酮、乙醇洗滌，去除表面有機(jī)物；清洗后的LiGaO2襯底用聞純干燥氮?dú)獯蹈桑恢髮iGaO2襯底放入低溫分子束外延生長(zhǎng)室，在超高真空條件下，將襯底溫度升至850°C，高溫烘烤20分鐘，除去LiGaO2襯底表面殘余的雜質(zhì)。(4)采用低溫分子束外延工藝生長(zhǎng)非極性m面GaN緩沖層，厚度為30nm。工藝條件為襯底溫度為220°C，通入Ga蒸發(fā)源與N等離子體，反應(yīng)室壓力為5 X 10_5tOrr、產(chǎn)生等離子體氮的射頻功率為200W，V / III比為50、生長(zhǎng)速度為O. 4ML/s。(5)采用脈沖激光沉積 工藝生長(zhǎng)非極性m面GaN外延層，厚度為150nm。工藝條件為襯底溫度升至450°C，采用脈沖激光轟擊Ga靶材，同時(shí)通入N等離子體，射頻功率為200W，反應(yīng)室壓力為3X10_5torr、激光能量為120mJ，頻率為10Hz。(6)采用脈沖激光沉積工藝生長(zhǎng)非極性η型摻雜GaN薄膜，厚度為lOOnm，工藝條件為襯底溫度為450°C，采用脈沖激光轟擊GaSi混合靶材，生長(zhǎng)時(shí)通入N等離子體，反應(yīng)室壓力為5X10_5torr，，射頻功率為200W，激光能量為120mJ，頻率為IOHz。如圖1所示，本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜示意圖，包括生長(zhǎng)在LiGaO2襯底11上的非極性m面GaN緩沖層12，生長(zhǎng)在非極性m面GaN緩沖層上的非極性m面GaN外延層13以及生長(zhǎng)在非極性GaN外延層上的非極性η型摻雜GaN薄膜14。其中，所述非極性m面GaN緩沖層的厚度為30nm ;所述非極性m面GaN外延層的厚度為150nm ;所述非極性η型摻雜GaN薄膜的厚度為lOOnm。圖2為本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底(100)面上的非極性η型摻雜GaN薄膜的XRD測(cè)試圖。測(cè)試得到η型摻雜GaN薄膜X射線回?cái)[曲線的半峰寬(FWHM)值，其半峰寬(FWHM)值為O. 0625°，表明本發(fā)明制備的非極性η型摻雜GaN薄膜無(wú)論是在缺陷密度還是在結(jié)晶質(zhì)量，都具有非常好的性能。本發(fā)明制備的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性η型摻雜GaN薄膜的在溫度為室溫Hall測(cè)試結(jié)果在溫度為293Κ下Hall譜測(cè)試得到η型摻雜GaN的電子濃度為5 X IO1W3,電子遷移率為300cm2/vs，表明本發(fā)明制備的非極性η型摻雜GaN薄膜具有非常好的性能。實(shí)施例2本發(fā)明生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜的制備方法，包括以下步驟(I)選取襯底以及晶體取向采用LiGaO2襯底，晶體取向?yàn)?100)晶面偏向(110)方向O. 5°。(2)對(duì)襯底進(jìn)行退火處理將襯底在1000°C下高溫烘烤5h后空冷至室溫。(3)對(duì)襯底進(jìn)行表面清潔處理將LiGaO2襯底放入去離子水中室溫下超聲清洗10分鐘，去除LiGaO2襯底表面粘污顆粒，再依次經(jīng)過(guò)鹽酸、丙酮、乙醇洗滌，去除表面有機(jī)物；清洗后的LiGaO2襯底用聞純干燥氮?dú)獯蹈桑恢髮iGaO2襯底放入低溫分子束外延生長(zhǎng)室，在超高真空條件下，將襯底溫度升至900°C，高溫烘烤30分鐘，除去LiGaO2襯底表面殘余的雜質(zhì)。(4)采用低溫分子束外延工藝生長(zhǎng)非極性m面GaN緩沖層，厚度為60nm。工藝條件為襯底溫度為350°C，通入Ga蒸發(fā)源與N等離子體，反應(yīng)室壓力為7 X 10_5tOrr、產(chǎn)生等離子體氮的射頻功率為300W，V / III比為60、生長(zhǎng)速度為O. 6ML/s。(5)采用脈沖激光沉積工藝生長(zhǎng)非極性m面GaN外延層，厚度為250nm。