一種可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法?，F(xiàn)有技術(shù)通過堿腐溶液所形成的金字塔絨面或通過酸腐溶液所形成的蟲孔狀絨面的顆粒大小不均勻且有些顆粒過大，從而使得磷源在硅片表面因自然風(fēng)干或加熱而凝聚，進(jìn)而導(dǎo)致擴(kuò)散不均勻或PN結(jié)不完整。本發(fā)明可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法首先提供完成通過酸腐或堿腐制絨且完成清洗的硅片，接著在所述硅片表面形成親水性的柱錐狀絨面，所述柱錐狀絨面的粒徑范圍為50～300nm，接著在所述硅片表面涂覆擴(kuò)散源，最后對所述硅片進(jìn)行熱處理形成PN結(jié)。本發(fā)明可有效改善磷源涂敷在硅片上后收縮凝聚的問題，從而有效提高了擴(kuò)散的均勻性，且避免PN結(jié)未能完整覆蓋整個硅片。
【專利說明】一種可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽電池制造領(lǐng)域，特別涉及一種可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]在晶體硅太陽電池制造領(lǐng)域，通過擴(kuò)散在P型或N型的硅片上形成PN結(jié)是非常關(guān)鍵的工藝步驟，PN結(jié)的質(zhì)量直接決定了太陽電池效率的高低。管式高溫擴(kuò)散是目前主流生產(chǎn)技術(shù)，其采用氮?dú)?N2)攜帶三氯氧磷(POCL3)進(jìn)入擴(kuò)散管對放置在其中的硅片進(jìn)行擴(kuò)散，管式擴(kuò)散的特點(diǎn)是產(chǎn)量大、工藝成熟操作簡單。
[0003]但隨著晶體硅太陽電池向大尺寸和超薄化方向發(fā)展，管式擴(kuò)散造成的PN結(jié)在整個硅片表面分布的不均勻即擴(kuò)散不均勻越來越成為電池效率難以提高的瓶頸。鏈?zhǔn)綌U(kuò)散等涂源擴(kuò)散方式以其處理硅片尺寸幾乎不受限制、均勻性好、碎片率低、產(chǎn)能高、所需的工藝時間短和成本較低等諸多優(yōu)點(diǎn)，其在晶體硅制造領(lǐng)域的使用范圍越來越廣。鏈?zhǔn)綌U(kuò)散等涂源擴(kuò)散工藝通常首先在P型硅片表面涂敷一層磷源(可為磷酸溶液或磷漿等)，然后通過爐體(通常為鏈?zhǔn)綘t)進(jìn)行熱處理來形成PN結(jié)。但硅片在涂敷磷源前，硅片才完成清洗，其表面呈疏水性，磷源被涂敷在硅片表面后會收縮凝聚，導(dǎo)致擴(kuò)散后方塊電阻不均勻甚至PN結(jié)不完整，有些硅片表面甚至出現(xiàn)斑點(diǎn)。
[0004]在完成擴(kuò)散步驟后，通常通過檢驗(yàn)擴(kuò)散后方塊電阻均勻度來檢驗(yàn)擴(kuò)散均勻度，方塊電阻不均勻度的計算公式為:方塊電阻不均勻度=(R □最大值-R □最小值)/(R □最大值+最小值)X 100% R □，!? □為硅片擴(kuò)散后方塊電阻值。上述現(xiàn)有技術(shù)的方塊電阻不均勻度通常維持在10%~30%，甚至更大的數(shù)值上，從而導(dǎo)致所制成的太陽電池的電性能比較差。
[0005]經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明，粒徑為300nm以下的微結(jié)構(gòu)可以有效改善磷源在硅片表面因自然風(fēng)干或加熱而凝聚的問題，但是 現(xiàn)有技術(shù)通過堿腐溶液所形成的金字塔絨面或通過酸腐溶液所形成的蟲孔狀絨面的顆粒大小不均勻且有些顆粒過大，其粒徑可達(dá)幾μ m左右，從而無法有效的通過酸腐或堿腐溶液所形成的絨面來解決磷源凝聚的問題。
[0006]因此，如何提供一種可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法以解決磷源涂敷在硅片上后收縮凝聚從而導(dǎo)致擴(kuò)散不均勻的問題，已成為業(yè)界亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是要提供一種可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，通過所述方法可有效改善磷源涂敷在硅片上后收縮凝聚的問題，從而有效提高了擴(kuò)散的均勻性，避免PN結(jié)未能完整覆蓋整個硅片。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，包括以下步驟:a、提供完成制絨清洗的硅片；b、在所述硅片表面形成親水性的柱錐狀絨面，所述柱錐狀絨面的粒徑范圍為50~300nm ;c、在所述硅片表面涂覆擴(kuò)散源；d、對所述硅片進(jìn)行熱處
