專利名稱：一種晶體的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種一種晶體的制備方法，主要涉及石榴石晶體。
背景技術(shù)：
一般地，石榴石單晶由于其優(yōu)異的磁光性能而廣泛應(yīng)用于磁光裝置如光電傳感器、光頻隔離器、光開關(guān)和空間光調(diào)制器(spatial optical modulators )。取決于待取代的離子種類以及它們的位點(diǎn)，磁性石榴石單晶的磁、光和磁光性能不同，使用的波長(zhǎng)也不一樣。因此，根據(jù)磁光裝置種類的不同，使用具有不同組成的各種石榴石單晶。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種晶體的制備方法。
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本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。一種晶體的制備方法，步驟包括(I)以質(zhì)量百分比計(jì)，將10 30%Yb: YAG晶體和5 15%熔劑Bi203-B203_Pb0混合物放入盛有經(jīng)純化的5(T80%釔鋁石榴石碎晶體的坩堝中；(2)將坩堝溫度升至1400 1500° C ；(3 )熔化24 36h后得熔融體。本發(fā)明的有益效果由該方法制備出的晶體中不存在散射顆粒，這說明實(shí)現(xiàn)了完全退火的效果，減少了晶體的缺陷，同時(shí)方法簡(jiǎn)便，操作較易。
具體實(shí)施例方式下面根據(jù)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。實(shí)施例I :一種晶體的制備方法，步驟包括(I)以質(zhì)量百分比計(jì)，將10%Yb:YAG晶體和10%熔劑Bi203-B203_Pb0混合物放入盛有經(jīng)純化的80%釔鋁石榴石碎晶體的坩堝中；(2)將坩堝溫度升至1500° C;(3)熔化24h后得熔融體。實(shí)施例2:一種晶體的制備方法，步驟包括(I)以質(zhì)量百分比計(jì)，將15%Yb: YAG晶體和15%熔劑Bi203-B203_Pb0混合物放入盛有經(jīng)純化的70%釔鋁石榴石碎晶體的坩堝中；(2)將坩堝溫度升至1450。C;(3)熔化30h后得熔融體。實(shí)施例3
一種晶體的制備方法，步驟包括(I)以質(zhì)量百分比計(jì)，將20%Yb: YAG晶體和25%熔劑Bi203-B203_Pb0混合物放入盛有經(jīng)純化的55%釔鋁石榴石碎晶體的坩堝中；(2)將坩堝溫度升至1400。C;(3)熔化36h后得熔融體。本發(fā)明，制備出的晶體中不存在散射顆粒，這說明實(shí)現(xiàn)了完全退火的效果，減少了晶體的缺陷，同時(shí)方法簡(jiǎn)便，操作較易。上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此領(lǐng)域技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明內(nèi)容并加以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)?！?br> 權(quán)利要求
1 .一種晶體的制備方法，其特征在于，步驟包括 (1)以質(zhì)量百分比計(jì)，將10 30%Yb:YAG晶體和5 15%熔劑Bi203-B203_Pb0混合物放入盛有經(jīng)純化的5(T80%釔鋁石榴石碎晶體的坩堝中； (2)將坩堝溫度升至140(Tl500°C ； (3)熔化24 36h后得熔融體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶體的制備方法，步驟包括(1)以質(zhì)量百分比計(jì)，將10~30%Yb:YAG晶體和5~15%熔劑Bi2O3-B2O3-PbO混合物放入盛有經(jīng)純化的50~80%釔鋁石榴石碎晶體的坩堝中；(2)將坩堝溫度升至1400~1500°C；(3)熔化24~36h后得熔融體。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，由該方法制備出的晶體中不存在散射顆粒，這說明實(shí)現(xiàn)了完全退火的效果，減少了晶體的缺陷，同時(shí)方法簡(jiǎn)便，操作較易。
文檔編號(hào)C30B9/12GK102787358SQ20121030818
公開日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月27日
發(fā)明者萬文, 萬黎明 申請(qǐng)人:安徽環(huán)巢光電科技有限公司