工藝條件為襯底溫度升至550°C，采用脈沖激光轟擊Ga靶材，同時(shí)通入N等離子體，射頻功率為300W，反應(yīng)室壓力為5X10_5torr、激光能量為180mJ，頻率為30Hz。(6)采用脈沖激光沉積工藝生長(zhǎng)P型摻雜GaN薄膜，厚度為lOOnm。工藝條件為襯底溫度為450°C,采用脈沖激光轟擊轟擊GaMg混合祀材,生長(zhǎng)時(shí)通入N等離子體,反應(yīng)室壓力為5X10_5torr，射頻功率為200W，激光能量為120mJ，頻率為IOHz。本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性ρ型摻雜GaN薄膜，包括由下至上依次排列的LiGaO2襯底、非極性m面GaN緩沖層、非極性m面GaN外延層、非極性ρ型摻雜GaN薄膜；其中，所述非極性m面GaN緩沖層的厚度為60nm ;所述非極性m面GaN外延層的厚度為250nm ;所述非極性ρ型摻雜GaN薄膜的厚度為lOOnm。圖3為本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底(100)面上的非極性ρ型摻雜GaN薄膜的XRD測(cè)試圖。測(cè)試得到ρ型摻雜GaN薄膜X射線回?cái)[曲線的半峰寬(FWHM)值，其半峰寬(FWHM)值為O. 0738°，表明本發(fā)明制備的非極性ρ型摻雜GaN薄膜無(wú)論是在缺陷密度還是在結(jié)晶質(zhì)量，都具有非常好的性能。本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性m面η與ρ型摻雜GaN薄膜的在溫度為室溫Hall測(cè)試結(jié)果在溫度為293Κ下Hall譜測(cè)試得到ρ型摻雜GaN的空穴濃度為I X IO17Cm-3,空穴遷移率為65cm2/v *s。表明本發(fā)明制備的非極性ρ型摻雜GaN薄膜具有非常好的性能。實(shí)施例3本實(shí)施例除下述特征外，其余特征與實(shí)施例1同步驟(6)為采用脈沖激光沉積工藝生長(zhǎng)非極性η型摻雜GaN薄膜，厚度為5 μ m,工藝條件為襯底溫度為550°C，采用脈沖激光轟擊GaSi混合靶材，生長(zhǎng)時(shí)通入N等離子體，反應(yīng)室壓力為7X10_5torr，，射頻功率為300W，激光能量為180mJ，頻率為30Hz。實(shí)施例4 本實(shí)施例除下述特征外，其余特征與實(shí)施例2同步驟(6)為采用脈沖激光沉積工藝生長(zhǎng)P型摻雜GaN薄膜，厚度為5 μ m。工藝條件為襯底溫度為550°C,采用脈沖激光轟擊轟擊GaMg混合祀材，生長(zhǎng)時(shí)通入N等離子體，反應(yīng)室壓力為7X10_5torr，射頻功率為300W，激光能量為180mJ，頻率為30Hz。上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受所述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜，其特征在于，包括由下至上依次排列的LiGaO2襯底、非極性m面GaN緩沖層、非極性m面GaN外延層、非極性摻雜GaN薄膜；所述非極性GaN薄膜為非極性p型GaN薄膜或非極性n型GaN薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜，其特征在于，所述LiGaO2襯底的晶體取向?yàn)?100)晶面偏向(110)方向5°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜，其特征在于，所述非極性m面GaN緩沖層的厚度為3(T60nm ;所述非極性m面GaN外延層的厚度為15(T250nm;所述非極性n型摻雜GaN薄膜的厚度為100nnT5 y m，電子濃度為1.0X IO17 5. 0 X IO19CnT3 ;所述p型摻雜GaN薄膜的厚度為100nnT5 U m，空穴濃度為1.0X1016 2.0X1018cm_3。