理形成PN結(jié)。[0009]在一較佳實(shí)施例中，步驟b包括以下步驟:b0、提供具有離子反應(yīng)腔和射頻電源的離子反應(yīng)設(shè)備；bl、將所述硅片放入所述反應(yīng)離子腔內(nèi)；b2、通入反應(yīng)氣體且啟動射頻電源以產(chǎn)生射頻電場生成反應(yīng)離子團(tuán)山3、所述離子團(tuán)在所述硅片表面刻蝕形成粒徑為50~200nm的柱錐狀絨面；b4、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進(jìn)行清洗；b5、通過去離子水對所述硅片進(jìn)行清洗。
[0010]在進(jìn)一步的較佳實(shí)施例中,在步驟b2中，反應(yīng)氣體包括氯氣、六氟化硫和氧氣,所述射頻電源的頻率為13.56MHZ，功率為5KW。
[0011]在進(jìn)一步的較佳實(shí)施例中，在步驟b4中，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4%~7 %，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7 %~12 %，清洗溫度為20~25°C，清洗時間為9~15min。
[0012]在一較佳實(shí)施例中，步驟B包括以下步驟:B0、通過硝酸銀和氫氟酸的混合溶液在所述硅片表面形成粒徑為50~150nm的柱錐狀絨面；B1、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進(jìn)行清洗；B2、通過去離子水對所述硅片進(jìn)行清洗。
[0013]在進(jìn)一步的較佳實(shí)施例中，在步驟BO中，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為5%~11%，硝酸銀的質(zhì)量百分比濃度為0.15%~0.48%。
[0014]在一較佳實(shí)施例中，所述硅片的摻雜類型為P型，所述擴(kuò)散源為磷酸溶液或磷漿。
[0015]在進(jìn)一步的較佳實(shí)施例中，所述磷酸溶液的質(zhì)量百分比濃度為2%~5%。
[0016]在一較佳實(shí)施例中，在步驟a中，所述硅片為多晶硅片，所述多晶硅片的制絨清洗包括以下步驟:a0、通過硝酸和氫氟酸的混合溶液對多晶硅片制絨，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4%~7%，所述硝酸 的質(zhì)量百分比濃度為20%~35%，制絨溫度為2~10°C ;al、通過氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液對所述多晶硅片進(jìn)行清洗，所述氫氧化鈉或氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為3%~5%，清洗溫度為20~25°C，清洗時間為20~40s ;a2、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述多晶硅片進(jìn)行清洗，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4%~7%，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7%~12%，清洗溫度為20~25°C，清洗時間為40~80s ;a3、通過去離子水對所述多晶硅片進(jìn)行清洗。
[0017]在一較佳實(shí)施例中，在步驟a中，所述硅片為單晶硅片，所述單晶硅片的制絨清洗包括以下步驟:A0、通過氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液、異丙醇和添加劑的混合溶液對單晶硅片進(jìn)行制絨，其中氫氧化鈉或氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為1%~1.5%，異丙醇質(zhì)量百分比濃度為2%~5%，制絨溫度為75~85°C，制絨時間為15~40min ;A1、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進(jìn)行清洗，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4%~7%，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7%~12%，清洗溫度為20~25°C，清洗時間為5~IOmin ;A2、通過去離子水對所述硅片進(jìn)行清洗。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)中通過堿腐溶液所形成的金字塔絨面或通過酸腐溶液所形成的蟲孔狀絨面的顆粒大小不均勻且有些顆粒過大，從而使得磷源在硅片表面因自然風(fēng)干或加熱而凝聚，進(jìn)而導(dǎo)致擴(kuò)散不均勻或PN結(jié)不完整相比，本發(fā)明的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法首先提供完成酸腐或堿腐溶液制絨且清洗的硅片，之后通過反應(yīng)離子刻蝕或通過氫氟酸與硝酸銀的混合溶液在所述硅片表面形成親水性的柱錐狀絨面，所述柱錐狀絨面的粒徑范圍為50~300nm，之后在所述硅片表面涂覆擴(kuò)散源，最后對所述硅片進(jìn)行熱處理形成PN結(jié)。本發(fā)明可避免磷源在硅片表面因自然風(fēng)干或加熱而凝聚，從而有效提高了擴(kuò)散的均勻性，且避免了 PN結(jié)未能覆蓋整片硅片。【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法第一實(shí)施例的流程圖；
[0020]圖2為圖1中步驟SlO中多晶硅片的制絨清洗方法的流程圖；
[0021]圖3為完成圖2中步驟S14后硅片表面的SEM(掃描電子顯微鏡)圖像；
[0022]圖4為本發(fā)明的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法第二實(shí)施例的流程圖；
[0023]圖5為圖4中步驟S40中多晶硅片的制絨清洗方法的流程圖；
[0024]圖6為完成圖4中步驟S41后硅片表面的SEM圖像。
具體實(shí)施方案
[0025]下面結(jié)合具體實(shí)施例及附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的目的及功效。
[0026]參見圖1，本發(fā)明的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法的第一實(shí)施例首先進(jìn)行步驟S10，提供完成制絨清洗的硅片。
[0027]在本實(shí)施例中，所述硅片為多晶硅片，參見圖2本實(shí)施例所述硅片的制絨清洗方法首先進(jìn)行步驟S100，通過硝酸(HNO3)和氫氟酸(HF)的混合溶液對硅片制絨，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4%~7 %，所述硝酸的質(zhì)量百分比濃度為20 %~35 %，制絨溫度為
2~10。。。
[0028]接著繼續(xù)步驟S101，通過氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)溶液對所述硅片進(jìn)行清洗，所述氫氧化鈉或氫氧化 鉀的質(zhì)量百分比濃度為3%~5%，清洗溫度為20~25°C，清洗時間為20~40s。
[0029]接著繼續(xù)步驟S102，通過氫氟酸和鹽酸(HCL)的混合溶液對所述多晶硅片進(jìn)行清洗，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4%~7%，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7%~12%，清洗溫度為20~25°C，清洗時間為40~80s。
[0030]接著繼續(xù)步驟S103，通過去離子水對所述多晶硅片進(jìn)行清洗；所述去離子水的電阻率大于10ΜΩ，通過水刀噴洗的方式對多晶硅片進(jìn)行清洗，水洗時間為3~5min。
[0031 ] 接著繼續(xù)步驟SI I，提供具有離子反應(yīng)腔和射頻電源的離子反應(yīng)設(shè)備。在本實(shí)施例中，所述射頻電源的頻率為13.56MHZ，射頻電源的功率為5KW。
[0032]接著繼續(xù)步驟S12，將所述多晶硅片放入所述反應(yīng)離子腔內(nèi)。
[0033]接著繼續(xù)步驟S13，通入反應(yīng)氣體且啟動射頻電源以產(chǎn)生射頻電場生成反應(yīng)離子團(tuán)，在本步驟中，反應(yīng)氣體包括氯氣(CL2)、六氟化硫(SF6)和氧氣(O2)，通過真空泵將所述離子反應(yīng)腔中的壓力控制在5Pa左右。
[0034]接著繼續(xù)步驟S14，所述離子團(tuán)在所述硅片表面刻蝕形成粒徑為50~200nm的柱錐狀絨面，所述柱錐狀絨面的高度范圍為200~300m。參見圖3，其顯示了完成步驟S14后硅片的表面形貌，如圖所示，所示硅片表面為均勻的柱錐狀絨面(更接近錐狀)，所述柱錐狀絨面的粒徑范圍為50~200nm，高度范圍為200~300nm。