4.生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 (1)選取LiGaO2襯底，選取晶體取向； (2)對(duì)襯底進(jìn)行退火處理將襯底在90(Tl(KKrC下烘烤3 5h后空冷至室溫； (3)對(duì)襯底進(jìn)行表面清潔處理； (4)采用低溫分子束外延工藝生長(zhǎng)非極性m面GaN緩沖層，工藝條件為襯底溫度為220-350°C，通入Ga蒸發(fā)源與N等離子體，反應(yīng)室壓力為5 7 X 10_5tOrr、產(chǎn)生等離子體氮的射頻功率為20(T300W，V / III比為50-60、生長(zhǎng)速度為0. 4 0. 6ML/s ； (5)采用脈沖激光沉積工藝生長(zhǎng)非極性m面GaN外延層，工藝條件為襯底溫度升至45(T550°C，采用脈沖激光轟擊Ga靶材，同時(shí)通入N等離子體，射頻功率為20(T300W，反應(yīng)室壓力為3 5Xl(T5torr，激光能量為120_180mJ，頻率為l(T30Hz ； (6)采用脈沖激光沉積工藝生長(zhǎng)非極性摻雜GaN薄膜，非極性p型摻雜GaN薄膜的工藝條件為襯底溫度為45(T550°C,采用脈沖激光轟擊轟擊GaMg混合祀材,生長(zhǎng)時(shí)通入N等離子體，反應(yīng)室壓力為5 7X10_5torr，射頻功率為200-300W，激光能量為120 180mJ，頻率為 10 30Hz ； 非極性n型摻雜GaN薄膜的工藝條件為襯底溫度為45(T550°C，采用脈沖激光轟擊GaSi混合靶材，生長(zhǎng)時(shí)通入N等離子體，反應(yīng)室壓力為5 7X10_5torr，，射頻功率為20(T300W，激光能量為120 180mJ，頻率為10 30Hz。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜的制備方法，其特征在于，所述非極性m面GaN緩沖層的厚度為3(T60nm ;所述非極性m面GaN外延層的厚度為15(T250nm;所述非極性n型摻雜GaN薄膜的厚度為100nnT5 y m，電子濃度為1. OX IO17 5. OX 1019cm_3 ;所述p型摻雜GaN薄膜的厚度為100nnT5 y m ;空穴濃度為1.OX 1016"2. OXlO1W3O
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜的制備方法，其特征在于，所述晶體取向?yàn)?100)晶面偏向(110)方向0.2、. 5°。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的非極性摻雜GaN薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述對(duì)襯底進(jìn)行表面清潔處理，具體為將LiGaO2襯底放入去離子水中室溫下超聲清洗5 10分鐘，去除LiGaO2襯底表面粘污顆粒，再依次經(jīng)過(guò)鹽酸、丙酮、乙醇洗滌,去除表面有機(jī)物；清洗后的LiGaO2襯底用高純干燥氮?dú)獯蹈?；之后將LiGaO2襯底放入低溫分子束外延生長(zhǎng)室，在超高真空條件下，將襯底溫度升至85℃~90℃，烘烤20~30分鐘，除去LiGaO2襯底表面殘余的雜質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了生長(zhǎng)在LiGaO2襯底上的摻雜GaN薄膜，包括由下至上依次排列的LiGaO2襯底、非極性m面GaN緩沖層、非極性m面GaN外延層、非極性摻雜GaN薄膜；所述非極性GaN薄膜為非極性p型GaN薄膜或非極性n型GaN薄膜。本發(fā)明還公開(kāi)了上述非極性摻雜GaN薄膜的制備方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有生長(zhǎng)工藝簡(jiǎn)單，制備成本低廉的優(yōu)點(diǎn)，且制備的非極性摻雜GaN薄膜缺陷密度低、結(jié)晶質(zhì)量好，電學(xué)性能好。
文檔編號(hào)C30B25/02GK103031595SQ20121053513
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月11日
發(fā)明者李國(guó)強(qiáng), 楊慧 申請(qǐng)人:華南理工大學(xué)