[0035]接著繼續(xù)步驟S15，通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進(jìn)行清洗，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4 %~7 %，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7 %~12 %，清洗溫度為20~25°C,清洗時間為9~15min。本步驟通過清洗進(jìn)一步去除娃片表面的一些金屬離子。
[0036]接著繼續(xù)步驟S16，通過去離子水對所述硅片進(jìn)行清洗；所述去離子水的電阻率大于IOMΩ，通過水刀噴洗的方式對多晶硅片進(jìn)行清洗，水洗時間為3~5min。
[0037]接著繼續(xù)步驟S17，在所述硅片表面涂覆擴(kuò)散源。通常所用的硅片的摻雜類型為P型，所述擴(kuò)散源對應(yīng)為磷酸溶液或磷漿等。在本實(shí)施例中，所述硅片的摻雜類型為P型，所述擴(kuò)散源為質(zhì)量百分比濃度為2%~5%的磷酸溶液，其通過噴頭噴涂至硅片正面。
[0038]接著繼續(xù)步驟S18，對所述硅片進(jìn)行熱處理形成PN結(jié)。在本實(shí)施例中，通過鏈?zhǔn)綘t體對所述硅片進(jìn)行熱處理，鏈?zhǔn)綘t體的峰值溫度為850~900°C。其他實(shí)施例中，也可通過管式爐進(jìn)行熱處理，但其效果和生產(chǎn)效率可能均低于鏈?zhǔn)綘t。
[0039]參見圖4，本發(fā)明的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法的第二實(shí)施例首先進(jìn)行步驟S40，提供完成制絨清洗的硅片。
[0040]在本實(shí)施例中，所述硅片為單晶硅片，參見圖5本實(shí)施例所述硅片的制絨清洗方法首先進(jìn)行步驟S400，通過氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液及異丙醇(IPA)和添加劑的混合溶液對單晶硅片進(jìn)行制絨，其中氫氧化鈉或氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為1%~1.5%，異丙醇質(zhì)量百分比濃度為2%~5%，制絨溫度為75~85°C，制絨時間為15~40min ;其中所述添加劑為硅酸鈉，其可少量添加或一點(diǎn)都不添加，隨著反應(yīng)的進(jìn)行，制絨液中的硅酸鈉含量不斷增加。
[0041]接著繼續(xù)步驟S401，通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進(jìn)行清洗，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4%~7%，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7%~12%，清洗溫度為20~25°C，清洗時間為5~IOmin。
[0042]接著繼續(xù)步驟S402，通過去離子水對所述硅片進(jìn)行清洗；所述去離子水的電阻率大于10ΜΩ，通過水刀噴洗的方式對多晶硅片進(jìn)行清洗，水洗時間為3~5min。
[0043]本發(fā)明的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法的第二實(shí)施例接著繼續(xù)步驟S41，通過硝酸銀(AgNO3)和氫氟酸(HF)的混合溶液在所述硅片表面形成粒徑為50~150nm的柱錐狀絨面，高度范圍為200~300nm，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為5%~11%，硝酸銀的質(zhì)量百分比濃度為0.15%~0.48%。
[0044]參見圖6，其顯示了完成步驟S41后硅片表面的形貌圖，圖6左右兩側(cè)分別為斜視圖和截面視圖，如圖所示，所示硅片表面為均勻的柱錐狀絨面(更接近柱狀)，所述柱錐狀絨面的粒徑范圍為50~150nm，高度范圍為200~300nm。
[0045]接著繼續(xù)步驟S42，通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進(jìn)行清洗。本步驟功能、所述氫氟酸、鹽酸濃度、清洗溫度、清洗時間均與步驟S15的相同在此不再贅述。
[0046]接著繼續(xù)步驟S43，通過去離子水對所述硅片進(jìn)行清洗。
[0047]接著繼續(xù)步驟S44，在所述硅片表面涂覆擴(kuò)散源；所述擴(kuò)散源為磷酸溶液或磷漿。在本實(shí)施例中，所述硅片的摻雜類型為P型，所述擴(kuò)散源為質(zhì)量百分比濃度為2%~5%的磷酸溶液。
[0048]接著繼續(xù)步驟S45，對所述硅片進(jìn)行熱處理形成PN結(jié)。在本實(shí)施例中，通過鏈?zhǔn)綘t體對所述硅片進(jìn)行熱處理，鏈?zhǔn)綘t體的峰值溫度為850~900°C。
[0049]本發(fā)明的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法的第三實(shí)施例與第一實(shí)施例除第一步提供完成制絨清洗的硅片不同外其他步驟均相同，在第三實(shí)施例中，所述硅片為單晶硅片，其制絨清洗過程與第二實(shí)施例即圖4所示的制絨清洗過程相同，即實(shí)施圖4中步驟S400至S402來完成所述單晶硅片的制絨清洗。[0050]在完成步驟S402后，所述第三實(shí)施例即進(jìn)行如圖1所示的S12至S18，所述步驟S12至S18的工藝參數(shù)及實(shí)施過程均已在第一實(shí)施例中詳細(xì)描述，在此不再贅述。
[0051]本發(fā)明的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法的第四實(shí)施例與第二實(shí)施例除第一步提供完成制絨清洗的硅片不同外其他步驟均相同，在第四實(shí)施例中，所述硅片為多晶硅片，其制絨清洗過程與第一實(shí)施例即圖2所示的制絨清洗過程相同，第四實(shí)施例通過實(shí)施圖2中所示的步驟SlOO至S103來完成多晶硅片的制絨清洗。
[0052]在完成步驟S103后，所述第四實(shí)施例即進(jìn)行如圖3所示的S42至S45，所述步驟S42至S45的工藝參數(shù)及實(shí)施過程均已在第二實(shí)施例中詳細(xì)描述，再此不再贅述。
[0053]在完成擴(kuò)散步驟后，通過檢驗(yàn)擴(kuò)散后方塊電阻均勻度來檢驗(yàn)擴(kuò)散均勻度，方塊電阻不均勻度的計算公式為:方塊電阻不均勻度=(R □最大值-R □最小值)/(R □最大值+最小值)X 100% R □, R □為娃片擴(kuò)散后方塊電阻值。上述實(shí)施例一和三中的方塊電阻不均勻度的值為5%，實(shí)施例二和四中的方塊電阻不均勻度的值為4.5%，與未對硅片在噴源前進(jìn)行處理形成柱錐狀絨面的現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可確保硅片表面的PN結(jié)覆蓋整個硅片區(qū)域，且使其擴(kuò)散均勻度得到大幅提升。
[0054]綜上所述，本發(fā)明的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法首先提供完成酸腐或堿腐溶液制絨且清洗的硅片，之后通過反應(yīng)離子刻蝕或通過氫氟酸與硝酸銀的混合溶液在所述硅片表面形成親水性的柱錐狀絨面，所述柱錐狀絨面的粒徑范圍為50~300nm，之后在所述硅片表面涂覆擴(kuò)散源，最后對所述硅片進(jìn)行熱處理形成PN結(jié)。本發(fā)明可避免磷源在硅片表面因自然風(fēng)干或加熱而凝聚，從而有效提高了擴(kuò)散的均勻性，且避免了 PN結(jié)未能覆蓋整片硅片。
【權(quán)利要求】
1.一種可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，其特征在于，該方法包括以下步驟:a、提供完成制絨清洗的硅片山、在所述硅片表面形成親水性的柱錐狀絨面，所述柱錐狀絨面的粒徑范圍為50~300nm ;c、在所述硅片表面涂覆擴(kuò)散源；d、對所述硅片進(jìn)行熱處理形成PN結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟b包括以下步驟:b0、提供具有離子反應(yīng)腔和射頻電源的離子反應(yīng)設(shè)備；bl、將所述硅片放入所述反應(yīng)離子腔內(nèi)山2、通入反應(yīng)氣體且啟動射頻電源以產(chǎn)生射頻電場生成反應(yīng)離子團(tuán)；b3、所述離子團(tuán)在所述硅片表面刻蝕形成粒徑為50~200nm的柱錐狀絨面；b4、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進(jìn)行清洗；b5、通過去離子水對所述硅片進(jìn)行清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，其特征在于，在步驟b2中，反應(yīng)氣體包括氯氣、六氟化硫和氧氣，所述射頻電源的頻率為13.56MHZ，功率為5KW。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，其特征在于，在步驟b4中，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4%~7%，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7%~12%，清洗溫度為20~25°C，清洗時間為9~15min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟B包括以下步驟:B0、通過硝酸銀和氫氟酸的混合溶液在所述硅片表面形成粒徑為50~150nm的柱錐狀絨面；B1、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進(jìn)行清洗；B2、通過去離子水對所述硅片進(jìn)行清洗。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，其特征在于，在步驟BO中，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為5%~11%，硝酸銀的質(zhì)量百分比濃度為0.15%~0.48%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，其特征在于，所述硅片的摻雜類型為P型，所述擴(kuò)散源為磷酸溶液或磷漿。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，其特征在于，所述磷酸溶液的質(zhì)量百分比濃度為2%~5%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，其特征在于，在步驟a中，所述硅片為多晶硅片，所述多晶硅片的制絨清洗包括以下步驟:a0、通過硝酸和氫氟酸的混合溶液對多晶硅片制絨，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4%~7%，所述硝酸的質(zhì)量百分比濃度為20%~35%，制絨溫度為2~10°C;al、通過氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液對所述多晶硅片進(jìn)行清洗，所述氫氧化鈉或氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為3 %~5 %，清洗溫度為20~25°C，清洗時間為20~40s ;a2、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述多晶硅片進(jìn)行清洗，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4%~7%，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7%~12%，清洗溫度為20~25°C，清洗時間為40~80s ;a3、通過去離子水對所述多晶硅片進(jìn)行清洗。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可提高擴(kuò)散性能的涂源擴(kuò)散方法，其特征在于，在步驟a中，所述硅片為單晶硅片，所述單晶硅片的制絨清洗包括以下步驟:A0、通過氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液、異丙醇和添加劑的混合溶液 對單晶硅片進(jìn)行制絨，其中氫氧化鈉或氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為I %~1.5 %，異丙醇質(zhì)量百分比濃度為2 %~5 %，制絨溫度為75~85°C，制絨時間為15~40min ;A1、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進(jìn)行清洗，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4 %~7 %，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7 %~12 %，清洗溫度為20~25°C，清洗時間為5~IOm in ;A2、通過去離子水對所述硅片進(jìn)行清洗。
【文檔編號】C30B33/08GK103806105SQ201210437482
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月2日
【發(fā)明者】凌俊, 嚴(yán)婷婷, 艾凡凡, 陳如龍, 楊健 申請人:無錫尚德太陽能電力有限公司